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公开(公告)号:CN101462723B
公开(公告)日:2011-01-05
申请号:CN200910094007.3
申请日:2009-01-05
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/025 , C22C21/02
Abstract: 本发明涉及一种真空碳热还原制备高纯硅及铝硅合金的方法,采用含二氧化硅和三氧化二铝物料为原料,各种不同的碳为还原剂。在真空炉内碳热还原得到金属铝、硅和二氧化硅的混合物,将所生成的金属铝、硅和二氧化硅的混合物与造渣剂进行混合,加热到1500℃以上,二氧化硅造渣去除,并得到熔融态的富含硅的铝硅合金,然后经过定向冷凝,得到高纯硅和铝硅合金。获得的高纯硅纯度大于99.99wt%,铝硅合金中铝和硅的含量总和大于80wt%。工艺流程短、成本低、经济效益高。
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公开(公告)号:CN101613815B
公开(公告)日:2010-11-10
申请号:CN200910094744.3
申请日:2009-07-21
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 一种铝硅合金的制备方法,用铝矾土和石英为原料,用煤炭为还原剂,经磨细至粒度为0.1-1mm备料,铝矾土∶石英∶煤炭的重量比=1∶0.2-0.5∶0.3-0.6配料压块、感应炉中温度1700-2200℃熔炼,降温,冷却后得到铝硅合金。
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公开(公告)号:CN101372334B
公开(公告)日:2010-11-10
申请号:CN200810233462.2
申请日:2008-10-22
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/025 , C01B33/037
Abstract: 一种制备高纯硅的方法,使原料反应生成SiO气体达到蒸馏提纯的目的。原料可以是各种纯度的碳还原剂,二氧化硅可以是二氧化硅矿、废弃光纤或废石英。方法按以下几个步骤进行:(1)原料经破碎球磨后,粒度为0.30mm以下;(2)将原料置于真空炉中加热蒸发除杂;(3)将原料按比例配好,加热使物料全部反应生成SiO气体;(4)SiO气体发生歧化反应,生成B、P含量低的高纯硅和高纯二氧化硅;(5)分离二氧化硅,得到硅;(6)干燥分离后的硅;(7)用真空定向凝固炉进一步除杂,切头处理后即获得高纯硅。制备的硅的纯度为99.9999wt%以上,B、P的含量低于0.5ppm,可以满足太阳能电池行业所需硅原料的要求。
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公开(公告)号:CN101314823B
公开(公告)日:2010-10-13
申请号:CN200810058693.4
申请日:2008-07-17
Applicant: 昆明理工大学
CPC classification number: Y02P10/212
Abstract: 本发明涉及一种从含铊渣中提取金属铊的方法,属于真空冶金技术领域。采用含铊渣在真空炉内三步蒸馏提取金属铊,控制真空度为8~40Pa,时间为30~60min,三步蒸馏温度分别为在450℃~600℃、900-1100℃、700-850℃,在真空炉内提取铊的纯度可达99.9%以上,铊回收率可达90%以上。
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公开(公告)号:CN101487087A
公开(公告)日:2009-07-22
申请号:CN200910094094.2
申请日:2009-02-16
Applicant: 昆明理工大学
CPC classification number: Y02P10/212
Abstract: 本发明涉及一种低价氟化物歧化分解提取铝的方法。采用工业氧化铝或铝土矿为原料,以煤或焦炭为还原剂,用工业冰晶石或工业氟化铝作为氟化剂,在真空炉内,控制压力为10~500Pa、温度1300℃~1700℃,反应60-120min,得到AlF,控制冷凝区域温度600℃~900℃,AlF歧化分解为金属铝和三氟化铝,获得的金属铝纯度为92.5%以上,三氟化铝的回收率达到78%以上。
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公开(公告)号:CN101481112A
公开(公告)日:2009-07-15
申请号:CN200910094078.3
申请日:2009-02-04
Applicant: 昆明理工大学
Inventor: 戴永年 , 马文会 , 杨斌 , 伍继君 , 王飞 , 刘大春 , 徐宝强 , 谢克强 , 周阳 , 姚耀春 , 郁青春 , 秦博 , 曲涛 , 邓勇 , 熊恒 , 汪竞福 , 刘永成 , 周晓奎
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明涉及一种工业硅熔体直接氧化精炼提纯的方法,将熔融态工业硅通过中间包加入到加热吹炼炉的石墨坩埚中,采用中频感应加热的方式保持硅熔体温度在1450~1600℃,并向熔体中吹入压缩空气和SiO2-CaO熔渣氧化物粉末的气-固混合物进行氧化精炼,去除硅中大部分金属杂质Al、Ca、Ti等以及少量杂质元素B;然后关闭压缩空气,吹入氧化性气体H2O蒸气,去除剩余的金属杂质和非金属杂质B;最后吹入H2,除去硅中杂质元素P。达到硅中金属杂质减低至1.0ppmw以下,非金属杂质B和P分别降低至0.2ppmw和0.5ppmw以下,电阻率达到2.5Ω·cm以上的目的。
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公开(公告)号:CN101383409A
公开(公告)日:2009-03-11
申请号:CN200810233465.6
申请日:2008-10-22
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种制备多孔锂离子电池正极材料的方法,以铁盐、锂盐和磷酸盐为原料,以模板剂为模板,经配料后装入容器中,在60-80℃的温度下,使其晶化水热反应1-7天,将其蒸干后在保护气氛下升温至600-800℃,恒温烧结10-24小时,在炉内自然冷却至室温便得到多孔的磷酸铁锂。该制备方法能有效地控制所得磷酸铁锂粒径的大小,直接合成纳米级的磷酸铁锂/碳复合材料,产品的粒径大小在300-700纳米之间;所得多孔磷酸铁锂材料规则纳米孔隙的存在能提高其扩散性能和电导率,提高其电化学性能,因为孔状相互交联的结构提供了更多的锂离子活性位置,确保了离子有较好的扩散性能,此外还可以减轻循环过程中因体积膨胀引起的材料本身结构的破坏,保证了电池的循环寿命。
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公开(公告)号:CN215585775U
公开(公告)日:2022-01-21
申请号:CN202122200871.6
申请日:2021-09-13
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本实用新型涉及一种电解铝厂可移动烟气净化装置,属于烟气净化技术领域。该装置包括车厢、车轮、烟气吸收罩、进气管和废气处理装置,车厢的底端设置有车轮,车厢的底部设置废气处理装置,废气处理装置包括除尘腔体和净化腔体,烟气吸收罩固定设置在进气管的A端头,烟气吸收罩的B端头向下延伸至除尘腔体底部,除尘腔体的中部水平设置有过滤层,烟气吸收罩的B端头位于过滤层的下方,过滤层的正下方设置有积灰槽,过滤层的正上方设置有连接管,连接管的排气端延伸至净化腔体的吸收液内,净化腔体的顶部设置有排气管。本实用新型通过烟气吸收罩吸收废气,经除尘并吸收废气中的含氟气体和二氧化硫,防止危害人员和环境。
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公开(公告)号:CN208532948U
公开(公告)日:2019-02-22
申请号:CN201820849276.0
申请日:2018-06-04
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本实用新型涉及一种制备钛硅合金的熔盐电解装置,属于熔盐电解装置技术领域。该装置包括炉体、耐火保温层、加热电阻丝、石墨坩锅、阴极、石墨托盘、导电金属棒、惰性气体腔Ⅰ、进气孔、坩埚、熔盐、惰性气体腔Ⅱ、炉盖、排气孔。本实用新型直接采用石墨坩埚底壁作为电解反应阳极,电解制备钛硅合金直接收集在坩埚内;采用本实用新型的装置可克服制备钛铁合金中存在反应温度高、设备要求高、工艺流程长、原料要求苛刻及收集处理困难等问题。
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