公开(公告)号：CN118785709A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410120775.6

申请日：2024-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李知玟 ,  成政泰 ,  沈善一 ,  张允瑄 ,  赵源锡 ,  崔茂林 ,  崔喆敃

IPC: H10B41/20 ,  H10B41/30 ,  H10B43/20 ,  H10B43/30

Abstract: 一种半导体器件包括栅电极结构、第一分割图案、第二分割图案和存储沟道结构。每个栅电极结构包括在衬底上沿与所述衬底的上表面基本上垂直的第一方向彼此间隔开的多个栅电极。每个栅电极沿与衬底的上表面基本上平行的第二方向延伸。栅电极结构在与上表面基本上平行并且与第二方向交叉的第三方向上彼此间隔开。第一分割图案在衬底上在栅电极结构之间沿所述第二方向延伸。第二分割图案在衬底上沿所述第三方向延伸，并且位于栅电极结构在第二方向上的端部的侧壁上。存储沟道结构沿第一方向延伸穿过每个栅电极结构。

公开(公告)号：CN112786095A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011228309.8

申请日：2020-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢羌镐 ,  李知玟 ,  金炳喜 ,  徐正旼 ,  梁承俊

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/16 ,  G11C16/34 ,  G06F3/06

Abstract: 一种存储设备包括：接口，从主机接收数据和对应的LBA，其中数据包括具有流ID的第一数据和缺少流ID的第二数据中的至少一个；非易失性存储器(NVM)设备，包括被配置为存储数据的至少一个非易失性存储器；以及LBA预测器，被配置为使用响应于与存储设备从主机接收的LBA值相关联的至少一个特征而操作的神经网络模型来提供用于第二数据的预测流ID，其中，使用所述流ID将第一数据存储在NVM设备中，并且使用预测流ID将第二数据存储在所述NVM设备中。