公开(公告)号：CN111161777A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN201910958577.6

申请日：2019-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大镇 ,  朴相龙 ,  白种南 ,  张世正

IPC: G11C16/08

Abstract: 公开一种非易失性存储器装置、对其执行操作的方法以及存储装置。一种非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器块，其中，所述多个存储器块中的每个存储器块包括均包括存储器单元的页；行解码器电路，在写入操作中从所述多个存储器块中的选择的存储器块选择所述多个页中的一个页，并且在关闭操作中从选择的存储器块选择关闭单元的存储器单元；以及页缓冲器电路，在写入操作中将数据写入由行解码器电路选择的页的存储器单元中，并且在关闭操作中将虚设数据写入由行解码器电路选择的关闭单元的存储器单元中。关闭单元包括一个或多个页，在关闭操作中，行解码器电路调节关闭单元的大小。

公开(公告)号：CN111199764B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN201911132167.2

申请日：2019-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相龙

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/12 ,  G11C16/26 ,  G11C29/42 ,  G11C5/14 ,  G11C7/10

Abstract: 提供了存储设备及其操作方法。一种存储器控制器，其包括纠错码(ECC)模块，所述纠错码模块用于基于从用于执行片上谷搜索(OVS)读取操作的非易失性存储器设备接收的读取数据执行ECC解码。读取电压修改模块接收表示在所述非易失性存储器设备中包括的多个锁存器中锁存所述读取数据的锁存器的状态位，并且在成功执行所述ECC解码时基于所述状态位来确定是否改变读取电压，所述多个锁存器存储所述OVS读取操作的结果值。

公开(公告)号：CN112652346A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202010880062.1

申请日：2020-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相龙 ,  李秀雄 ,  千允洙

IPC: G11C16/30 ,  G01K1/14 ,  G01K1/02

Abstract: 提供了一种存储装置和控制存储装置的方法。所述存储装置包括：存储器；以及存储器控制器，将命令发送到存储器。存储器包括：至少一个存储器单元阵列；存储器温度传感器，测量存储器的温度；以及控制逻辑。控制逻辑响应于所述命令而输出忙碌信号，响应于所述命令从存储器温度传感器接收存储器的温度，并且基于接收的存储器的温度来确定是否对存储器单元阵列执行根据所述命令的命令操作。

公开(公告)号：CN111199764A

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201911132167.2

申请日：2019-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相龙

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/12 ,  G11C16/26 ,  G11C29/42 ,  G11C5/14 ,  G11C7/10

Abstract: 提供了存储设备及其操作方法。一种存储器控制器，其包括纠错码(ECC)模块，所述纠错码模块用于基于从用于执行片上谷搜索(OVS)读取操作的非易失性存储器设备接收的读取数据执行ECC解码。读取电压修改模块接收表示在所述非易失性存储器设备中包括的多个锁存器中锁存所述读取数据的锁存器的状态位，并且在成功执行所述ECC解码时基于所述状态位来确定是否改变读取电压，所述多个锁存器存储所述OVS读取操作的结果值。