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公开(公告)号：CN103185909A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201310085335.3
申请日：2013-03-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种微机电可调氮化物谐振光栅，实现氮化物谐振光栅和微型纳米静电驱动器的集成并提出了双面加工法制备微机电可调氮化物谐振光栅的方法；该微机电可调氮化物谐振光栅实现在高阻硅衬底氮化物晶片上，采用薄膜沉积、电子束曝光、光刻、反应离子刻蚀、三五族刻蚀等技术定义和刻蚀器件，采用背后对准工艺和深硅刻蚀技术，去除微机电可调氮化物谐振光栅下方的高阻硅衬底，然后采用三五族刻蚀技术对微机电可调氮化物光栅进行背后减薄，完成悬空微型纳米静电驱动器和谐振光栅的集成；通过微型纳米静电驱动器调控谐振光栅的周期、占空比等结构参数，从而达到改变器件光学性能的目的。
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公开(公告)号：CN102871255A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210338512.X
申请日：2012-09-14
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了基于可见光无线通信模块的矿井帽，属于无线通信的技术领域。所述矿井帽包括帽体、LED头灯、光电探测器、可见光无线通信模块、耳机、麦克风。可见光无线通信模块焊接成电路板后置于帽体夹层，麦克风、耳机分别为可见光无线通信模块的信号输入装置、输出装置。本发明采用不受限的可见光频谱资源，将LED器件发出的光能转换为电能，实现了照明和通信一体的可见光无线通信系统；利用本发明所述的基于可见光无线通信模块的矿井帽高效节能、小型轻便、安全性高、成本低廉，可实现短期内大规模推广。
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公开(公告)号：CN102843187A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210233141.9
申请日：2012-07-06
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明设计了一种基于可见光无线通信的环境振动感知系统，包括外界振动源、信号发送端、信号接收端和信号处理分析模块，其中：所述信号发送端包括微振动传感器、偏置电路、LED电源和LED器件，所述信号接收端包括光电探测器和功率放大器。本发明所设计的基于可见光无线通信的环境振动感知系统能够实现对外界环境振源幅度、频率等的感知和检测，并且不产生电磁干扰，也不受外界无线电磁干扰影响。
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公开(公告)号：CN102778724A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210276313.0
申请日：2012-08-06
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于硅衬底氮化物的悬空光波导器件，实现载体为硅衬底氮化物晶片，所述硅衬底氮化物晶片包括顶层氮化物器件层和位于顶层氮化物器件层下部硅衬底层；所述硅衬底层的上表面具有一个凹槽；所述顶层氮化物器件层的上表面具有光波导器件结构；所述光波导器件结构的中部支撑结构为椭圆形支撑结构；本发明还设计了一种基于硅衬底氮化物的悬空光波导器件的制备方法。本发明所设计的基于硅衬底氮化物的悬空光波导器件及其制备方法能够降低器件的插入损耗。
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公开(公告)号：CN102530821A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110441605.0
申请日：2011-12-26
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于硅衬底氮化物的悬空谐振光子器件及其制备方法，实现载体为硅衬底III族氮化物晶片，包括硅衬底层，以及设置在硅衬底层上的顶层氮化物器件层，所述硅衬底层具有一个贯穿至顶层氮化物层下表面的长方体空腔；所述顶层氮化物器件层位于空腔上部的悬空部分具有纳米光子器件结构。本发明还公开了一种基于硅衬底氮化物的悬空谐振光子器件的制备方法。本发明所设计的一种基于硅衬底氮化物的悬空谐振光子器件及其制备方法能够实现光波与悬空光子器件交互作用的基于硅衬底氮化物材料的悬空谐振光子器件以及便于与硅微电子技术集成，实现集成硅基光电子器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119966519A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411888796.9
申请日：2024-12-20
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H04B10/40 , H04B10/516
Abstract: 本发明涉及一种基于硅基GaN光电子集成芯片的片上光通信装置。所述基于硅基GaN光电子集成芯片的片上光通信装置包括主处理结构、发射结构、接收结构和硅基GaN光电子集成芯片；主处理结构包括编码电路、调制电路、解码电路和解调电路；发射结构连接主处理结构；硅基GaN光电子集成芯片连接发射结构和接收结构，包括光发射器、光接收器和第一光波导；接收结构连接主处理结构和硅基GaN光电子集成芯片。本发明扩展了光通信技术的应用领域，片上集成的方式也有助于改善光通信的质量，从而实现对光通信装置性能的改善。
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公开(公告)号：CN114371155B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202210004730.3
申请日：2022-01-04
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明涉及一种基于光电子集成芯片的荧光光谱测试装置及其制备方法。所述基于光电子集成芯片的荧光光谱测试装置包括：样品台；氮化镓光电子集成芯片，位于所述样品台上方，包括透明衬底、位于所述透明衬底一侧的透明LED器件、以及位于所述透明衬底另一侧的滤光器件，所述透明LED器件用于向所述样品台方向发射具有第一波长的发射光信号，所述滤光器件用于仅透过具有第二波长的激发荧光信号，所述第二波长大于所述第一波长；透镜，位于所述氮化镓光电子集成芯片上方；光纤，位于所述透镜上方；光谱仪，用于接收并分析所述光纤传输的所述激发荧光信号。本发明缩小了荧光光谱测试装置的体积，简化荧光光谱测试装置的光路结构。
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公开(公告)号：CN114361313B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202210004743.0
申请日：2022-01-04
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种发光滤光集成光电子芯片及其制备方法。所述发光滤光集成光电子芯片包括：透明衬底，所述透明衬底包括正面、以及与所述正面相对的背面；透明LED器件，位于所述透明衬底的正面，包括沿垂直于所述正面的方向依次叠置的缓冲层、n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱层、p‑GaN层，所述透明LED器件至少能够沿所述背面指向所述正面的方向发射具有第一波长的发射光信号；滤光器件，位于所述透明衬底的背面，用于透过第二波长的激发荧光信号、并阻挡所述发射光信号，所述第二波长大于所述第一波长。本发明简化了荧光分析过程中的光路结构，并有助于提高荧光分析结果的准确度和可靠性。
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公开(公告)号：CN114975649B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202210512124.2
申请日：2022-05-11
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/12 , H01L31/18
Abstract: 本发明提出了半导体领域内的一种用于环境感知的硅衬底氮化镓光子集成芯片，以硅衬底氮化物晶圆为载体，包括硅衬底层和氮化物外沿层，所述氮化物外延层的顶层设有发射器和接收器，所述发射器和接收器交替排列并且以阵列形式分布，所述发射器为带有亚波长超构表面的微型光源，所述接收器为带有亚波长超构表面的光电探测器，所述氮化物外延层带有连接发射器的正电极和负电极，所述氮化物外延层带有连接接受器的正电极和负电极，所述硅衬底层与电路板进行引线连接并结合构成芯片整体，本发明体积小，具有高度的集成性，检测精度高，可应用于无接触式光学传感器，提升周围复杂环境感知的准确度并促进无人驾驶、移动机器人等场景的发展。
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公开(公告)号：CN118248766A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410400757.3
申请日：2024-04-03
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/112 , H01L31/0304 , H01L31/101 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种叉指型环形栅AlGaN/GaN HEMT结构的双面紫外光探测器，其结构从下往上依次包括：硅衬底层、AlGaN背势垒层、高阻GaN缓冲层、u‑GaN沟道层、AlGaN势垒层、GaN帽层；探测器在有源区侧壁采用绝缘物进行保护，源极金属层和漏极金属层以叉指型分布方式交错排列在GaN帽层上，利用钝化物对器件进行钝化处理，通过对硅衬底层、AlGaN背势垒层、高阻GaN缓冲层和部分的u‑GaN沟道层进行刻蚀处理，暴露出u‑GaN沟道层，实现对紫外光的双面探测。本发明中叉指型源漏电极和环形栅结构的引入，降低了器件的导通电阻，提高了欧姆接触性能，显著增大了器件的有效感光面积，使得探测器对光信号的灵敏度大幅提升，从而更有效地捕获光子，提高了探测器的响应能力。
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