-
公开(公告)号：CN101257056A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810052621.9
申请日：2008-04-07
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/075 , H01L31/045
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种柔性衬底硅基薄膜太阳电池，包括衬底S为不透明和透明柔性材料，且太阳电池的结构为P型硅基薄膜/I型硅基薄膜/N型硅基薄膜，所述P型硅基薄膜、I型硅基薄膜和N型硅基薄膜皆采用微晶硅基或纳米硅基薄膜，其中，P型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅碳或微晶硅氧，也可为纳米硅、纳米硅碳或纳米硅氧、非晶硅、非晶硅碳或非晶硅氧，I型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅锗或纳米硅、纳米硅锗，N型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅碳或微晶硅氧，也可为纳米硅、纳米硅碳或纳米硅氧。本发明利用微晶硅基或纳米硅基薄膜材料电子和空穴迁移率具有相同数量级的特性，将目前应用于玻璃衬底上比较成熟的P/I/N电池技术合理转移到柔性衬底上，较容易实现工艺的转移。
-
公开(公告)号：CN101159297A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710150231.0
申请日：2007-11-19
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种SnO2为衬底的微晶硅薄膜太阳电池用透明导电薄膜的制备方法，所述透明导电薄膜为非晶硅碳、非晶硅氧，所述在SnO2衬底上制备透明导电薄膜的沉积方法为等离子体增强化学气相沉积、热丝化学气相沉积或者甚高频等离子体增强化学气相沉积。本发明采用与制备微晶硅太阳电池相同的化学气相沉积技术，在制备微晶硅太阳电池制备同时，原位沉积具有高光透过、种子层和保护层功能的微晶硅太阳电池用透明导电薄膜，不需要更换沉积系统，工艺简单且有利于降低成本。
-
公开(公告)号：CN101159295A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710150221.7
申请日：2007-11-19
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种高速沉积微晶硅太阳电池P/I界面的处理方法，首先利用超高频等离子体增强化学气相沉积方法，控制辉光功率和硅烷浓度，采用第一沉积速率在P层上沉积第一本征微晶硅薄膜层；然后在等离子体辉光不灭的情况下，调节辉光功率和硅烷浓度，采用第二沉积速率在第一本征本征微晶硅薄膜上生长形成第二本征微晶硅薄膜层，所述的第一沉积速率小于所述的第二沉积速率。本发明首先通过采用较低的辉光功率和较小的硅烷浓度，达到用较低沉积速率在P层上沉积，以获得低缺陷态高晶化的本征微晶硅薄膜层，进而提高电池效率。
-
公开(公告)号：CN1697201A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510013862.9
申请日：2005-06-20
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及硅薄膜太阳电池的窗口层，特别是p型窗口层的结构和制备技术，属于新能源中薄膜太阳电池的技术领域。硅薄膜太阳电池用p型窗口层，由透明衬底、透明导电薄膜、p型窗口层等组成，其特点在于：P层分为P1和P2两层，P1层是具有高晶化率宽带隙纳米硅的薄膜，厚度比P2层要薄一个数量级。在设计p型窗口层时，采用双层p型掺杂层结构。调控两层的晶化率、掺杂浓度与厚度，来达到晶化和掺杂效果分别完成、最终合成一致达到高电导、高晶化率同时得以满足的效果，为随后微晶硅有源层的生长提供良好晶化基础，并以高电导的p型掺杂提供高开路电压和低的串联电阻，从而在保证稳定性基础上提高电池效率，有利展示薄膜电池低成本的优势。
-
公开(公告)号：CN113921620B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202111359180.9
申请日：2021-11-17
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L31/0725
Abstract: 一种折射率渐变特性的减反射膜的制备方法。本发明开发了一种折射率渐变特性的nc‑SiOx:H减反射膜，通过调整反应气体中CO2流量来调整nc‑SiOx:H中Si、O的比例，即x的值(0
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118773654A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410927247.1
申请日：2024-07-11
Applicant: 南开大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/061 , C25B11/052 , C25B11/031 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种基于过渡金属的高活性碱性电解水析氧反应催化剂及其制备方法和应用，属于新能源技术以及电催化材料应用领域，所述电催化剂用化学式表示为NimFen LDH/CeO2‑x/NF。本发明制备方法是将含Ce元素的硝酸盐前驱体溶解于去离子水中，接着在提前处理好的泡沫镍上进行电沉积，通过高温退火处理后，放入含有Ni、Fe的相应过渡态金属硝酸盐溶液中，最后进行水热反应而制得。在碱性电解液中，NimFen LDH/CeO2‑x/NF的析氧性能明显优于单金属基Ni LDH/CeO2‑x/NF、单层的NimFen LDH/NF和不含多氧空位的NimFen LDH/CeO2。其引入了低自旋Fe的掺杂、异质结界面的形成以及多氧空位的造就等是提高催化剂析氧活性的主要原因。同时该材料展现出持续的高稳定性，该催化剂的设计为大规模电解水制氢提供了技术可行性。
-
公开(公告)号：CN117615622A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311641548.X
申请日：2023-12-04
Applicant: 南开大学
Abstract: (三氟乙酰基)苯并三唑辅助制备太阳电池的方法，涉及太阳电池领域，本发明太阳电池的活性吸光层为添加剂三氟乙酰基(苯并三唑)辅助生长的钙钛矿半导体材料APbX3，其中A为烷基胺、烷基脒或碱族元素中至少一种，X为碘、溴和氯中至少一种。本发明通过在钙钛矿溶液中加入微量三氟乙酰基(苯并三唑)，调控了钙钛矿活性层的薄膜形貌和结晶性，改善了载流子的传输和收集；钝化了钙钛矿吸光层的体相缺陷，利用材料的紫外异构性质，提高了钙钛矿薄膜以及器件的紫外稳定性；改善了钙钛矿太阳能电池的正反扫差异，保证了稳态输出，提高了电池效率和重复性，使得电池的光电转化得到明显的提升。
-
公开(公告)号：CN116230799B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310220251.X
申请日：2023-03-09
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/075 , H01L31/18 , H10K30/40 , H01L27/142 , H10K39/10 , H10K30/50 , H10K71/00 , H10K71/40
Abstract: 本发明提供了一种3‑氨基‑5‑溴吡啶‑2‑甲酰胺材料钝化无机钙钛矿基太阳电池及制备方法，涉及无机钙钛矿太阳能电池技术领域。该种3‑氨基‑5‑溴吡啶‑2‑甲酰胺材料钝化无机钙钛矿基太阳电池为PIN型结构，包括钙钛矿吸光层以及钝化层。制备方法主要包括钝化层的制备，通过采用溶液动态旋涂的方式，用3‑氨基‑5‑溴吡啶‑2‑甲酰胺甲醇溶液对CsPbI3‑xBrx型的无机钙钛矿薄膜进行钝化处理，得到厚度为1nm‑10nm的钝化层。本发明的太阳电池降低了无机钙钛矿薄膜的表面缺陷、通过钝化的方式改善了无机钙钛矿薄膜的质量、促进其载流子输运、抑制非辐射复合，提高了无机钙钛矿基太阳电池的光电转换效率。
-
公开(公告)号：CN116247116B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310219861.8
申请日：2023-03-09
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/075 , H01L31/18 , H10K30/40 , H01L27/142 , H10K39/10 , H10K30/50 , H10K71/00 , H10K71/40
Abstract: 本发明提供了一种2‑氨基‑5‑溴苯甲酰胺材料钝化无机钙钛矿基太阳电池及制备方法，涉及无机钙钛矿太阳能电池技术领域。该种2‑氨基‑5‑溴苯甲酰胺材料钝化无机钙钛矿基太阳电池为PIN型结构，包括从下至上依次堆叠的透明导电衬底、空穴传输层、钙钛矿吸光层、钝化层、电子传输层和电极。制备方法包括钝化层的制备，通过采用溶液动态旋涂的方式，用2‑氨基‑5‑溴苯甲酰胺甲醇溶液对CsPbI3‑xBrx型的无机钙钛矿薄膜进行钝化处理，得到厚度为1nm‑10nm的钝化层。本发明的2‑氨基‑5‑溴苯甲酰胺材料钝化无机钙钛矿基太阳电池降低了无机钙钛矿薄膜的表面缺陷、通过钝化的方式改善了无机钙钛矿薄膜的质量、提高了无机钙钛矿基太阳电池的光电转换效率。
-
公开(公告)号：CN116487451A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310293361.9
申请日：2023-03-24
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L33/14 , H01L33/00 , H10K50/14 , H10K71/00
Abstract: 本发明公开了一种基于化合物‑纳米线‑化合物多层结构的太阳电池载流子选择性传输层及其制备方法。该载流子选择性传输层的特征在于两层化合物薄膜中间加入一层纳米线，组成多层膜结构。其具体制备过程为：1）制备第一层化合物薄膜；2）在第一层化合物薄膜上制备一层纳米线；3）在纳米线上制备第二层化合物薄膜。本发明公开的多层结构载流子选择性传输层的优势在于保持高透过率同时，通过纳米线的加入提升了整体的导电性，有利于减小太阳电池的串联电阻，从而提高太阳电池的性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
244
records
(took 0.024 seconds)
