公开(公告)号：CN100517729C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200610008848.4

申请日：2001-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪完植 ,  崔埈厚 ,  金湘甲 ,  郑宽旭 ,  丁奎夏

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F2001/133357 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2202/42 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765

Abstract: 一种薄膜晶体管衬底，其包括一绝缘衬底、一形成于该衬底上的栅极线组件、和一数据线组件，该数据线组件横越栅极线组件并与栅极线组件绝缘。薄膜晶体管连接到栅极线组件和数据线组件。在薄膜晶体管上由a-Si:C:O或a-Si:O:F形成一钝化层。通过PECVD法沉积该基于a-Si:C:O或a-Si:O:F的层。像素电极被形成在钝化层上并与薄膜晶体管连接。在这个结构中，在提高开幅比和减少工序时间的同时，寄生电容的问题得到解决。

公开(公告)号：CN100495181C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN01821646.3

申请日：2001-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪完植 ,  崔埈厚 ,  金湘甲 ,  郑宽旭 ,  丁奎夏

IPC: G02F1/1362 ,  H01L21/336 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F2001/133357 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2202/42 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765

Abstract: 一种薄膜晶体管衬底，其包括一绝缘衬底、一形成于该衬底上的栅极线组件、和一数据线组件，该数据线组件横越栅极线组件并与栅极线组件绝缘。薄膜晶体管连接到栅极线组件和数据线组件。在薄膜晶体管上由a-Si:C:O或a-Si:O:F形成一钝化层。通过PECVD法沉积该基于a-Si:C:O或a-Si:O:F的层。像素电极被形成在钝化层上并与薄膜晶体管连接。在这个结构中，在提高开幅比和减少工序时间的同时，寄生电容的问题得到解决。

公开(公告)号：CN101241972A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810008815.9

申请日：2008-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河在国 ,  丁奎夏 ,  秋昌雄 ,  李周炫

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/52 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/5012 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5008 ,  H01L51/5036 ,  H01L51/5052

Abstract: 一种显示装置，包括：第一电极；第二电极；发射材料层，置于第一电极和第二电极之间，发射材料层掺杂有电荷传输材料，其掺杂的电荷传输材料的含量沿着厚度方向变化，并且所述发射材料层包括依次堆叠的多个子层。

公开(公告)号：CN1625799A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN02828976.5

申请日：2002-07-16

Applicant: 三星电子株式会社 ,  陶氏康宁公司

Inventor： 梁成勋 ,  格伦·塞尔尼A ,  丁奎夏 ,  黄秉槿 ,  洪完植

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31633 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种用于汽相淀积低介电绝缘层的方法，更具体地，涉及一种可显著改善汽相淀积速度同时保持低介电绝缘层性能的用于汽相淀积低介电绝缘层的方法，从而解决寄生电容问题以获得高开口率结构，而当通过CVD或PECVD法汽相淀积绝缘层以形成用于半导体装置的保护层时，利用硅烷气体可以缩短加工时间。

公开(公告)号：CN101051441B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200710090351.6

申请日：2007-04-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 昆贾尔·帕里克 ,  丁奎夏 ,  金南德 ,  崔凡洛 ,  高俊哲 ,  崔埈厚

IPC: G09G3/32 ,  G09G3/20

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G3/3266 ,  G09G2300/043 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0254 ,  G09G2310/0283 ,  G09G2320/0261 ,  G09G2320/043 ,  G09G2320/048

Abstract: 一种显示装置及其驱动方法，其中，该显示装置包括：发光元件以及用于将驱动电流提供至发光元件的驱动晶体管，其中，以交替的方式将数据电压或反向偏压中的一个施加至驱动晶体管，并且反向偏压是AC电压。

公开(公告)号：CN101241972B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200810008815.9

申请日：2008-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河在国 ,  丁奎夏 ,  秋昌雄 ,  李周炫

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/52 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/5012 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5008 ,  H01L51/5036 ,  H01L51/5052

Abstract: 一种显示装置，包括：第一电极；第二电极；发射材料层，置于第一电极和第二电极之间，发射材料层掺杂有电荷传输材料，其掺杂的电荷传输材料的含量沿着厚度方向变化，并且所述发射材料层包括依次堆叠的多个子层。

公开(公告)号：CN100547824C

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200510121640.9

申请日：2005-12-20

Applicant: 三星电子株式会社 ,  财团法人索尔大学校产学协力财团

Inventor： 李容旭 ,  丁奎夏 ,  洪雯杓 ,  尹都宁 ,  洪钟仁 ,  金吉亚

IPC: H01L51/30 ,  H01L29/51 ,  H01L27/28 ,  H01L27/12 ,  H01B3/18 ,  C08L65/00 ,  C08L71/00 ,  C07H3/06

CPC classification number: H01L21/02118 ,  C08B37/0006 ,  H01L21/312 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/052

Abstract: 本发明公开一种绝缘膜，包含它的薄膜晶体管阵列面板及其制备方法。根据本发明实施方案的绝缘膜具有化学式1，式中R彼此相同或不同并具有化学式2，m是整数。

公开(公告)号：CN1319125C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN02828976.5

申请日：2002-07-16

Applicant: 三星电子株式会社 ,  陶氏康宁公司

Inventor： 梁成勋 ,  格伦·塞尔尼A ,  丁奎夏 ,  黄秉槿 ,  洪完植

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31633 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种用于汽相淀积低介电绝缘层的方法，更具体地，涉及一种可显著改善汽相淀积速度同时保持低介电绝缘层性能的用于汽相淀积低介电绝缘层的方法，从而解决寄生电容问题以获得高开口率结构，而当通过CVD或PECVD法汽相淀积绝缘层以形成用于半导体装置的保护层时，利用硅烷气体可以缩短加工时间。

公开(公告)号：CN1828911A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610008848.4

申请日：2001-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪完植 ,  崔埈厚 ,  金湘甲 ,  郑宽旭 ,  丁奎夏

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F2001/133357 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2202/42 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765

Abstract: 一种薄膜晶体管衬底，其包括一绝缘衬底、一形成于该衬底上的栅极线组件、和一数据线组件，该数据线组件横越栅极线组件并与栅极线组件绝缘。薄膜晶体管连接到栅极线组件和数据线组件。在薄膜晶体管上由a－Si:C:O或a－Si:O:F形成一钝化层。通过PECVD法沉积该基于a－Si:C:O或a－Si:O:F的层。像素电极被形成在钝化层上并与薄膜晶体管连接。在这个结构中，在提高开幅比和减少工序时间的同时，寄生电容的问题得到解决。

公开(公告)号：CN1817645A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200510134155.5

申请日：2005-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑镇九 ,  丁奎夏 ,  崔埈厚

IPC: B41J2/01 ,  B41J2/135 ,  B41J2/145 ,  B41J2/07 ,  B41J2/04 ,  G02B5/20 ,  G02F1/1335 ,  H01L21/02 ,  H01L51/56

CPC classification number: G02F1/133516 ,  G02F1/1303 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/56

Abstract: 一种液滴喷射装置包括第一喷射单元、第二喷射单元和传输单元。第一喷射单元包括第一喷嘴，多个第一液滴通过所述第一喷嘴间歇地喷射到衬底上。第二喷射单元包括第二喷嘴，多个第二液滴通过所述第二喷嘴沿着通过第一喷嘴的轨迹所限定的路径喷射到衬底上。传输单元连接到第一和第二喷射单元以沿着所述路径传输第一和第二喷射单元。因此，提高了显示装置的图像显示质量。