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公开(公告)号：CN111441088A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010258476.0
申请日：2020-04-03
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种儿茶酚胺聚合物抑制ε-CL-20晶体晶变的方法和高抗晶变特性ε-CL-20晶体，属于CL-20改性技术领域。本发明利用儿茶酚胺的自聚合特性在ε-CL-20晶体原料的表面形成儿茶酚胺聚合物包覆层，通过控制ε-CL-20晶体和儿茶酚胺聚合物的含量在特定范围内，可以有效抑制ε-CL-20晶体晶变；相比ε-CL-20晶体原料，经本发明提供的方法处理后，所得产物的晶变温度会提高35～40℃。此外，本发明提供的方法操作简单，安全性好，适于规模化生产。
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公开(公告)号：CN105274625B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201510673200.8
申请日：2015-10-16
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提供一种高晶体密度球形化NTO晶体及其制备方法，所述晶体中NTO含量≥99.9％，所述晶体密度≥1.92g/cm3，所述晶体短长轴比≥0.90，所述晶体的中位粒径范围为150～200μm。所述高晶体密度球形化NTO晶体的制备方法，包括如下步骤：(1)将NTO和溶剂加入反应釜内进行充分溶解，反应釜温度为40～80℃；(2)边搅拌边降低反应釜温度，形成过饱和溶液后晶核生成并成长；(3)待晶体完全析出后，低温﹣5～0℃搅拌1‑5小时；(4)过滤、干燥、称重。所述晶体粒度分布窄，外观观测晶体球形度高，表面光滑，晶面无裂纹。
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公开(公告)号：CN108178714B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201810025662.2
申请日：2018-01-11
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明属于CL‑20炸药的包覆领域，具体提供了一种采用双层钝感结构包覆CL‑20炸药的方法，该方法包括如下步骤：1)采用干混法将第一钝感剂包覆在CL‑20表面，制得一次包覆CL‑20炸药复合物；2)将第二钝感剂溶于溶剂，制成第二钝感剂溶液；3)将所述第二钝感剂溶液与一次包覆CL‑20炸药复合物在捏合机中捏合，抽真空，溶剂挥发后进行干燥，制得双层钝感结构包覆的CL‑20炸药。采用本发明的方法能在CL‑20炸药表面形成均匀的包覆层，显著降低CL‑20炸药的机械感度，操作步骤简单、易于控制，适用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN108250004A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810025661.8
申请日：2018-01-11
Applicant: 北京理工大学
IPC: C06B23/00
Abstract: 本发明属于含能领域，具体提供了一种模量可调的三元乙丙基复合钝感粘结剂及其制备方法，该三元乙丙基复合钝感粘结剂包含复合粘结剂和钝感剂；所述复合粘结剂包含粘结剂A和粘结剂B，所述粘结剂A选自丁二烯橡胶、氟橡胶、丁基橡胶、丁苯橡胶、丁腈橡胶、聚异丁烯橡胶和乙烯‑醋酸乙烯共聚物中的至少一种，所述粘结剂B为三元乙丙橡胶；所述钝感剂为微晶蜡。本发明的三元乙丙基复合钝感粘结剂适用于RDX、HMX、CL‑20等高能炸药为基的压装型混合炸药，所制备的混合炸药固含量高、能量高、机械感度低、成型性好，撞击感度≤10％，摩擦感度≤30％，装药密度可达到理论密度的98％以上，且制备方法简单安全、便于质量控制、安定性好。
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公开(公告)号：CN108178714A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201810025662.2
申请日：2018-01-11
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明属于CL-20炸药的包覆领域，具体提供了一种采用双层钝感结构包覆CL-20炸药的方法，该方法包括如下步骤：1)采用干混法将第一钝感剂包覆在CL-20表面，制得一次包覆CL-20炸药复合物；2)将第二钝感剂溶于溶剂，制成第二钝感剂溶液；3)将所述第二钝感剂溶液与一次包覆CL-20炸药复合物在捏合机中捏合，抽真空，溶剂挥发后进行干燥，制得双层钝感结构包覆的CL-20炸药。采用本发明的方法能在CL-20炸药表面形成均匀的包覆层，显著降低CL-20炸药的机械感度，操作步骤简单、易于控制，适用于大规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105732531A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610070704.5
申请日：2016-02-02
Applicant: 北京理工大学
IPC: C07D257/02
CPC classification number: C07D257/02 , C07B2200/13
Abstract: 本发明公开了一种对HMX晶体形貌进行修复/修饰的方法，该方法包括：在搅拌条件下，使HMX晶体与溶剂?反溶剂重结晶法制得的HMX重结晶母液或其稀释液进行混合。本发明的方法能够制备圆滑的HMX晶体，该晶体中HMX含量≥99.9％，晶体密度≥1.90g/cm3，通过仪器观察其微观结构可见，其外观无尖锐棱角，晶体短长轴比≥0.8。因此，由本发明的方法制备的HMX晶体具有流散性好、感度低等特点。而且，本发明的方法反应条件温和，并且使用的是结晶母液或其稀释液，具有制备简单以及成本低廉的特点。
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公开(公告)号：CN111441088B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202010258476.0
申请日：2020-04-03
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种儿茶酚胺聚合物抑制ε‑CL‑20晶体晶变的方法和高抗晶变特性ε‑CL‑20晶体，属于CL‑20改性技术领域。本发明利用儿茶酚胺的自聚合特性在ε‑CL‑20晶体原料的表面形成儿茶酚胺聚合物包覆层，通过控制ε‑CL‑20晶体和儿茶酚胺聚合物的含量在特定范围内，可以有效抑制ε‑CL‑20晶体晶变；相比ε‑CL‑20晶体原料，经本发明提供的方法处理后，所得产物的晶变温度会提高35～40℃。此外，本发明提供的方法操作简单，安全性好，适于规模化生产。
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公开(公告)号：CN106045798B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201610700850.1
申请日：2016-08-22
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种抑制ε‑CL‑20在混合体系中发生晶变的方法，属于含能材料领域。本方法将候选组分与ε‑CL‑20充分接触组成二元体系，通过原位XRD筛选出能够有效抑制ε‑CL‑20发生晶变的晶变抑制剂；将晶变抑制剂包覆在ε‑CL‑20表面；制备出的ε‑CL‑20和晶变抑制剂复合物加入炸药配方中制备样品，发现制备的样品初始晶变温度明显提高。证明经原位XRD测试筛选得到晶变抑制剂可有效抑制ε‑CL‑20在混合体系中发生晶变。该方法具有：操作简单，条件温和，安全可靠，并容易实现产业化等优点。
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公开(公告)号：CN106317061B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201610702004.3
申请日：2016-08-22
Applicant: 北京理工大学
IPC: C07D487/22
Abstract: 本发明涉及一种不同浓度法制备大颗粒圆滑ε‑HNIW晶体的方法，属于含能材料领域。具体方法为：将低浓度的HNIW加入到反溶剂中，持续搅拌，析出晶体；再加入高浓度的HNIW，搅拌均匀后加入大量反溶剂使晶体从溶液中析出；过滤、洗涤、干燥得到大颗粒圆滑ε‑HNIW晶体。本发明使用不同浓度法制备大颗粒圆滑ε‑HNIW晶体。该工艺具有：操作简单，反溶剂用量少，可以回收，反应条件温和，安全可靠，绿色高效，并容易实现产业化等优点。
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公开(公告)号：CN105274625A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510673200.8
申请日：2015-10-16
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提供一种高晶体密度球形化NTO晶体及其制备方法，所述晶体中NTO含量≥99.9％，所述晶体密度≥1.92g/cm3，所述晶体短长轴比≥0.90，所述晶体的中位粒径范围为150～200μm。所述高晶体密度球形化NTO晶体的制备方法，包括如下步骤：(1)将NTO和溶剂加入反应釜内进行充分溶解，反应釜温度为40～80℃；(2)边搅拌边降低反应釜温度，形成过饱和溶液后晶核生成并成长；(3)待晶体完全析出后，低温﹣5～0℃搅拌1-5小时；(4)过滤、干燥、称重。所述晶体粒度分布窄，外观观测晶体球形度高，表面光滑，晶面无裂纹。
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