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公开(公告)号：CN112652346A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202010880062.1
申请日：2020-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储装置和控制存储装置的方法。所述存储装置包括：存储器；以及存储器控制器，将命令发送到存储器。存储器包括：至少一个存储器单元阵列；存储器温度传感器，测量存储器的温度；以及控制逻辑。控制逻辑响应于所述命令而输出忙碌信号，响应于所述命令从存储器温度传感器接收存储器的温度，并且基于接收的存储器的温度来确定是否对存储器单元阵列执行根据所述命令的命令操作。
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公开(公告)号：CN112086112B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202010439690.6
申请日：2020-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/04
Abstract: 一种操作包括多个非易失性存储器的存储设备的方法，多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器包括温度传感器，该方法包括：检查是否已经达到多个非易失性存储器的预定温度检查周期；响应于检查结果，使用温度传感器监控多个非易失性存储器中的至少一些非易失性存储器的温度信息；基于监控的温度信息，通过应用温度加速条件来获得多个非易失性存储器的待机时间信息；以及基于监控的温度信息和获得的待机时间信息中的至少一个，改变操作多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器所需的多个驱动参数中的至少一个驱动参数。
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公开(公告)号：CN117594106A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310910617.6
申请日：2023-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储装置和操作存储装置的方法。该存储装置包括：非易失性存储器，其用于存储数据；温度传感器，其具有根据温度传感器的温度而改变的电阻；以及温度测量电路，其包括多个晶体管，多个晶体管基于温度传感器的电流而导通或截止，并且具有彼此不同的阈值电压。温度测量电路可以被配置为向温度传感器施加电流，并且基于从多个晶体管获得的输出电流来产生指示温度传感器的温度或指示对温度传感器的损坏的信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117349076A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310413837.8
申请日：2023-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种被配置为与主机和非易失性存储器装置通信的存储控制器的操作方法以及存储控制器。该方法可以包括：通过对非易失性存储器装置的目标超级块的第一类型错误位的数量进行计数来产生错误计数；确定错误计数是否超过第一参考值；基于确定错误计数超过第一参考值，从非易失性存储器装置的锁存单元提取设置数据；确定设置表的参考设置数据是否与提取的设置数据匹配，参考设置数据指示关于非易失性存储器装置的设计的操作环境的信息；以及基于确定参考设置数据与提取的设置数据不匹配，将复位请求提供给锁存单元。
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公开(公告)号：CN116230033A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211539848.2
申请日：2022-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/04
Abstract: 存储设备包括非易失性存储器，每个非易失性存储器包括内部温度传感器；存储器控制器，被配置为具有为不同温度定义的多个操作命令和外部温度传感器。存储器控制器在第一频率中从外部温度传感器获得外部温度值，在不同于第一频率的第二频率中获得内部温度传感器的内部温度值，当外部温度值和内部温度值之间的差异等于或小于第一阈值时，基于外部温度值确定目标非易失性存储器的温度范围，当差异超过第一阈值时，基于内部温度值确定温度范围，并向目标非易失性存储器提供对应于温度范围的操作命令。
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公开(公告)号：CN114446362A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111230654.X
申请日：2021-10-22
Applicant: 三星电子株式会社 , 高丽大学校产学协力团
Abstract: 本发明公开了一种包括非易失性存储器装置和存储器控制器的存储装置，并且该存储装置的操作方法包括：在存储器控制器处将第一读取命令和第一偏移信息发送到非易失性存储器装置；在非易失性存储器装置处基于第一读取命令和第一偏移信息来执行第一读取操作；在非易失性存储器装置处将第一读取操作的结果作为第一数据发送到存储器控制器；在存储器控制器处将第二读取命令、读取电压电平和第二偏移信息发送到非易失性存储器装置；在非易失性存储器装置处基于第二读取命令、读取电压电平和第二偏移信息来执行第二读取操作；以及在非易失性存储器装置处将第二读取操作的结果作为第二数据发送到存储器控制器。
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公开(公告)号：CN112086112A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010439690.6
申请日：2020-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/04
Abstract: 一种操作包括多个非易失性存储器的存储设备的方法，多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器包括温度传感器，该方法包括：检查是否已经达到多个非易失性存储器的预定温度检查周期；响应于检查结果，使用温度传感器监控多个非易失性存储器中的至少一些非易失性存储器的温度信息；基于监控的温度信息，通过应用温度加速条件来获得多个非易失性存储器的待机时间信息；以及基于监控的温度信息和获得的待机时间信息中的至少一个，改变操作多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器所需的多个驱动参数中的至少一个驱动参数。
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公开(公告)号：CN112086111A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010528328.6
申请日：2020-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本文提供了非易失性存储器设备及其编程方法。所述非易失性存储器设备包括存储单元阵列，该存储单元阵列包括具有第一字线的多条字线和连接到所述第一字线的多个存储单元。所述多个存储单元包括多个监视单元和多个数据单元，每个数据单元被配置为存储N位数据，N为自然数。所述非易失性存储器设备被配置为对所述多个数据单元执行第一编程，并且在执行所述第一编程之后，对所述一个或多个监视单元执行与所述第一编程不同的检测编程。
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