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公开(公告)号：CN105737393A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610130469.6
申请日：2016-03-08
Applicant: 北京理工大学
IPC: F24J1/00
CPC classification number: F24V30/00
Abstract: 本发明公开了一种化学加热器。包括：壳体和上盖；上盖上设置有排气孔；壳体为柱状结构，内部分为上下两个腔；壳体下部为储存及燃烧腔，设置有圆柱状燃烧剂，燃烧剂与壳体侧壁和下底面贴合；燃烧剂顶部设置有点火层，点火层与燃烧剂压装成一体；点火层上方中央位置设置有半球形凹槽，凹槽内设置点火药包；点火药包的导线穿过过滤层以及上盖的排气孔引出至加热器外部连接电源壳体上部为过滤腔，过滤腔内设置有过滤层；壳体和上盖螺旋连接。本发明的具有高功率、微烟、微焰、作用可靠等优点，能满足战时应用需要。
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公开(公告)号：CN103936534B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410195695.3
申请日：2014-05-09
Applicant: 北京理工大学
IPC: C06B25/34
Abstract: 本发明公开了一种特质细化HMX晶体及制备方法。所述晶体中HMX含量≥99.9％，晶体密度≥1.90g/cm3，晶体短长轴比≥0.8；晶体的中位粒径在10～30μm之间，粒度分布窄。制备方法包括：1)在带有夹套的结晶釜中，将HMX溶解在有机溶剂中，制得饱和溶液；2)将结晶釜的夹套内水温控制在0～40℃，向前述饱和溶液中，边搅拌边滴加反溶剂，形成过饱和溶液后晶核生成和晶体成长；3)待晶体完全析出后，将晶体在母液中进行超声处理，超声处理的时间在2～4h，超声频率为30KHz～50KHz。本发明操作简单，反溶剂用量少，反应条件温和，安全可靠，绿色高效。
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公开(公告)号：CN105274625A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510673200.8
申请日：2015-10-16
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提供一种高晶体密度球形化NTO晶体及其制备方法，所述晶体中NTO含量≥99.9％，所述晶体密度≥1.92g/cm3，所述晶体短长轴比≥0.90，所述晶体的中位粒径范围为150～200μm。所述高晶体密度球形化NTO晶体的制备方法，包括如下步骤：(1)将NTO和溶剂加入反应釜内进行充分溶解，反应釜温度为40～80℃；(2)边搅拌边降低反应釜温度，形成过饱和溶液后晶核生成并成长；(3)待晶体完全析出后，低温﹣5～0℃搅拌1-5小时；(4)过滤、干燥、称重。所述晶体粒度分布窄，外观观测晶体球形度高，表面光滑，晶面无裂纹。
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公开(公告)号：CN103528445B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201310468246.7
申请日：2013-10-09
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明专利公开了一种低发火电压微型半导体桥发火组件。该发火组件将半导体桥换能元芯片用粘结剂固定在微型不对称陶瓷电极塞的梯形凹槽内，该半导体桥换能元芯片上的两个金属电极焊盘分别用键合金属丝与陶瓷塞的两根脚线电极通过焊接相连，使两根脚线与半导体桥形成电路连接，在半导体桥换能元上方装填电热敏感发火药。本发明专利微型半导体桥发火组件的最小全发火电压低至3.83V（10μF），最小全发火能量为0.074mJ，安全电流不小于200mA，发火时间为12.6～16.5μs，具有发火能量低、作用时间短、作用一致性好、抗静电和抗射频能力好的特点，适合微机电系统的应用前景。
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公开(公告)号：CN103673797A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210328487.7
申请日：2012-09-06
Applicant: 北京理工大学
IPC: F42D1/00
Abstract: 本发明提供了一种微型起爆序列，属于起爆控制领域。所述微型起爆序列包括依次同轴线安装的施主装药(1)、飞片(2)和受主装药(4)；所述施主装药(1)的下端面至受主装药(4)的上端面之间形成空腔，所述飞片(2)紧贴固定在施主装药(1)的下端面上，施主装药(1)与受主装药(4)之间的能量传递通过飞片(2)来实现。本发明装药直径小于3mm，从而减小了起爆序列体积，降低了安全控制装置的驱动能量，本发明安全控制装置的驱动能量小于0.02mJ，而现有技术中的驱动能量是该驱动能量的100倍以上，驱动能量的降低，有利于减小安全装置的体积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103673792A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210328705.7
申请日：2012-09-06
Applicant: 北京理工大学
IPC: F42C11/02
Abstract: 本发明提供了一种高瞬发半导体桥发火组件，属于半导体桥发火装置领域。所述高瞬发半导体桥发火组件包括管壳(7)以及安装在管壳(7)内的装药和换能元；所述管壳(7)为套筒结构，其一端为开口端，另一端为封闭端，在封闭端上开有轴向通孔；所述换能元包括陶瓷电极塞(11)，在所述陶瓷电极塞(11)的上方设有半导体桥芯片；所述半导体桥芯片从下到上依次包括硅衬底、多晶硅基片(4)，电桥(1)和铝电极(6)；所述硅衬底的下端面粘接在所述陶瓷电极塞(11)的上端面上；所述铝电极(6)包括两块分开且对称设置的电极区(3)，两个电极区(3)通过所述电桥(1)连接。
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公开(公告)号：CN103627363A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310613080.3
申请日：2013-11-27
Applicant: 北京理工大学
IPC: C09J175/08 , C09J11/06
Abstract: 本发明公开了一种浇注体系用含能粘合剂，粘合剂包括固化后的以下组分：端羟基含能预聚物100重量份；含能增塑剂100～250重量份；交联剂0～10重量份；键合剂0.05～0.75重量份；固化剂5～20重量份；固化催化剂0.01～0.1重量份；抗老化剂0.05～0.75重量份。方法包括：所述组分按所述用量进行固化反应后制得所述浇注体系用含能粘合剂。本发明制备的含能粘合剂热稳定性好、玻璃化转变温度低、固化工艺简单、力学性能优异、适用期在2小时以上，可作为高固含量浇注体系用粘合剂。
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公开(公告)号：CN103528445A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310468246.7
申请日：2013-10-09
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明专利公开了一种低发火电压微型半导体桥发火组件。该发火组件将半导体桥换能元芯片用粘结剂固定在微型不对称陶瓷电极塞的梯形凹槽内，该半导体桥换能元芯片上的两个金属电极焊盘分别用键合金属丝与陶瓷塞的两根脚线电极通过焊接相连，使两根脚线与半导体桥形成电路连接，在半导体桥换能元上方装填电热敏感发火药。本发明专利微型半导体桥发火组件的最小全发火电压低至3.83V（10μF），最小全发火能量为0.074mJ，安全电流不小于200mA，发火时间为12.6～16.5μs，具有发火能量低、作用时间短、作用一致性好、抗静电和抗射频能力好的特点，适合微机电系统的应用前景。
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公开(公告)号：CN103506194A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210523625.7
申请日：2012-12-07
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提供一种超细CL-20制备装置和制备方法。包括研磨机主机、混合器和物料泵。球磨机主机包括带搅拌的研磨腔、研磨球；研磨球置于研磨腔内。混合器内设有搅拌，混合器上设置有出料口和循环进料口，混合器出料口与球磨机主机的进料口管线相连，研磨腔出料口与混合器的循环进料口管线相连，该管线上靠近研磨腔的位置设置有出料阀，之后设置有物料泵。取研磨球加入到所述球磨机主机研磨腔中，之后将原料CL-20和研磨液的混合浆料输入到上述研磨腔中进行循环粉碎研磨，之后排出经过真空抽滤干燥，得到所述超细CL-20。该制备装置和方法操作简单，安全性高，生产效率高，可广泛应用于各种含能材料的细化。
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公开(公告)号：CN103499251A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310468137.5
申请日：2013-10-09
Applicant: 北京理工大学
IPC: F42C19/12
Abstract: 本发明公开了一种微型不对称电极塞。相对于传统结构简单的对称电极塞，该微型不对称电极塞包括陶瓷基体、梯形凹槽和打头脚线等，陶瓷粉末材料经模具成型、烧结、打头脚线钎封等工艺制成电极塞成品，适于装填尺寸不大于长0.5mm×宽0.5mm×高0.5mm的薄膜式换能元芯片，其特点是在具有传统电极塞的基本功能条件下，还兼有直径和高度尺寸最小化、保持结构强度、电绝缘强度的要求，电极塞与脚线连接力不小于50N，抗静电不小于1.9kV；与半导体桥换能元、含能材料组成的发火组件具有发火能量低、作用时间短、作用一致性好、抗静电和抗射频能力好的特点，适合微机电系统的应用。
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