公开(公告)号：CN114078518A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110737259.4

申请日：2021-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔相炫 ,  徐荣德 ,  卢羌镐

IPC: G11C14/00 ,  G06N3/063

Abstract: 提供了一种存储装置和用于该存储装置的操作方法。该存储装置通过从非易失性存储器的掉电保护(PLP)区域恢复导通单元计数(OCC)来执行读操作。非易失性存储器包括存储器块、缓冲存储器和控制器。缓冲存储器存储第一导通单元计数(OCC1)和第二导通单元计数(OCC2)，OCC1指示连接到参考字线的存储器单元当中的通过第一读电压导通的存储器单元的数量，OCC2指示连接到参考字线的存储器单元当中的通过第二读电压导通的存储器单元的数量。当存储装置中发生突然断电时，控制器将各个存储器块的OCC1存储在PLP区域中。

公开(公告)号：CN112786095A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011228309.8

申请日：2020-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢羌镐 ,  李知玟 ,  金炳喜 ,  徐正旼 ,  梁承俊

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/16 ,  G11C16/34 ,  G06F3/06

Abstract: 一种存储设备包括：接口，从主机接收数据和对应的LBA，其中数据包括具有流ID的第一数据和缺少流ID的第二数据中的至少一个；非易失性存储器(NVM)设备，包括被配置为存储数据的至少一个非易失性存储器；以及LBA预测器，被配置为使用响应于与存储设备从主机接收的LBA值相关联的至少一个特征而操作的神经网络模型来提供用于第二数据的预测流ID，其中，使用所述流ID将第一数据存储在NVM设备中，并且使用预测流ID将第二数据存储在所述NVM设备中。

公开(公告)号：CN112420109A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010748789.4

申请日：2020-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允宑 ,  金灿河 ,  卢羌镐 ,  李熙元

IPC: G11C16/26

Abstract: 一种非易失性存储器设备包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括多个单元串，单元串中的至少一个包括在与基板的表面垂直的方向上堆叠的多个存储器单元，存储器单元中的至少一个是存储至少三个比特的多层级单元；以及控制逻辑电路，被配置为控制页缓冲器以利用一个读取电压来读取存储器单元的快速读取页以及存储器单元的至少两个正常读取页利用相同数量的读取电压来读取。

公开(公告)号：CN115083478A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210215803.3

申请日：2022-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁承俊 ,  卢羌镐

IPC: G11C16/04 ,  G06N20/00

Abstract: 公开了一种支持多流的存储设备的操作方法，其包括：从外部主机接收输入/输出请求；通过基于多个机器学习模型对所述输入/输出请求执行机器学习来生成多个候选流标识符，所述多个机器学习模型基于不同机器学习算法；基于所述输入/输出请求的特性生成模型比率；将所述模型比率应用于所述多个候选流标识符，以针对所述输入/输出请求分配最终流标识符；以及基于所述最终流标识符，将与所述输入/输出请求对应的写入数据存储在所述存储设备的非易失性存储器件中。

公开(公告)号：CN112395210A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202010534678.3

申请日：2020-06-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴玄敎 ,  宋镇百 ,  卢羌镐

IPC: G06F12/02 ,  G11C29/04

Abstract: 提供一种存储器系统和操作存储器系统的方法。所述存储器系统包括：存储器装置，包括多个块；缓冲器，存储关于所述多个块中的至少一个块的劣化信息；以及存储器控制器，被配置为响应于来自主机的读取请求基于劣化信息确定与读取请求对应的块的劣化水平，基于劣化水平对与读取请求对应的读取电平进行推断，并且基于读取电平从存储器装置读取数据。

公开(公告)号：CN109933541A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201811431719.5

申请日：2018-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金鼎勳 ,  李荣息 ,  卢羌镐

IPC: G06F12/02

Abstract: 一种非易失性存储器系统及其操作方法。为了操作包括非易失性存储器装置和存储器控制器的非易失性存储器系统，映射存储器被划分为多个映射存储区域，其中，所述映射存储器存储表示主机装置的逻辑地址与非易失性存储器装置的物理地址之间的映射关系的映射数据。提供表示所述多个映射存储区域中的每个映射存储区域中是否存储了映射数据的占用信息。基于所述占用信息，将用户数据存储在所述多个映射存储区域中的未存储映射数据的相应映射存储区域中。

公开(公告)号：CN101673581A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910205766.2

申请日：2009-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在修 ,  卢羌镐 ,  赵原熙 ,  沈昊俊 ,  崔永准 ,  许在训 ,  宋济赫 ,  赵承德 ,  金善择 ,  吴文旭 ,  朴钟泰 ,  朴赞益 ,  千源汶 ,  李洋燮

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C11/5628 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/7201 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3431 ,  G11C29/00 ,  G11C2211/5621 ,  Y02D10/13

Abstract: 提供一种带有处理器、主存储器和闪存的存储器系统。通过获得加速和高的数据可靠性可提高存储器系统的性能。存储器系统包括非易失性存储器设备和用于驱动控制程序来控制非易失性存储器设备的控制器。即使在对非易失性存储器设备的第一存取操作完成之前，控制程序也执行对于非易失性存储器设备的第二存取操作。