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公开(公告)号：CN103789825A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410029034.3
申请日：2014-01-22
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: C30B25/14
Abstract: 本发明公开了一种化合物半导体大面积气相外延（VPE）用气体喷头喷口的交叉密排式排布结构，其特征为：各同心圆环形喷口采用独立、交叉排布方式，用外环惰性气体喷口隔开第一前驱物喷口和第二前驱物喷口，使各喷口喷出的不同前驱物在喷口附近被相互隔离，防止它们在喷口附近发生混合起化学反应致使喷口污染；而喷口的密集排布结构，使两种前驱物喷出后一离开喷口附近，进入混合起反应区域便较快均匀混合，形成均匀浓度、流场。从而显著地改善化合物半导体大面积气相外延沉积的均匀性，同时也扩大了外延生长工艺的调空范围，便于调控。
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公开(公告)号：CN103614704A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310542018.X
申请日：2013-11-06
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/34
Abstract: 本发明公开了一种氢化物气相外延（HVPE）喷头设计，更具体地是提供了一种用于控制前驱物流场的控制棒。在一立式HVPE生长系统的前驱物通道中，所述控制棒包括始段圆环结构，中段实心圆柱体，末段控制端，所述三段同轴。所述圆环结构分为内外两侧，并包含复数个圆形通孔，所述复数个圆形通孔至少一个穿过圆环结构的内外两侧。该圆环结构外径与中段圆柱体直径相等；与中段圆柱体毗邻的末段控制端为圆锥、圆台、倒圆台或圆柱体结构中的一种，所述控制端与中段圆柱体相连处其直径相同。本发明提供的前驱物控制棒能使前驱物径向流场分布的均匀性最佳化，并扩展前驱物流场调控手段。
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公开(公告)号：CN103603031A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310649519.8
申请日：2013-12-06
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种通过调控釜体内部流场制备高质量单晶体材料的方法，通过在釜体配备多段独立控温系统，利用该控温系统调控使釜体内部隔板上下区域形成多等级的温度梯度，驱动内部液体形成高质量单晶体材料生长所需的对流场，调控晶种生长速度与溶质输运速度的动态平衡，抑制多晶孪晶的产生；同时，根据原材料的溶解性及晶体的结晶度，利用多段独立控温系统，在相应的区域设置不同的温度，提高原材料溶解速度和晶体生长速度；更重要的，根据需要灵活调节隔板的位置，使生长区域空间最大化，提高单炉生长的晶体数量。
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公开(公告)号：CN103560186A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310526518.4
申请日：2013-10-30
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0075 , H01L33/38 , H01L33/44
Abstract: 本发明公开了一种倒装纳米LED芯片及其制备方法。本发明的倒装纳米LED芯片包括：外延芯片部分、衬底和倒装焊接部分；位于衬底上的外延芯片部分倒扣在倒装焊接部分上。本发明采用“自上而下”的制备方法有效地控制了单根纳米柱的尺寸及位置，将纳米压印和电子束曝光结合起来，将模板重复运用有利于芯片的批量化生产；对纳米柱的侧壁实施去损伤处理，使侧壁损伤得到修复，减少了漏电流的产生，起到防止短路的作用；将纳米LED芯片与倒装结构相结合，使得器件具有更高的光提取效率，更好的散热效果以及更均匀的电流扩展，提高了器件的性能；分立的结构，实现了单个纳米LED的独立电致发光，改变了现有的纳米柱阵列一齐发光的研究现状。
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公开(公告)号：CN103522939A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310494099.0
申请日：2013-10-21
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种多辅助功能智能雾灯及警示方法，其中，多辅助功能智能雾灯包括电路控制模块、混合光源模块、整形光学模块、温度控制模块、相对车速测量模块和混合光源模块角度调整器；混合光源模块包括相互协调配合发光的LED雾灯及激光雾灯；电路控制模块连接混合光源模块，混合光源模块的激光雾灯前方设整形光学模块；混合光源模块连接温度控制模块；电路控制模块还连接相对车速测量模块，相对车速测量模块输出端连接混合光源模块角度调整器，混合光源模块角度调整器输出端连接混合光源模块。本发明将红光半导体激光器和LED混合应用到汽车雾灯中，两者相互协调配合发光，保障在不同程度雨、雾天情况下公路的安全行驶，提高公路运输的保障能力。
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公开(公告)号：CN102226985B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201110117435.0
申请日：2011-05-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种GaN衬底的制备方法，属于光电子器件的制备领域。本发明区别于现有技术的核心是：在衬底(如Si，蓝宝石，SiC等)外延生长表面上形成一过渡层，该过渡层为含有碳纳米管的InN、高In组分InGaN材料或GaAs等材料层，随后再生长厚膜GaN，获得厚膜GaN衬底或经过去除衬底工艺或自分离工艺得到自支撑GaN衬底。本发明制备方法简单、工艺条件易控制、价格低廉，可以选择不同的衬底，还可支持多种衬底分离技术。
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公开(公告)号：CN103094175A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210559456.2
申请日：2012-12-21
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种晶片专用三夹头夹具，通过夹臂减小三夹头之间的间距，三夹头仅与样品侧边缘接触而不直接接触晶面即可完成夹持操作。本发明包含有夹臂、三个夹头，夹臂末端设有夹头，其中一个夹臂上安装1或2个夹头，夹具设有3条或2条夹臂，各夹臂间相互连接，夹臂间相互连接处在夹臂中部或夹臂首端。本发明通过夹头与夹臂的巧妙组合，避免夹头与晶片正面的直接接触，从而减少晶面的接触源并避免了夹头直接施力于晶面易导致晶面被划伤、污染等问题。
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公开(公告)号：CN103021946A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210517452.8
申请日：2012-12-05
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种通过机械去除法制备氮化镓单晶衬底的方法。本发明在GaN单晶厚膜与衬底之间，预沉积层状结构的薄膜，利用衬底与GaN单晶厚膜间的层状结构的薄膜之间的范德华力弱，而易于滑移的特点，使GaN单晶厚膜与衬底水平滑移分离，得到完整的大尺寸的自支撑GaN单晶衬底。本发明采用一种更低成本的制备方法，得到的自支撑GaN单晶衬底，表面光滑无裂纹，晶体质量高；实现了GaN单晶厚膜与异质衬底的可控分离，不需要另外的复杂的激光剥离或光刻刻蚀纳米图形等设备技术，设备简单，不需要在反应室中增加原位刻蚀或激光剥离部件，工艺稳定，易于控制，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN103014846A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201310012478.1
申请日：2013-01-14
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: C30B25/14
Abstract: 本发明公开了一种材料气相外延用同心圆环喷头结构，解决在较大的衬底或多片衬底的晶体生长中，在大面积沉积区域提供前驱物混合气体的均匀流场问题。本发明包含有一个以上独立的进气管道，进气管道上设有监控调节进气流速和流量的控制器，喷头底部设有出气挡板，喷头内设有一个以上同心圆环，各同心圆环之间形成独立腔体并且相互隔离，各同心圆环顶端连接一个独立的进气管道，各同心圆环底端的出气挡板上设有一个及以上的出气孔。本发明通过各路气源彼此隔离并独立管控，以及多个喷头集成使用的方式，明显改善大面积沉底的生长晶体质量，大幅提高生产效率。
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公开(公告)号：CN102903608A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201110215034.9
申请日：2011-07-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种纳米级图形化蓝宝石衬底的制备方法，该方法包括：首先清洗蓝宝石衬底，并在其表面蒸镀一层金属铝膜；同时制备具有纳米结构的模板，通过压印或刻蚀在铝膜上产生相应的图形；放入电解质溶液中进行阳极氧化，直至铝膜表面的颜色发生明显变化且电流降至0为止，进行通孔，在氧化铝层上获得图形化纳米结构；然后淀积一层金属镍；放入强碱溶液中溶解掉氧化铝层，在蓝宝石衬底上得到金属镍纳米点阵；以上述的金属镍点阵为掩膜刻蚀蓝宝石，在蓝宝石衬底上获得深度可控的纳米结构阵列。本发明利用阳极氧化铝的方法在蓝宝石上获得高有序的纳米结构阵列。与现有技术相比，本发明制备过程简单，重复性好，成品率高。
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