公开(公告)号：CN1574084A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410055059.7

申请日：2004-06-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋泰中

IPC: G11C11/4072

CPC classification number: G11C7/12 ,  G11C7/06

Abstract: 本文提出了一种具有截止电流(Ioff)强健的预充电控制电路的存储器件和一种位线预充电方法。预充电控制电路可以实现为对接收的预充电使能信号延迟预定时间的延迟电路单元；接收预充电使能信号和延迟电路输出的与非门；对与非门输出取反的反相器。预充电控制电路可在预充电信号禁止前，使能字线。

公开(公告)号：CN119698067A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411693670.6

申请日：2019-02-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋泰中 ,  都桢湖 ,  李昇映 ,  郑钟勋

IPC: H10D89/10 ,  H10D84/85

Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件包括在衬底上彼此相邻的第一逻辑单元和第二逻辑单元、以及在第一逻辑单元与第二逻辑单元之间在第一方向上延伸的混合分离结构。每个逻辑单元包括：第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案和第二有源图案在与第一方向相交的第二方向上延伸，并且在第一方向上彼此间隔开；以及栅电极，在第一方向上延伸并跨越第一有源图案和第二有源图案，并且所述多个栅电极以栅极间距间隔开。混合分离结构包括将第一逻辑单元的第一有源图案与第二逻辑单元的第一有源图案分离的第一分离结构；以及第一分离结构上的第二分离结构。第一分离结构的宽度大于栅极间距。

公开(公告)号：CN114898791B

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202210610664.4

申请日：2017-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白尚叶 ,  金兑衡 ,  文大英 ,  徐东旭 ,  李仁学 ,  崔贤洙 ,  宋泰中 ,  崔在承 ,  姜贞明 ,  金训 ,  柳志秀 ,  张善泳

IPC: G11C11/418 ,  G11C11/413 ,  G11C7/08 ,  G11C11/419 ,  H01L23/528 ,  H01L27/02 ,  H01L27/092 ,  H10B10/00

Abstract: 一种半导体设备，包括：第一有源区域和第二有源区域，其沿第一方向延伸，所述第一有源区域和第二有源区域被设置在基底中；第一栅电极，其沿垂直于第一方向的第二方向延伸，其中，所述第一栅电极在第一有源区域和第二有源区域上连续延伸；第二栅电极，其在第一有源区域上沿第二方向延伸；第三栅电极，其在第一有源区域和第二有源区域上沿第二方向延伸；第一触点，其被设置在第一栅电极的第一侧处的第一有源区域上；第二触点，其被设置在第二栅电极的第二侧处的第一有源区域上；第三触点，其被设置在第一栅电极上；第四触点，其被设置在第二栅电极上；第一导线，其经由第三触点连接到第一栅电极；和第二导线，其与第一触点的部分、第二触点的部分和第四触点的部分重叠，其中，第一电压被提供给第二导线，其中，第二导线的至少一部分沿第一方向延伸，以及第二导线的至少一部分在平面图上与第二栅电极相交。

公开(公告)号：CN110211955B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN201910135780.3

申请日：2019-02-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋泰中 ,  都桢湖 ,  李昇映 ,  郑钟勋

IPC: H01L27/02

Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件包括在衬底上彼此相邻的第一逻辑单元和第二逻辑单元、以及在第一逻辑单元与第二逻辑单元之间在第一方向上延伸的混合分离结构。每个逻辑单元包括：第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案和第二有源图案在与第一方向相交的第二方向上延伸，并且在第一方向上彼此间隔开；以及栅电极，在第一方向上延伸并跨越第一有源图案和第二有源图案，并且所述多个栅电极以栅极间距间隔开。混合分离结构包括将第一逻辑单元的第一有源图案与第二逻辑单元的第一有源图案分离的第一分离结构；以及第一分离结构上的第二分离结构。第一分离结构的宽度大于栅极间距。

公开(公告)号：CN118507481A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410548964.3

申请日：2018-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在鹏 ,  都桢湖 ,  宋泰中 ,  李升映 ,  郑钟勋 ,  柳志秀

IPC: H01L27/02

Abstract: 提供了标准单元及包括其的集成电路。该集成电路包括：多个标准单元，每个标准单元包括在第一方向上延伸的至少一个有源区域、在第二方向上延伸的至少一个栅线以及形成在第一导电层中的至少一个图案；以及多个电源轨，沿着所述多个标准单元的边界在第一方向上延伸。所述多个电源轨中的第一电源轨包括第一图案，第一图案形成在比第一导电层高的第二导电层中并沿着所述多个标准单元中的第一标准单元的边界在第一方向上延伸。第一图案在第一方向上的长度小于第一标准单元在第一方向上的长度。

公开(公告)号：CN108695315B

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN201810319727.4

申请日：2018-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在鹏 ,  都桢湖 ,  宋泰中 ,  李升映 ,  郑钟勋 ,  柳志秀

IPC: H01L27/02

Abstract: 提供了标准单元及包括其的集成电路。该集成电路包括：电源轨，包括在垂直方向上彼此间隔开的第一导电线和第二导电线，其中第一导电线和第二导电线在第一水平方向上彼此平行地延伸，并彼此电连接以向第一标准单元供应电力，其中第一导电线和第二导电线设置在第一标准单元的边界处；以及第三导电线，在第一导电线与第二导电线之间，并在与第一水平方向正交的第二水平方向上延伸，以传送第一标准单元的输入信号或输出信号。

公开(公告)号：CN107919354B

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN201710641748.3

申请日：2017-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珍泰 ,  都桢湖 ,  宋泰中 ,  赵斗熙 ,  李昇映

IPC: H01L27/02 ,  G06F30/39 ,  G06F30/398

Abstract: 一种包括经修改单元的集成电路及设计集成电路的方法，所述方法包括：接收用于定义所述集成电路的输入数据；从包括多个标准单元的标准单元库接收信息；从包括至少一个经修改单元的经修改单元库接收信息，所述至少一个经修改单元具有与所述多个标准单元中的对应标准单元相同的功能且具有比所述对应标准单元高的可布线性；以及通过响应于所述输入数据、来自所述标准单元库的所述信息以及来自所述经修改单元库的所述信息执行放置及布线，来产生输出数据。通过使用具有与标准单元相同的功能且具有比标准单元提高的可布线性的经修改单元，可减小集成电路的占用面积。

公开(公告)号：CN109509492B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201811072217.8

申请日：2018-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 表锡洙 ,  郑铉泽 ,  黄素熙 ,  宋泰中

IPC: G11C11/16

Abstract: 本发明提供一种控制电阻式存储器中的参考单元以识别存储在多个存储单元中的值的方法。所述方法包含：将第一值写入至多个存储单元；向参考单元提供单调递增或单调递减的参考电流。所述方法包含：在将参考电流中的每一个提供给参考单元时读取多个存储单元，以及基于读取的结果的集合来确定读取参考电流。也提供一种包含参考单元的电阻式存储器装置。

公开(公告)号：CN109461466B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN201810886322.9

申请日：2018-08-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 表锡洙 ,  郑铉泽 ,  宋泰中

IPC: G11C13/00

Abstract: 一种电阻式存储器器件包括：电压发生器，根据写入使能信号的激活生成写入字线电压；开关电路，响应于写入使能信号输出写入字线电压和读取字线电压中的一个作为输出电压；字线功率路径，连接到开关电路以接收输出电压；以及根据施加到字线功率路径的电压驱动字线的字线驱动器，其中写入命令在写入使能信号激活之后的特定延迟之后开始被接收，并且响应于所接收的写入命令在写入使能信号的激活时段内执行写入操作。

公开(公告)号：CN105488244B

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN201510645497.7

申请日：2015-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白尚训 ,  宋泰中 ,  梁箕容 ,  都桢湖

IPC: G06F30/392 ,  G06F30/398 ,  H01L27/02 ,  H01L27/28 ,  H01L29/66

Abstract: 提供了设计半导体装置的方法和用于设计半导体装置的系统。设计半导体装置的方法包括：提供包括有源区和虚设区的标准单元布局；确定有源区中的第一有源鳍与第二有源鳍之间的第一鳍节距和虚设区中的第一虚设鳍与第二虚设鳍之间的第二鳍节距；使用第一鳍节距和第二鳍节距在有源区中安置第一有源鳍和第二有源鳍并在虚设区中安置第一虚设鳍和第二虚设鳍；并检验标准单元布局。