用于环境感知的硅衬底氮化镓光子集成芯片及其制造方法

    公开(公告)号:CN114975649B

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202210512124.2

    申请日:2022-05-11

    Abstract: 本发明提出了半导体领域内的一种用于环境感知的硅衬底氮化镓光子集成芯片,以硅衬底氮化物晶圆为载体,包括硅衬底层和氮化物外沿层,所述氮化物外延层的顶层设有发射器和接收器,所述发射器和接收器交替排列并且以阵列形式分布,所述发射器为带有亚波长超构表面的微型光源,所述接收器为带有亚波长超构表面的光电探测器,所述氮化物外延层带有连接发射器的正电极和负电极,所述氮化物外延层带有连接接受器的正电极和负电极,所述硅衬底层与电路板进行引线连接并结合构成芯片整体,本发明体积小,具有高度的集成性,检测精度高,可应用于无接触式光学传感器,提升周围复杂环境感知的准确度并促进无人驾驶、移动机器人等场景的发展。

    用于环境感知的硅衬底氮化镓光子集成芯片及其制造方法

    公开(公告)号:CN114975649A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210512124.2

    申请日:2022-05-11

    Abstract: 本发明提出了半导体领域内的一种用于环境感知的硅衬底氮化镓光子集成芯片,以硅衬底氮化物晶圆为载体,包括硅衬底层和氮化物外沿层,所述氮化物外延层的顶层设有发射器和接收器,所述发射器和接收器交替排列并且以阵列形式分布,所述发射器为带有亚波长超构表面的微型光源,所述接收器为带有亚波长超构表面的光电探测器,所述氮化物外延层带有连接发射器的正电极和负电极,所述氮化物外延层带有连接接受器的正电极和负电极,所述硅衬底层与电路板进行引线连接并结合构成芯片整体,本发明体积小,具有高度的集成性,检测精度高,可应用于无接触式光学传感器,提升周围复杂环境感知的准确度并促进无人驾驶、移动机器人等场景的发展。

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