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公开(公告)号：CN101673581A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910205766.2
申请日：2009-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G06F12/0246 , G06F2212/7201 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/3418 , G11C16/3431 , G11C29/00 , G11C2211/5621 , Y02D10/13
Abstract: 提供一种带有处理器、主存储器和闪存的存储器系统。通过获得加速和高的数据可靠性可提高存储器系统的性能。存储器系统包括非易失性存储器设备和用于驱动控制程序来控制非易失性存储器设备的控制器。即使在对非易失性存储器设备的第一存取操作完成之前，控制程序也执行对于非易失性存储器设备的第二存取操作。
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公开(公告)号：CN101673581B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN200910205766.2
申请日：2009-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02
CPC classification number: G11C11/5628 , G06F12/0246 , G06F2212/7201 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/3418 , G11C16/3431 , G11C29/00 , G11C2211/5621 , Y02D10/13
Abstract: 提供一种带有处理器、主存储器和闪存的存储器系统。通过获得加速和高的数据可靠性可提高存储器系统的性能。存储器系统包括非易失性存储器设备和用于驱动控制程序来控制非易失性存储器设备的控制器。即使在对非易失性存储器设备的第一存取操作完成之前，控制程序也执行对于非易失性存储器设备的第二存取操作。
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公开(公告)号：CN113934367A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110790544.2
申请日：2021-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供了存储设备、用于操作存储设备的方法、以及存储系统。在一些实施例中，存储设备包括存储介质，并且该方法包括：由存储设备确定存储设备处于第一故障状态，其中通过对存储设备进行供电循环或者通过格式化存储介质从该第一故障状态的恢复是可能的；由存储设备确定存储设备处于第二故障状态，其中通过以降低的性能、以降低的容量或者以只读模式操作存储设备，从第二故障状态的部分恢复是可能的；以及以降低的性能、以降低的容量或者以只读模式操作存储设备。
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公开(公告)号：CN109522248A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201810882420.5
申请日：2018-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F13/16
CPC classification number: G06F12/0811 , G06F3/0611 , G06F3/0656 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F2212/1024 , G06F2212/2022 , G06F13/1673 , G06F13/161
Abstract: 一种被配置为控制非易失性存储设备的存储控制器的操作方法，包括：从外部接收命令；基于当前可用写缓冲器、先前可用写缓冲器以及参考值来计算延迟时间；以及基于延迟时间对命令进行处理。
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公开(公告)号：CN109471817A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201810919340.2
申请日：2018-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F13/16
Abstract: 储存设备包括非易失性存储器件；以及控制器，配置为：顺序地接收第一读取命令和第一写入命令，所述第一写入命令与第一写入数据相关联；对所述第一写入命令进行切分以产生多个子命令；对所述第一写入数据进行切分以产生多个子数据元素；以及交替地向所述非易失性存储器件发送所述第一读取命令中的至少一个读取命令、以及所述多个子命令中的一个子命令和所述多个子数据元素中的一个子数据元素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101030172A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710084340.7
申请日：2007-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/08
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/7203
Abstract: 一种用于编程包括闪存的存储系统的方法，包括：响应传统数据输入命令，顺序执行地址映射操作、地址输入操作、载入数据操作、和程序执行操作；或者响应新的数据输入命令，顺序执行载入数据操作、地址输入操作、和程序执行操作，并且在载入数据操作的同时进一步执行地址映射操作。
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公开(公告)号：CN109471817B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201810919340.2
申请日：2018-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F13/16
Abstract: 储存设备包括非易失性存储器件；以及控制器，配置为：顺序地接收第一读取命令和第一写入命令，所述第一写入命令与第一写入数据相关联；对所述第一写入命令进行切分以产生多个子命令；对所述第一写入数据进行切分以产生多个子数据元素；以及交替地向所述非易失性存储器件发送所述第一读取命令中的至少一个读取命令、以及所述多个子命令中的一个子命令和所述多个子数据元素中的一个子数据元素。
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公开(公告)号：CN102033785B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201010293364.5
申请日：2010-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3418 , G06F11/1048 , G11C2029/0411
Abstract: 操作电路以从至少一页中的多个存储单元中检测不稳定的存储单元。根据存储单元中存储的数据的初始状态来确定：以标准读电压读取数据时是否没有发生读错误，是否发生了读错误并且该读错误是可纠正的，以及是否发生了读错误并且该读错误是不可纠正的。响应于确定发生了可纠正的读错误，通过以具有不同于标准读电压的电压的纠正读电压读取存储单元中存储的数据，以及通过确定以纠正读电压读取的数据中发生的读错误是可纠正的还是不可纠正的，进一步确定存储单元是否是可纠正的。
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公开(公告)号：CN102033785A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010293364.5
申请日：2010-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3418 , G06F11/1048 , G11C2029/0411
Abstract: 操作电路以从至少一页中的多个存储单元中检测不稳定的存储单元。根据存储单元中存储的数据的初始状态来确定：以标准读电压读取数据时是否没有发生读错误，是否发生了读错误并且该读错误是可纠正的，以及是否发生了读错误并且该读错误是不可纠正的。响应于确定发生了可纠正的读错误，通过以具有不同于标准读电压的电压的纠正读电压读取存储单元中存储的数据，以及通过确定以纠正读电压读取的数据中发生的读错误是可纠正的还是不可纠正的，进一步确定存储单元是否是可纠正的。
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