公开(公告)号：CN105271280A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510137816.3

申请日：2015-03-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁度源 ,  朴喜正 ,  孙仑喆 ,  李宇镇 ,  金相壹 ,  崔在荣

IPC: C01B35/04

CPC classification number: C01B35/04 ,  C01P2004/24 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/60 ,  H01B1/06

Abstract: 本发明提供导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1表示并且具有层状晶体结构的化合物，其中，Me为Au、Al、Ag、Mg、Ta、Nb、Y、W、V、Mo、Sc、Cr、Mn、Os、Tc、Ru、Fe、Zr、或Ti。化学式1：MeB2。

公开(公告)号：CN113963951A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202110155931.9

申请日：2021-02-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑太远 ,  朴贤哲 ,  梁大珍 ,  丁度源 ,  赵奇迎

IPC: H01G4/232 ,  H01G4/30 ,  H01L27/11507

Abstract: 提供介电材料、其制备方法、包括其的器件、和存储器单元，所述介电材料包括由式1表示的化合物，其中，在式1中，M为第2族元素，A为三价元素，以及0

公开(公告)号：CN107025951B

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201610851003.5

申请日：2016-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  卢钟旭 ,  李宇镇 ,  李钟敏 ,  丁度源 ,  黄成宇 ,  郭灿

IPC: H01B5/00 ,  H01B5/14 ,  H01B1/08 ,  H01B1/02 ,  H01B13/00

Abstract: 公开电导体、其制造方法、和包括其的电子器件。所述电导体包括包含多个钌氧化物纳米片的第一导电层，其中所述多个钌氧化物纳米片的至少两个钌氧化物纳米片彼此接触以提供电连接并且所述多个钌氧化物纳米片的至少一个在其表面上包括多个金属簇。

公开(公告)号：CN105280264B

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201510277947.1

申请日：2015-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄成宇 ,  文庚奭 ,  曹永真 ,  孙崙喆 ,  李气汶 ,  丁度源

IPC: H01B1/02

Abstract: 本发明公开导电材料、透明膜、电子器件和制备导电材料的方法。所述导电材料包括：选自过渡金属、铂族元素、稀土元素、及其组合的第一元素；具有比所述第一元素的原子半径小10％至比所述第一元素的原子半径大10％的原子半径的第二元素；和硫属元素，其中所述导电材料具有层状晶体结构。

公开(公告)号：CN108695073A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810269346.X

申请日：2018-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁度源 ,  卢钟旭 ,  梁大珍 ,  郭灿 ,  金亨俊 ,  李宇镇

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/06 ,  H01G4/14

CPC classification number: H01G4/1281 ,  C01G33/006 ,  C01P2002/08 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/78 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/47 ,  C04B35/472 ,  C04B35/491 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C07C211/01 ,  C07C211/63 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/14 ,  H01G4/232 ,  H01G4/242 ,  H01G4/30 ,  H01G4/33 ,  H01G4/06

Abstract: 二维钙钛矿材料、包括其的介电材料和多层电容器。所述二维钙钛矿材料包括：包括层叠的具有正电荷的第一层和具有负电荷的第二层的层状金属氧化物、从所述层状金属氧化物剥落的单层纳米片、多个所述单层纳米片的纳米片层叠体、或其组合，其中所述二维钙钛矿材料以大于或等于约80体积％的量包括具有二维晶体结构的第一相，基于100体积％的所述二维钙钛矿材料，和所述二维钙钛矿材料由化学式1表示。