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公开(公告)号：CN1838321B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200610071461.3
申请日：2006-03-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56 , G11C11/4193 , G11C16/02 , G11C16/06
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004
Abstract: 本发明涉及具有增强的位线和/或字线驱动能力的非易失性存储器设备。本发明公开了一种包括具有增强的位线和/或字线驱动能力的相变随机存取存储器(PRAM)设备，其在编程和读取操作期间支持高位线和/或字线回转速率。该相变随机存取存储器(PRAM)设备包括多个行和列的PRAM存储器单元以及至少一个电耦合到一列PRAM存储器单元的局部位线。第一和第二位线选择电路被提供来提高可以使用位线信号来存取和驱动至少一条局部位线的速率。这些第一和第二位线选择电路被配置成在从该列中的所选一个PRAM存储器单元读取数据的操作期间将至少一条局部位线的第一和第二末端电连接到总位线。
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公开(公告)号：CN1975928B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200610172989.X
申请日：2006-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C13/004
Abstract: 提供相变随机存取存储器，其包括：包含多个相变存储单元的存储器阵列；和分别连接到相变存储单元的字线，其中在读取操作中，连接到所选相变存储单元的字线的电压在至少两个具有不同电压电平的电压级之间转换。
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公开(公告)号：CN1975927B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200610163200.4
申请日：2006-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种相可变存储器件以及读取数据的相关方法。存储器件由存储单元、高电压电路、预充电电路、偏置电路、以及读出放大器组成。每一个存储单元包括相可变材料和与位线相连的二极管。高电压电路根据电源提供高电压。预充电电路在将位线充电到电源电压之后，将位线升高到高电压。偏置电路借助于高电压向位线提供读取电流。读出放大器借助于高电压将位线的电压与基准电压相比较，并且从存储单元读取数据。存储器件能够减少预充电操作期间高电压电路的负荷，从而确保在读出期间足够的读出裕度。
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公开(公告)号：CN101101793A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710127820.7
申请日：2007-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C17/16 , G11C13/0004 , G11C17/165
Abstract: 提出了一种对一次可编程器件进行编程的方法。将衬底中设置的开关器件导通，并且向与开关器件电连接的熔丝施加编程电流从而切断熔丝。所述熔丝包括：第一电极，与开关器件相连；第二电极，与第一电极间隔开；以及硫族化物图案，设置在第一电极与第二电极之间。还公开了相关的一次可编程器件、相变存储器件和电子系统。
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公开(公告)号：CN1975928A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610172989.X
申请日：2006-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C13/004
Abstract: 提供相变随机存取存储器，其包括：包含多个相变存储单元的存储器阵列；和分别连接到相变存储单元的字线，其中在读取操作中，连接到所选相变存储单元的字线的电压在至少两个具有不同电压电平的电压级之间转换。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1845329A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610075344.4
申请日：2006-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/24 , H01L23/528 , H01L21/82 , H01L21/768 , G11C7/18 , G11C8/14
CPC classification number: G11C7/18 , G11C5/063 , G11C13/0004 , G11C2213/72 , H01L27/24
Abstract: 本发明提供一种具有分级结构的半导体存储器件中的线布设结构和方法。在具有全局字线和局部字线、以及全局位线和局部位线的半导体存储器件中，所有的全局字线、局部字线、全局位线和局部位线分别设置在至少三层之中的导电层处；全局字线、局部字线、全局位线和局部位线中的至少两种一起平行设置在一层导电层上。构成半导体存储器件的信号线设置在分级结构中，由此可以获得有利地具有高集成度、高速度和高性能的半导体存储器件。
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公开(公告)号：CN103426461B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201310185288.X
申请日：2013-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/165 , G06F12/0246 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693
Abstract: 公开了一种磁性随机存取存储器（MRAM）、包括其的存储模块和存储系统、以及MRAM的控制方法。MRAM包括被配置为根据磁化方向在至少两个状态之间变化的磁性存储单元，以及支持多个工作模式的模式寄存器。
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公开(公告)号：CN107256716A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710454316.1
申请日：2013-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/165 , G06F12/0246 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693
Abstract: 公开了一种磁性随机存取存储器(MRAM)、包括其的存储模块和存储系统、以及MRAM的控制方法。MRAM包括被配置为根据磁化方向在至少两个状态之间变化的磁性存储单元，以及支持多个工作模式的模式寄存器。
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公开(公告)号：CN1845329B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610075344.4
申请日：2006-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/24 , H01L23/528 , H01L21/82 , H01L21/768 , G11C7/18 , G11C8/14
CPC classification number: G11C7/18 , G11C5/063 , G11C13/0004 , G11C2213/72 , H01L27/24
Abstract: 本发明提供一种具有分级结构的半导体存储器件中的线布设结构和方法。在具有全局字线和局部字线、以及全局位线和局部位线的半导体存储器件中，所有的全局字线、局部字线、全局位线和局部位线分别设置在至少三层之中的导电层处；全局字线、局部字线、全局位线和局部位线中的至少两种一起平行设置在一层导电层上。构成半导体存储器件的信号线设置在分级结构中，由此可以获得有利地具有高集成度、高速度和高性能的半导体存储器件。
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公开(公告)号：CN1959846A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610159878.5
申请日：2006-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C5/145 , G11C8/08 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0028 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2013/009
Abstract: 一种相变随机存取存储器，包括存储器单元阵列块，该阵列块包括多个相变存储器单元、列译码器和行译码器、列选择器和写驱动器。该存储器还包括写升压单元，该单元具有用于升高第一电压来产生用于驱动写驱动器的写驱动电压的多个内部电荷泵，其中根据在写操作期间选择的相变存储器单元的数量来改变在写操作期间激活的内部电荷泵的数量。该存储器还包括用于升高第一电压来产生用于驱动列译码器的列驱动电压的列升压单元，和用于升高第一电压来产生用于驱动行译码器的行驱动电压的行升压单元。
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