-
公开(公告)号:CN107957851B
公开(公告)日:2022-04-26
申请号:CN201710892707.1
申请日:2017-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 一种存储器系统包括多个存储装置,所述存储装置分别包括非易失性存储器装置。客户机装置被配置成收集从所述存储装置提供的所述非易失性存储器装置的劣化信息。服务器装置被配置成接收所收集劣化信息并通过基于所收集劣化信息以及初始劣化信息执行机器学习来实时地预测所述非易失性存储器装置的劣化程度。所述客户机装置基于来自所述服务器装置的所述非易失性存储器装置的劣化程度来确定所述非易失性存储器装置的读取电平。所述存储装置将所述非易失性存储器装置设定成基于在所述客户机装置中确定的所述读取电平来运行。
-
公开(公告)号:CN109521951A
公开(公告)日:2019-03-26
申请号:CN201811085087.1
申请日:2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G06F3/0653 , G06F3/0619 , G06F3/0679 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C29/028 , G06F3/0604 , G06F3/0638
Abstract: 一种特征数据预处理系统包括:数据获取设备,其收集包括根据第一默认读取电平定义的第一单元分布数据和根据第二默认读取电平定义的第二单元分布数据的特征数据;数据预处理装置,据根据剪裁范围合并第一单元分布数据和第二单元分布数来生成训练数据,其中剪裁范围是根据第一默认电平和第二默认电平来定义的;以及数据库,其存储从数据预处理装置通信的训练数据。
-
公开(公告)号:CN107957851A
公开(公告)日:2018-04-24
申请号:CN201710892707.1
申请日:2017-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G11C16/349 , G06N99/005 , G11C7/14 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/04 , G11C29/42 , G11C29/52 , G06F3/0614 , G06F3/0653
Abstract: 一种存储器系统包括多个存储装置,所述存储装置分别包括非易失性存储器装置。客户机装置被配置成收集从所述存储装置提供的所述非易失性存储器装置的劣化信息。服务器装置被配置成接收所收集劣化信息并通过基于所收集劣化信息以及初始劣化信息执行机器学习来实时地预测所述非易失性存储器装置的劣化程度。所述客户机装置基于来自所述服务器装置的所述非易失性存储器装置的劣化程度来确定所述非易失性存储器装置的读取电平。所述存储装置将所述非易失性存储器装置设定成基于在所述客户机装置中确定的所述读取电平来运行。
-
公开(公告)号:CN119512443A
公开(公告)日:2025-02-25
申请号:CN202410708471.1
申请日:2024-06-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 本公开提供了存储装置及其运行方法。所述存储装置包括:非易失性存储器件,所述非易失性存储器件被配置为存储快速单元信息,所述快速单元信息是从通过针对存储单元的单次编程形成的阈值电压分布获得的;以及存储控制器,所述存储控制器被配置为在引导或初始化期间从所述非易失性存储器件读取所述快速单元信息,以执行基于快速单元管理策略对快速单元区域进行映射,其中,所述快速单元信息是通过在测试阶段或大量生产评价阶段中执行的所述单次编程获取的,并且在所述存储控制器的固件被运行之前被存储在所述非易失性存储器件中。
-
公开(公告)号:CN117672311A
公开(公告)日:2024-03-08
申请号:CN202310548292.1
申请日:2023-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开存储装置和操作其的方法,所述存储装置包括存储控制器和非易失性存储器装置。所述方法包括:提供第一请求,第一请求指示非易失性存储器装置的目标存储器块的字线顺序读取操作;基于第一请求,提供第一字线读取数据,第一字线读取数据与目标存储器块的第一字线的存储器单元对应;基于第一请求,提供第二字线读取数据,第二字线读取数据与目标存储器块的第二字线的存储器单元对应,第二字线与第一字线邻近;基于第一字线读取数据和第二字线读取数据计算第一字线间隙值;以及基于第一字线间隙值执行目标存储器块的第一可靠性操作。
-
公开(公告)号:CN108108810B
公开(公告)日:2023-08-18
申请号:CN201711191140.1
申请日:2017-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储装置包括非易失性存储器件、缓冲存储器、控制器和神经形态芯片。神经形态芯片被配置为基于访问结果信息和访问环境信息生成访问分类器。控制器被配置为使用缓冲存储器执行对非易失性存储器件的第一访问,并且收集缓冲存储器中的第一访问的访问结果信息和访问环境信息。控制器被配置为使用缓冲存储器执行非易失性存储器件的第二访问。控制器被配置为通过使用与第二访问和访问分类器相关联的访问环境信息来获得与第二访问相关联的访问参数的预测结果。
-
公开(公告)号:CN115938440A
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN202210858214.7
申请日:2022-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
Abstract: 公开一种操作与非易失性存储器件通信的存储控制器的方法。该方法包括:向非易失性存储器件输出包括对非易失性存储器件的存储区域的片上谷搜索OVS计数数据的请求的第一命令,其中OVS计数数据包括第一读取电压的第一计数值和第二读取电压的第二计数值;从非易失性存储器件接收OVS计数数据;基于OVS计数数据来确定针对第一读取电压的第一错误计数值和针对第二读取电压的第二错误计数值;以及基于第一错误计数值和第二错误计数值来确定后续操作。
-
公开(公告)号:CN115904218A
公开(公告)日:2023-04-04
申请号:CN202210706541.0
申请日:2022-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供包括主机和存储装置的存储系统以及存储系统的操作方法。存储装置包括存储器控制器和存储器装置,其中,存储器控制器的操作方法包括:从主机接收对文件夹的第一模式改变请求,文件夹是用于管理至少一个文件和所述至少一个文件的逻辑地址的单位;以及响应于第一模式改变请求,在第二操作模式下将与逻辑地址对应的第一数据重新写入存储器装置,并使第一数据无效,第一数据是已经在第一操作模式下写入的与逻辑地址和第一数据对应的现有数据,其中,第一模式改变请求将针对包括在文件夹中的所述至少一个文件的数据操作速度设置为高速模式。
-
公开(公告)号:CN115831200A
公开(公告)日:2023-03-21
申请号:CN202210776544.1
申请日:2022-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
Abstract: 公开了一种操作与非易失性存储器件通信的存储控制器的方法。所述方法包括:向非易失性存储器件输出第一命令,该第一命令包括对非易失性存储器件的存储区域的片上谷搜索(OVS)计数数据的请求,其中,OVS计数数据包括具有第一读取电压的第一计数值和第二计数值以及具有第二读取电压的第三计数值和第四计数值;从非易失性存储器件接收OVS计数数据;基于OVS计数数据从多个分布类型中确定存储区域的分布类型以作为预测分布类型;以及基于预测分布类型来确定后续操作。
-
公开(公告)号:CN114490428A
公开(公告)日:2022-05-13
申请号:CN202111265668.5
申请日:2021-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种测量包括多个存储块的非易失性存储器件的耐久性的方法,所述方法包括:周期性地接收用于所述多个存储块当中的第一存储块的读取命令;基于所述读取命令,对所述第一存储块周期性地执行读取操作;基于所述读取操作的结果,周期性地输出与所述第一存储块相关联的至少一个单元计数值;响应于与所述第一存储块相关联的耐久性信息的周期性接收,周期性地存储所述耐久性信息,所述耐久性信息通过累积所述至少一个单元计数值被获得。
-
-
-
-
-
-
-
-
-