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公开(公告)号：CN114337648A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111645486.0
申请日：2021-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03K19/20
Abstract: 本发明涉及一种基于三值忆阻器的九选一数据选择器电路。本发明包括两个输入忆阻器(Min1，Min2)，一个输出忆阻器(Mout)，存储9路已知的三值数据的九个忆阻器D0‑D8，两个电压源(V，Vcopy)以及十八个电压控制型开关(S1~S18)，形成了两个输入端和一个输出端的电路结构。本发明设计的三值数据选择器电路模结构清晰简单，易于实现。该电路模型可用于多值数字逻辑运算等诸多领域中的应用研究，具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114309588A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111545488.2
申请日：2021-12-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种金纳米棒表面改性方法，包括以下步骤：(1)通过种子法制备金纳米棒分散液；(2)清洗稀释；(3)包覆二氧化硅层；(4)表面改性。本发明工艺步骤简单，可操作性强，重复性高，包覆效果好，可获得一种表面包覆有二氧化硅、同时在二氧化硅层表面接枝有OTMS的金纳米棒材料，有助于扩大金纳米棒的应用范围。
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公开(公告)号：CN114268312A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111611264.7
申请日：2021-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的平衡三值单变量逻辑电路，包含18种单变量逻辑电路。其中，F4、F9输出电路均只由一个忆阻器和一个NMOS管所构成；F5、F10、F13、F18、F23、F26输出电路均由两个忆阻器和一个NMOS管所构成；F3、F7输出电路均由两个忆阻器和两个NMOS管所构成；F2、F15输出电路均由三个忆阻器和两个NMOS管所构成；F17、F21、F24电路均由三个忆阻器和三个NMOS管所构成；F11、F12输出电路均由四个忆阻器和四个NMOS管所构成；F8输出电路由五个忆阻器和五个NMOS管所构成。本发明电路结构清晰简单、易于实现，对多值数字逻辑电路设计等诸多领域中的应用研究具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114192794A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111401927.2
申请日：2021-11-19
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种棒骨状金纳米棒的合成方法，包括以下步骤：(1)制备种子溶液；(2)制备生长溶液；(3)棒骨状金纳米棒。本发明以CTAC及油胺作为双表面活性剂，以1,2,4三羟基苯为还原剂，所需反应物的量少，成本低，反应速率极高，反应条件易控制，得到的金纳米棒分散性好，尺寸较长，两头大中间小，形如棒骨，更适合作为金纳米棒自组装的材料，并且在医学领域方面的应用前景也更加宽广。
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公开(公告)号：CN114042930A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111400739.8
申请日：2021-11-19
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种大规模合成金纳米棒的方法，包括以下步骤：(1)制备种子溶液；(2)制备生长溶液；(3)合成金纳米棒。本发明以CTAB以及5‑溴水杨酸(5‑Bromosalicylic acid)作为双表面活性剂，以1,2,3三羟基苯作为还原剂，并通过硫酸来调节pH，步骤简单，可操作性强，反应条件温和，过程稳定可控，成本低，可以高效地大规模地合成纯度高、产率高的金纳米棒，适合工业化应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113681021A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110960367.8
申请日：2021-08-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于胶束沉积作用的金纳米棒提纯方法，其包括以下步骤：(1)制备金纳米棒分散液：利用种子生长法制备得到金纳米棒分散液；(2)提纯：(a)将金纳米棒分散液置于锥形瓶中，加入所需量的CTAB，加热至CTAB完全溶解后，冷却，静置，至瓶底不再产生沉淀后，去除上清液，在沉淀中加入适量超纯水，分散沉淀，得分散液；(b)将分散液离心，去除上清液后，在沉淀中加入适量超纯水，分散沉淀后再次离心，在得到的沉淀中加入适量超纯水，即得超纯金纳米棒材料。本发明工艺步骤简单，条件易控，可操作性强，金纳米棒纯度高。
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公开(公告)号：CN113381195A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110586109.8
申请日：2021-05-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯三维相位可调谐透镜的高增益缝隙天线及方法。本发明天线采用一种石墨烯三维相位可调谐透镜，并将其放置在缝隙天线的前端，使得缝隙天线可以通过不同偏置电压下石墨烯的可重构特性对透镜单元进行调谐。不同偏置电压可以改变石墨烯材料的表面电阻，从而可以改变透镜的特性，进而改变缝隙天线孔径内的能量和相位分布，提高天线的增益并消除天线方向图畸变。同时，透镜加载的缝隙天线为新型的混合石墨烯‑金属结构缝隙天线，该天线的辐射缝隙结构采用石墨烯结构代替，这一结构进一步增强了天线孔径内能量的控制，并为缝隙天线带来了频率可重构特性。
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公开(公告)号：CN112809018A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011637855.7
申请日：2020-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种金‑铂双金属结构材料的合成方法，这种双金属结构包括做为核结构的金纳米棒和做为壳结构的铂。本发明采用了种子生长法，在金纳米棒上生长铂。主要的步骤包括：首先利用种子生长法生长金纳米棒，再将生长成功的金纳米棒进行清洗得到纯度较高的金纳米棒；然后将金纳米棒作为种子添加相应量的表面活性剂，铂酸盐，还原剂使其混合均匀；最后控制反应的温度，使得金纳米棒上成功生长出铂，通过透射电镜图观察其生长情况。本发明所合成的金‑铂双金属更加均匀，而且反应条件更加简洁，提高了反应速度，实现了低成本。
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公开(公告)号：CN112809016A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011629357.8
申请日：2020-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种金纳米棒表面生长可调厚度二氧化硅材料的制备方法，首先合成金纳米棒，然后将一定量的CTAB与氯金酸(HAuCl4)混合与瓶中，再加入冰水混合物配制而成的硼氢化钠(NaBH4)，此为种子溶液；将对应低浓度的CTAB、NaOL在50℃下溶解于另一瓶中作为生长溶液，冷却至30℃左右，再加入硝酸银(AgNO3)、氯金酸。依次加入浓盐酸(37wt.％)、抗坏血酸(AA)与种子溶液，得到金纳米棒原料。合成完金纳米棒后，将金纳米棒离心并重新分散在CTAB溶液中，在加入一定量的NaOH溶液后，以30分钟的时间间隔分6次加入TEOS溶液。生长一定厚度的介孔二氧化硅之后，离心清洗，并以1：1的比例加入水和乙醇分散。再加入一定量的氨水溶液,多次加入TEOS溶液，得到最终产物。
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公开(公告)号：CN112768910A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011593189.1
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于石墨烯‑金属结构的可重构太赫兹天线及调频方法。本发明天线采用一种新型的混合石墨烯‑金属结构辐射面以改进传统的纯金属天线，所述混合石墨烯‑金属结构辐射面包括石墨烯调谐部分以及金属辐射体。本发明天线可以通过改变天线辐射面的石墨烯调谐部分的电场偏置进行动态重构，且具有较低的反射系数。此外，由于本发明天线的辐射贴片保留了传统的金属材料，又极大的平衡了传统金属天线的辐射性能。提出的混合石墨烯‑金属可重构天线有望使渐变平面缝隙天线在更高频段使用，并使石墨烯为太赫兹天线的设计和应用带来更多的可能性和扩展空间。
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