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公开(公告)号：CN100495568C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200310100727.9
申请日：2003-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , G11C11/409 , G11C7/10
CPC classification number: G11C7/1021 , G11C8/10 , G11C8/12
Abstract: 一种具有部分激活构架的半导体存储器件，在以部分激活模式操作的同时提供有效的页面模式操作。控制电路和方法被用来启动具有部分激活构架的半导体存储器件(比如DRAM，FCRAM)中的页面模式操作(用于读写数据存取)，从而提高当数据从具有相同字线地址的存储位置写/读时的数据存取速度。在一个方面，一种存取存储器中数据的方法包括：激活对应于第一地址的第一字线以执行数据存取操作；接收第一地址后的第二地址，如果第二地址与第一地址相同，生成页面模式标记信号，以便在激活对应于第二地址的第二字线的同时保持对应于第一地址的第一字线的已激活状态；并响应页面模式标记信号的禁止，去激活第一和第二字线。
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公开(公告)号：CN1929423A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610128174.1
申请日：2006-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李润相
IPC: H04L12/28
Abstract: 一种用于使用先前的连接历史来提供与稳定接入点相关联的指导的方法和设备，所述方法包括：从无线网络中可用的多个接入点接收数据，并且使用接收到的数据中包含的各个接入点的标识符，搜索与各个接入点相对应的连接历史有关的连接信息；根据预定标准，在多个接入点中选择优选用于与网络相连的第一接入点，并且输出第一接入点的引导信息；通过第一接入点与无线网络相连；以及存储包括数据发送和/或接收的结果的连接信息。
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公开(公告)号：CN1503272A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN200310116318.8
申请日：2003-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , G11C8/08
CPC classification number: G11C11/4087 , G11C7/1021 , G11C7/1045 , G11C8/12 , G11C8/14 , G11C11/4085
Abstract: 本发明涉及一种半导体存储器器件，其具有使用户可以改变半导体存储器器件的页长的结构。本发明还涉及用于改变半导体存储器器件的页长的电路和方法，其使得能够选择性地激活存储单元阵列的存储单元阵列块的一个或多个对应的字线(具有相同的行地址)，从而按照指定的操作模式来改变页长。
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公开(公告)号：CN103426461B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201310185288.X
申请日：2013-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/165 , G06F12/0246 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693
Abstract: 公开了一种磁性随机存取存储器（MRAM）、包括其的存储模块和存储系统、以及MRAM的控制方法。MRAM包括被配置为根据磁化方向在至少两个状态之间变化的磁性存储单元，以及支持多个工作模式的模式寄存器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107256716A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710454316.1
申请日：2013-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/165 , G06F12/0246 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693
Abstract: 公开了一种磁性随机存取存储器(MRAM)、包括其的存储模块和存储系统、以及MRAM的控制方法。MRAM包括被配置为根据磁化方向在至少两个状态之间变化的磁性存储单元，以及支持多个工作模式的模式寄存器。
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公开(公告)号：CN103165184A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210536246.1
申请日：2012-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/06 , G11C16/26 , G11C11/16 , G11C11/4063 , G11C11/56
CPC classification number: G11C7/06 , G11C7/065 , G11C7/222 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/4076 , G11C11/4091 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C16/26 , G11C16/28 , G11C27/02 , G11C2207/002 , G11C2207/005 , G11C2213/71 , H01L27/222 , H01L43/08 , H01L45/04 , H01L45/06
Abstract: 提供一种存储装置，其具有被配置为接收第一CSL信号并且输入或输出数据的第一开关。第二开关被配置为接收第二CSL信号。读出和锁存电路（SLC）耦接在第一开关与第二开关之间。至少一个存储单元耦接到第二开关。该第二开关被配置为响应于第二CSL信号来控制至少一个存储单元的读或写操作的定时，例如，其中读操作可以在不多于大约5ns后执行。SLC在写模式下操作为锁存器并且在读模式下操作为放大器。存储装置可以包括存储器系统或包含这样的存储装置或系统的其它设备的一部分。还提供了使用这样的存储装置执行读和写操作的方法。
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公开(公告)号：CN100538885C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200310116318.8
申请日：2003-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , G11C8/08
CPC classification number: G11C11/4087 , G11C7/1021 , G11C7/1045 , G11C8/12 , G11C8/14 , G11C11/4085
Abstract: 本发明涉及一种半导体存储器器件，其具有使用户可以改变半导体存储器器件的页长的结构。本发明还涉及用于改变半导体存储器器件的页长的电路和方法，其使得能够选择性地激活存储单元阵列的存储单元阵列块的一个或多个对应的字线(具有相同的行地址)，从而按照指定的操作模式来改变页长。
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公开(公告)号：CN101166195A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710146371.0
申请日：2007-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04W72/0406
Abstract: 一种便携式因特网服务系统，包括：多个终端，发送上行链路数据来执行无线通信；以及基站，接收来自所述多个终端的上行链路数据，发送下行链路数据到所述多个终端，并建立点对点功能以执行所述多个终端之间的点对点传输。
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公开(公告)号：CN1783338A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510087401.6
申请日：2005-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/401 , G11C11/406
CPC classification number: G11C11/406 , G11C11/40611 , G11C11/40618 , G11C2211/4067
Abstract: 本发明公开了与多存储体同步动态存取存储器(SDRAM)电路、模块和存储系统一起使用的方法和装置。在所描述的一个实施例中，SDRAM电路接收用于自动刷新操作的存储体地址，并对指定的存储体和对当前刷新行执行自动刷新操作。该存储器件允许在对所有存储体和当前刷新行完成自动刷新操作之前进入自刷新模式。该存储器件在对新行执行自刷新操作之前完成对当前刷新行的刷新操作。还描述了其它实施例。
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