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公开(公告)号：CN118335866A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410259932.1
申请日：2024-03-07
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明公开了一种含有V形坑的氮化镓基发光二极管。通过对氮化镓基发光二极管中螺位错与刃位错进行选择性生长，使刃位错形成的V形坑被合并，螺位错形成的V形坑保持大尺寸，解决了空穴注入刃位错形成的V形坑时导致的非辐射复合以及漏电问题。本发明不仅提高了发光二极管的效率，而且减小了漏电。相比现有技术，本发明的氮化镓基发光二极管具有更高的效率与可靠性。
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公开(公告)号：CN118223118A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410214618.1
申请日：2024-02-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明公开了一种量产型类分子束外延设备的加热系统，包括：样品台装置、加热元件、热辐射防护组件、冷却装置；其中，样品台装置包括样品台旋转装置、连接杆、托盘、载片架；热辐射防护组件包括上隔热基板、反射罩、反射板、下隔热板、侧隔热筒。本发明提供的加热系统将加热元件环形排布在托盘上方两侧，加热元件为红外线辐射加热器，托盘为透明石英材质，该种排布方式加热元件与托盘距离最小可缩短至1cm且加热元件直接通过热辐射对衬底进行加热，极大减少热量因传播距离产生的损耗，提高了衬底最高可达温度。本发明解决了目前量产型类分子束外延设备加热系统热量耗散大、不能提供生长高质量InN、InGaN外延工艺所需的高温环境问题。
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公开(公告)号：CN118042672A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410437484.X
申请日：2024-04-12
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H05B45/30 , H05B45/20 , H05B45/345 , H05B45/56 , H05B47/165
Abstract: 本发明公开了一种多基色LED无粉光源的配光装置及配光方法，该装置包括系统控制单元、混光单元、光谱采集单元、温度控制单元、驱动单元，混光单元中布置了光谱探头、热沉以及置于热沉上的多基色LED无粉光源；其中，温度控制单元接收到系统控制单元发送的温度设置指令改变热沉的温度，从而改变多基色LED无粉光源基板的温度，驱动单元在接收到系统控制单元发送的各路电流设置指令改变多基色LED无粉光源的每路电流大小，光谱采集单元与光谱探头电信连接，以在某个温度和电流组合下点亮多基色LED无粉光源后，获取光谱探头采集到的多基色LED无粉光源发出的光色数据。本发明中解决了现有技术中配光不准确的问题。
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公开(公告)号：CN117878224A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410277238.2
申请日：2024-03-12
Applicant: 南昌实验室
Abstract: 本发明涉及发光二极管，具体涉及LED封装结构、封装方法和无荧光粉的LED。在本发明中，采用具有顶部球面和侧方平面的高折射率的封装胶层进行封装，能够增大顶部球面的直径，解决LED芯片光线出射过程中的全反射问题，提高一次光提取效率；利用高反射率反射层，减少光吸收，提高二次光提取效率；集成齐纳二极管，实现LED封装稳压和防静电击穿。
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公开(公告)号：CN117832058A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311774116.6
申请日：2023-12-22
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明公开了一种硅衬底上低温沉积氮化物薄膜的方法：采用化学法对单晶硅衬底进行预清洗及钝化：将硅衬底放入预先烘烤的真空腔室内，通入气体，利用真空腔室内的射频等离子体源对气体进行离化生成等离子体，等离子体对硅衬底进行物理和化学刻蚀；通入氮源气体，通过射频等离子体源将氮源气体激发为氮等离子体，氮等离子体与硅衬底进行预结合；启动真空腔室内的金属束源炉，将金属原子束流直接喷射到处理后获得的硅衬底上，金属原子束流在硅衬底表面与氮等离子体发生反应；硅衬底旋转周期性地依次通过束源炉和射频等离子体源上方，进行低温氮化物薄膜的逐层沉积。通过精确控制各工艺参数，获得的氮化物薄膜表面平整、无孔洞或突起缺陷，实现了原子级平整度氮化物薄膜的低温生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117352602A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311191810.5
申请日：2023-09-15
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片键合方法及LED芯片，其中，所述LED芯片键合方法包括：提供发光二极管外延片，所述外延片上顺次形成反射镜层、第一粘结金属层、第一阻挡金属层及第一键合层；提供支撑基板，所述基板上顺次形成第二粘结金属层、第二阻挡金属层及第二键合层；将所述外延片与基板键合在一起，形成第三键合层；其中，第一键合层和第二键合层为高熔点金属层Cu与低熔点金属层In组成的周期性结构，使得键合反应快速而充分地进行；所述低熔点金属层的表面为键合时的贴合面。该方法通过采用Cu‑In固液互扩散键合工艺来键合LED外延片和基板，避免了贵金属Au的使用，从而降低了LED芯片制造成本。
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公开(公告)号：CN119923033A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411897170.4
申请日：2024-12-23
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种带静电保护功能的LED芯片及其制备方法，包括以下步骤：在衬底上生长外延层，所述外延层从下至上包括依次层叠的N型半导体层、活性层和P型半导体层；在外延层上刻蚀出通孔，暴露出N型半导体层；制备介质层、反射层、晶圆键合阻挡层和晶圆键合粘结层，将晶圆键合粘结层与基板上的晶圆键合粘结层共晶键合；去除衬底；肖特基电极保护光刻；制备去边层，并光刻外延层形成沟道；制备钝化层，制备肖特基电极；图形化钝化层和去边层，制备N面电极。本发明通过在LED芯片的焊盘下方设置肖特基二极管，在不牺牲光功率的前提下，提高LED的抗静电放电能力。
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公开(公告)号：CN119630132A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411495607.1
申请日：2024-10-25
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H10H20/01 , H10H20/812 , H10H20/825
Abstract: 本发明公开了一种对P型GaN干法刻蚀损伤修复的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供用于外延生长的衬底；在所述衬底上形成外延结构，所述外延结构包括P型GaN层和N型GaN层；干法刻蚀所述外延结构至暴露所述P型GaN层；去除特定深度的P型GaN层；激活所述P型GaN。使用低直流偏压的刻蚀程序刻蚀至暴露P型GaN层，使用无损伤或微损伤的方式去除P型GaN层的表面损伤层，再高温退火才能达到激活的效果，最终达到P型GaN干法刻蚀损伤修复的目的，从而推进新型结构半导体器件的制备。
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公开(公告)号：CN118582715A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202411016230.7
申请日：2024-07-27
Applicant: 南昌实验室
IPC: F21V23/00 , F21V23/04 , F21S43/14 , F21S43/145 , F21S43/13 , F21S43/20 , F21W103/60 , F21W107/10 , F21W107/17 , F21Y115/10 , F21Y115/15 , F21Y115/30
Abstract: 本发明涉及车灯技术领域，尤其是涉及一种动态车用投影灯。其中包括投影灯镜筒具有窄口部和连接部；投影透镜组；图形字符化光源包括至少一个定义符号的A光源组件和/或至少一个B图形光源组件进行组合，通过PCB电路板控制所述图形字符化光源上A光源组件的点亮和熄灭和/或控制图形字符化光源上B图形光源组件的循序点亮和熄灭，以形成动态的图像，动态图像通过投影透镜组投影至路面或其它投影面上。本发明取消了复杂的多光路投影结构、机械旋转投影结构以及菲林片的使用，采用图形、字符化光源直接投影成像，应用于车用投影灯具有很高的光效，与此同时，本发明的灯具，结构简单，灯具体积和重量小，易于装配，成本较低。
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公开(公告)号：CN118299474A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410440180.9
申请日：2024-04-12
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明公开了一种无粉LED封装方法及其封装结构，是在采用点胶工艺制备无粉LED塑料支架封装灯珠的过程中，引入本体顶部带有特定凸台结构的封装塑料支架，实现无粉LED塑料支架大高宽比球帽透镜形貌，并引入通过电场作用诱导电晕放电的离子风作用，实现点胶工艺过程中稳定、一致的点胶量，最终得到具有理想高宽比的球帽透镜结构，保证无粉LED塑料支架封装成品的高光提取效率。本发明技术方案具有工艺简单、稳定可控和成本低的优点。
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