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公开(公告)号：CN102244167B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201110213270.7
申请日：2011-07-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种单芯片白光LED的方法，该方法包括：在衬底上生长GaN模板层，所述GaN模板层包括非掺杂GaN外延层和n型掺杂GaN外延层，铺设碳纳米管，制备InGaN量子点结构，并生长量子垒层；随后利用MOCVD或MBE手段生长p型GaN导电层；光刻、激光划片、ICP、沉积电极等常规LED封装手段，制得单芯片白光LED。与现有技术相比，本发明通过调控碳纳米管阵列的图形，让每一个量子点的发光波长呈随机分布，一定区域实现波长组合的白光出射。本发明制备方便，工艺条件相对简单且易控制。
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公开(公告)号：CN102244167A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110213270.7
申请日：2011-07-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种单芯片白光LED的方法，该方法包括：在衬底上生长GaN模板层，所述GaN模板层包括非掺杂GaN外延层和n型掺杂GaN外延层，铺设碳纳米管，制备InGaN量子点结构，并生长量子垒层；随后利用MOCVD或MBE手段生长p型GaN导电层；光刻、激光划片、ICP、沉积电极等常规LED封装手段，制得单芯片白光LED。与现有技术相比，本发明通过调控碳纳米管阵列的图形，让每一个量子点的发光波长呈随机分布，一定区域实现波长组合的白光出射。本发明制备方便，工艺条件相对简单且易控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102226985A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201110117435.0
申请日：2011-05-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种GaN衬底的制备方法，属于光电子器件的制备领域。本发明区别于现有技术的核心是：在衬底(如Si，蓝宝石，SiC等)外延生长表面上形成一过渡层，该过渡层为含有碳纳米管的InN、高In组分InGaN材料或GaAs等材料层，随后再生长厚膜GaN，获得厚膜GaN衬底或经过去除衬底工艺或自分离工艺得到自支撑GaN衬底。本发明制备方法简单、工艺条件易控制、价格低廉，可以选择不同的衬底，还可支持多种衬底分离技术。
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公开(公告)号：CN102226985B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201110117435.0
申请日：2011-05-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种GaN衬底的制备方法，属于光电子器件的制备领域。本发明区别于现有技术的核心是：在衬底(如Si，蓝宝石，SiC等)外延生长表面上形成一过渡层，该过渡层为含有碳纳米管的InN、高In组分InGaN材料或GaAs等材料层，随后再生长厚膜GaN，获得厚膜GaN衬底或经过去除衬底工艺或自分离工艺得到自支撑GaN衬底。本发明制备方法简单、工艺条件易控制、价格低廉，可以选择不同的衬底，还可支持多种衬底分离技术。
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公开(公告)号：CN101736374A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810226571.1
申请日：2008-11-14
Applicant: 北京大学 , 上海蓝光科技有限公司
IPC: C25D7/12 , C25D5/10 , H01L21/288 , H01L27/15 , H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种制作氮化镓基垂直结构LED金属衬底的方法，采用两种或两种以上金属进行交替电镀，得到多层金属组成的金属衬底，其中至少有一种张应力金属和一种压应力金属相搭配。本发明将电镀中常用的电流调节应力方法和金属本身材料应力特性不同的特点结合起来，应用多种金属进行搭配，交替电镀，并通过调节各金属层电镀的电流和厚度，达到控制电镀金属内应力，实现电镀金属衬底翘曲度和GaN薄膜翘曲度相匹配的目的。与现有技术相比，本发明改善了电镀金属的致密度，有助于调节衬底支撑度；而且增强了电镀金属与GaN薄膜连接强度，改善了垂直结构LED器件的老化特性。
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公开(公告)号：CN102299056B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201110205708.7
申请日：2011-07-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种三族氮化物量子点结构的制备方法，属于光电子器件的制备领域。该方法包括如下步骤：1)在衬底上生长三族氮化物模板层；2)在上述三族氮化物模板层上铺设碳纳米管阵列；3)在碳纳米管阵列上再采用MOCVD、MBE等生长手段，生长GaN、AlN、InN及其合金的量子点外延层，形成量子点结构。本发明通过调控碳纳米管阵列的图形，量子点的发光波长、光谱都可以得到精确调控。与现有的技术相比，其制备更加方便，工艺条件简单且更易控制。
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公开(公告)号：CN102299056A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110205708.7
申请日：2011-07-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种三族氮化物量子点结构的制备方法，属于光电子器件的制备领域。该方法包括如下步骤：1)在衬底上生长三族氮化物模板层；2)在上述三族氮化物模板层上铺设碳纳米管阵列；3)在碳纳米管阵列上再采用MOCVD、MBE等生长手段，生长GaN、AlN、InN及其合金的量子点外延层，形成量子点结构。本发明通过调控碳纳米管阵列的图形，量子点的发光波长、光谱都可以得到精确调控。与现有的技术相比，其制备更加方便，工艺条件简单且更易控制。
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