公开(公告)号：CN103673792B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201210328705.7

申请日：2012-09-06

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 任慧 ,  穆慧娜 ,  焦清介 ,  周庆 ,  李含建

IPC: F42C11/02

Abstract: 本发明提供了一种高瞬发半导体桥发火组件，属于半导体桥发火装置领域。所述高瞬发半导体桥发火组件包括管壳(7)以及安装在管壳(7)内的装药和换能元；所述管壳(7)为套筒结构，其一端为开口端，另一端为封闭端，在封闭端上开有轴向通孔；所述换能元包括陶瓷电极塞(11)，在所述陶瓷电极塞(11)的上方设有半导体桥芯片；所述半导体桥芯片从下到上依次包括硅衬底、多晶硅基片(4)，电桥(1)和铝电极(6)；所述硅衬底的下端面粘接在所述陶瓷电极塞(11)的上端面上；所述铝电极(6)包括两块分开且对称设置的电极区(3)，两个电极区(3)通过所述电桥(1)连接。

公开(公告)号：CN103673792A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201210328705.7

申请日：2012-09-06

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 任慧 ,  穆慧娜 ,  焦清介 ,  周庆 ,  李含建

IPC: F42C11/02

Abstract: 本发明提供了一种高瞬发半导体桥发火组件，属于半导体桥发火装置领域。所述高瞬发半导体桥发火组件包括管壳(7)以及安装在管壳(7)内的装药和换能元；所述管壳(7)为套筒结构，其一端为开口端，另一端为封闭端，在封闭端上开有轴向通孔；所述换能元包括陶瓷电极塞(11)，在所述陶瓷电极塞(11)的上方设有半导体桥芯片；所述半导体桥芯片从下到上依次包括硅衬底、多晶硅基片(4)，电桥(1)和铝电极(6)；所述硅衬底的下端面粘接在所述陶瓷电极塞(11)的上端面上；所述铝电极(6)包括两块分开且对称设置的电极区(3)，两个电极区(3)通过所述电桥(1)连接。