公开(公告)号：CN111211080A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201910677365.0

申请日：2019-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镕祐 ,  卢泳辰 ,  崔明善 ,  许敏宁 ,  沈承辅 ,  李在学

IPC: H01L21/683 ,  H01J37/32

Abstract: 提供了静电吸盘和包括该静电吸盘的等离子体处理装置。所述静电吸盘包括：吸盘基座；上板，设置在吸盘基座上；以及内板，设置在吸盘基座和上板之间。内板的第一直径小于上板的第二直径。

公开(公告)号：CN110323117A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910211420.7

申请日：2019-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈承辅 ,  成德镛 ,  卢泳辰 ,  李镕祐 ,  任志洙 ,  姜泂模 ,  韩丙勳 ,  李天揆 ,  堀口将人

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种等离子体处理设备。所述等离子体处理设备包括：卡盘台，用于支撑晶圆并包括下电极；上电极，设置在卡盘台上；AC电源，将具有不同大小的频率的第一信号至第三信号施加到上电极或下电极；介电环，围绕卡盘台；边缘电极，位于介电环内；以及谐振电路，连接到边缘电极。谐振电路包括：滤波器电路，允许第一信号至第三信号之中的仅第三信号通过；以及串联谐振电路，与滤波器电路串联连接，并具有串联连接且接地的第一线圈和第一可变电容器。

公开(公告)号：CN109037096A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810542950.5

申请日：2018-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢泳辰 ,  姜南俊 ,  金应秀 ,  沈承辅 ,  李相昊

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种静电吸盘、等离子体处理装置以及制造半导体器件的方法。静电吸盘包括：吸盘基座，包括第一孔；第一板，位于所述吸盘基座上，其中所述第一板包括位于所述第一孔上的第二孔；第一套管，位于所述第一孔中；以及多孔区块，位于所述第一套管中，其中所述第一套管接触所述第一板且邻近所述多孔区块设置。