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公开(公告)号：CN109830579B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201811624899.9
申请日：2018-12-28
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及照明、显示和光通信领域，尤其涉及一种悬空绿光LED单片集成装置及其制备方法。所述悬空绿光LED单片集成装置包括衬底、位于所述衬底表面的AlN缓冲层、以及位于所述AlN缓冲层表面的至少一器件结构；所述器件结构包括沿垂直于所述衬底的方向依次叠置的AlN缓冲层、N型GaN层、InGaN/GaN超晶格准备层、多量子阱层、P型AlGaN层、第一P型GaN层、P型AlGaN/InGaN超晶格层、第二P型GaN层；所述衬底中具有一贯穿所述衬底的空腔，所述器件结构悬于所述空腔上方。本发明提高的发光二极管的出光效率，在照明、显示和光通信领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN109524516B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811155821.7
申请日：2018-09-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于机械剥离的可转移逻辑芯片及其制备方法，该逻辑芯片包括多对p‑n结量子阱，以及连接p‑n结量子阱之间的悬空GaN波导。该多对p‑n结量子阱之间能实现逻辑与运算和逻辑或运算。该p‑n结量子阱既可以对外发送光信号，也可探测空间中的光信号，并且可即在发光的同时也能探测空间中的光信号，实现全双工通信。本发明采用传统的半导体加工工艺首次实现了可转移的逻辑薄膜芯片，该器件剥离后，转移到柔性载体上，可用于通信、照明、智能显示、逻辑运算以及传感等领域。
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公开(公告)号：CN110113110A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910260498.8
申请日：2019-04-02
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H04B13/02 , H04B10/116 , H04B10/40
Abstract: 本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种水下可见光通信装置。所述水下可见光通信装置包括：收发模块，包括光电探测器，所述光电探测器用于接收来自外界的第一光信号并将其转换为电信号；处理模块，包括跨阻放大器和滞回比较器；所述跨阻放大器连接所述光电探测器，用于对所述电信号进行放大；所述滞回比较器连接所述跨阻放大器，用于对放大后的所述电信号进行整形，以输出数字信号。本发明实现了水下可见光的高灵敏度通信。
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公开(公告)号：CN109888611A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910206657.6
申请日：2019-03-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种电驱动纳米梁结构的氮化物微激光器及其制备方法，激光器以硅基氮化物晶片为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、量子肼层、p型氮化镓层、设置在所述p型氮化镓层上的p型电极、设置在所述n型氮化镓层边缘的n型电极，硅衬底层内部镂空，仅保留侧壁和底面，形成一个位于u型氮化镓层下方的空腔。本发明在硅衬底上的氮化物材料，利用光刻刻蚀工艺和ICP刻蚀工艺制备纳米梁结构的氮化物微腔，在正向偏压下，获得紫外光波段的激光。
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公开(公告)号：CN109860354A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811624876.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及信息材料与器件技术领域，尤其涉及一种同质集成红外光子芯片及其制备方法。所述同质集成红外光子芯片包括衬底层以及均位于所述衬底层表面的器件结构和波导结构；所述器件结构包括沿垂直于所述衬底层的方向依次叠置的下接触层、量子阱层和上接触层，且所述衬底层、所述下接触层、所述量子阱层与所述上接触层的材料均为Ⅲ-Ⅴ族材料；所述波导结构包括采用Ⅲ-Ⅴ族材料制造而成的波导层，所述波导层与所述下接触层同层设置。本发明实现了红外波段的非可见光在片内的传输，降低了红外光通信器件的制造难度及制造成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109462145A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811500232.8
申请日：2018-12-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种集成谐振光栅微腔的GaN基悬空波导激光器及制备方法，该激光器包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的p-n结量子阱器件与光波导，所述光波导一端与p-n结量子阱器件相连，另一端集成有谐振光栅微腔结构。本发明实现的电泵浦硅衬底GaN基悬空波导激光器，可以通过调控微腔结构，实现波长可调的GaN基悬空波导激光器。本发明提出的集成谐振光栅微腔的GaN基悬空波导激光器可用于可见光通信、显示及传感领域。
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公开(公告)号：CN106785899B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201611181916.7
申请日：2016-12-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种单方向发射的氮化物锁模回音壁微激光器及其制备方法，在硅衬底上的氮化物材料，利用光刻工艺和硅刻蚀工艺制备悬空非对称环形薄膜微腔，该微腔的水平横截面形状是“圆环+锥角+缺口”，在微腔缺口中修饰金纳米棒作为半导体饱和吸收体，在光泵浦条件下，金纳米棒对微腔中的激光进行选模调制，最终实现单方向发射的氮化物锁模回音壁模激光。
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公开(公告)号：CN108333679A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810144374.9
申请日：2018-02-11
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种面向蓝光可见光通信的硅基GaN系光子芯片及制备方法，实现载体为带有低折射率包层的硅衬底氮化物晶片，硅衬底氮化物晶片包括硅衬底层和位于硅衬底层上方的带有低折射率包层的顶层氮化物，顶层氮化物上设置有纳米光波导、分路器、谐振环、耦合光栅和用于通电的镍/金电极。本发明体积小，具有高度的集成性，可应用于光子计算及可见光通信等领域，提升蓝光波段可见光通信技术在信息传输速率、信息处理速度和终端器件集成度等多方面的性能指标。
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公开(公告)号：CN107374719A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710605917.8
申请日：2017-07-24
Applicant: 南京邮电大学
IPC: A61B18/04
CPC classification number: A61B18/04 , A61B2018/00005
Abstract: 本发明公开了一种热消融针及应用方法，由消融针头1、消融针杆和消融针管。消融针头为NV(Nitrogen Vacancy)色心含量较高的金刚石颗粒，消融针杆为一根光纤。消融针头由UV胶或者低熔点玻璃粉无缝粘合在消融针杆，消融杆伸入与其相匹配的锥形中空的毛细消融针管中。通过ODMR(光学检测磁共振技术)测出晶场势能D的数值，进一步计算出激光功率和消融针头温度之间的函数关系，以实现温控，且NV色心本身就可以作为温度传感器，实时测量控制消融针头的温度。本发明利用已有的CT或者超声影像以及磁共振成像系统可以精确地在组织之间游走，能够更加精确的到达需要治疗的部位，且整个消融针体直径小，质量轻，不需要水冷，系统简单，更加灵活。
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公开(公告)号：CN107195733A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710311776.9
申请日：2017-05-05
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种基于机械剥离的毫米级可转移LED器件及其制备方法，该器件包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的n‑GaN层、与所述n‑GaN层相连的n‑GaN臂、与所述n‑GaN臂相连的p‑n结量子阱器件。本发明采用传统的半导体加工工艺首次实现了基于机械剥离的毫米级可转移LED器件，该器件可用于通信、照明、显示以及传感领域。
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