-
公开(公告)号：CN101930927B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201010260824.4
申请日：2010-08-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/318
Abstract: 本发明属于半导体芯片技术领域，具体为一种自对准的U型沟槽制造方法。包括：以氧化硅为掩膜刻蚀半导体衬底；形成氮化硅侧墙；在暴露的半导体衬底上生长氧化硅；剥除氮化硅侧墙；以氧化硅为掩膜刻蚀暴露出的半导体衬底形成器件的U型沟槽。本发明采用自对准的技术来制造U形沟槽，可以降低图形的对准失配，提高产品的制造良率，特别适用于隧穿晶体管的制造。
-
公开(公告)号：CN101719517B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200910199045.5
申请日：2009-11-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/812 , H01L21/338 , H01L27/095
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种肖特基隧穿晶体管及其制备方法，该晶体管包括一个半导体衬底、一个源极、一个漏极、一个栅极、一个肖特基结(金属半导体结)和位于所述源极和漏极区域的金属层。所述的肖特基隧穿晶体管用栅极控制反向偏置的肖特基结的带间隧穿电流，该肖特基结一端为源极，另外一端为漏极。本发明提出的肖特基隧穿晶体管制造工艺简单，源极和漏极的形成和栅极自对准。和传统的P-N结隧穿晶体管相比，本发明提出的肖特基隧穿晶体管具有更小的源漏串联电阻以及更好的可缩微性。因而大大提高了半导器件的性能。
-
公开(公告)号：CN102231391A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201110177230.1
申请日：2011-06-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于量子效应器件技术领域，具体涉及一种基于金属-绝缘体-半导体（MIS）结构的量子效应器件。本发明包括：一个半导体衬底，位于半导体衬底之上的源极、漏极、隧穿绝缘体层、金属层；所述的金属层、隧穿绝缘体层与半导体衬底构成一个MIS结构；还包括：位于所述MIS结构一侧的栅极以及位于所述MIS结构与所述栅极之间的栅绝缘体层。本发明将量子隧穿效应和一种栅控二极管结合在一起，采用平台工艺制作出基于量子隧穿效应的栅控金属绝缘体半导体二极管。通过对量子效应器件施加合适的偏压，可以控制其隧穿效率，将漏电流减小到远远小于普通二极管的程度,降低了芯片功耗。
-
公开(公告)号：CN102222763A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110148588.1
申请日：2011-06-03
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/55 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1616
Abstract: 本发明属于不挥发存储器技术领域，具体为一种采用电场增强层的阻变存储器结构及其制备方法。本发明的阻变存储器包括顶电极、底电极以及位于所述顶电极与所述底电极之间的由第一层电阻转变层和第二层电阻转变层兼电场增强层组成的叠层；第二层电阻转变层兼电场增强层和第一层电阻转变层相邻，并具有比所述第一层电阻转变层低的介电常数。本发明选用不同介电常数的阻变功能材料组成叠层结构来调节阻变存储结构单元中的电场分布，进而通过控制阻变存储器器件结构中的电场分布来实现阻变存储器在阻变过程中所形成的导电通道结构和数量上的控制。本发明的阻变存储器性能稳定可控。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102094190A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010556701.5
申请日：2010-11-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种镧基高介电常数薄膜材料及其制备方法。采用原子层淀积工艺，以双氧水作为原子层淀积工艺所需的氧化反应前躯体，有效克服了以水作为氧化反应前躯体氧化能力弱而导致反应不易进行的缺陷，此方法可以制备高质量的镧基高介电常数薄膜，并且易于采用混合薄膜生长技术来优化调节薄膜特性，从而克服纯二元氧化镧薄膜在热稳定性以及易吸水性上的不足。
-
公开(公告)号：CN101441913B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200810207747.9
申请日：2008-12-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01C7/12
Abstract: 本发明属于电子器件技术领域，具体涉及一种用于过电压保护的电阻开关器件。这种电阻开关器件的结构依次为：铝底电极、氧化铝层、自组装有机分子层、以及金属顶电极。其中的金属顶电极采用铜或铝；用于制备自组装有机分子层的有机材料为2，5-二巯基-1，3，4-噻二唑。在外加电压作用下，这种器件具有非常稳定的阈值电压，器件之间的性能一致性非常好，可作为高性能的过电压保护器使用。这种高稳定性的电阻开关器件还可以用作一次写入多次读取的电存储器件。
-
公开(公告)号：CN102005536A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010508181.0
申请日：2010-10-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/146 , G11C13/0007 , H01L45/06 , H01L45/16
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种改进的NiO基电阻式随机存储器及其制备方法。该存储器单元包括衬底和金属-绝缘体-金属结构，其顶电极为铜、铝等可用于互连工艺中的金属薄膜，阻变绝缘体为Al2O3/NiO/Al2O3三种介质的纳米叠层结构介质薄膜。本发明中的MIM结构，在直流电压连续扫描激励下，表现出稳定的双电阻态转变和记忆特性，与只采用NiO一种介质的单一介质层结构介质薄膜的电阻式随机存储器存储单元相比，存储窗口增大，阻值稳定性得到提高。在NiO材料电阻式随机存储器的实际应用中有良好前景。本发明还进一步提供了上述存储单元的制备方法。
-
公开(公告)号：CN102005390A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010511472.5
申请日：2010-10-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/465
CPC classification number: H01L21/28255
Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域，具体公开了一种锗的表面钝化方法。采用硫代乙酰胺（CH3CSNH2）溶液钝化锗（Ge）片，可以清除Ge片表面的自然氧化物，并且能够生成均匀致密的GeSx钝化层，防止Ge片表面的再次氧化，消除费米能级钉扎。在钝化后的Ge片上，采用原子层淀积方法淀积一层高质量的Al2O3薄膜来防止Ge片表面的再次氧化，可以获得优良的Al2O3/Ge界面。
-
公开(公告)号：CN102005380A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010503879.3
申请日：2010-10-12
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/285
Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域，具体公开了一种采用原子层淀积AlN/高k栅介质双层结构的方法。其步骤包括将清洗后的半导体衬底装入ALD反应腔；采用原子层淀积的方法淀积AlN钝化层；继续在ALD反应腔中淀积高k栅介质层。AlN是一种宽禁带、高介电常数半导体材料，采用原子层淀积的方法可以淀积高质量、厚度可以精确控制到埃的数量级的AlN钝化层和高k栅介质。AlN钝化层可以阻挡高k栅介质和衬底材料的扩散和反应，防止衬底表面生长自然氧化物，同时，AlN钝化层的热稳定性好，可以提高栅介质的结晶温度，减小栅极泄漏电流，从而可以提高MOS器件的性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
239
records
(took 0.021 seconds)
