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公开(公告)号：CN101486908A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910094079.8
申请日：2009-02-04
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C09K11/84
Abstract: 一种红色长余辉发光材料及其制备，以Gd2O2S为基质，Eu3+为激活剂，适量掺杂TiO2，MgO与TiO2共掺杂，SiO2与TiO2共掺杂。其组成为Gd2O2S:Eu3+，Ti4+；Gd2O2S:Eu3+，Mg2+，Ti4+或Gd2O2S:Eu3+，Si4+，Ti4+。制备该发光材料的各原料的质量百分含量分别为：氧化钆：32.27％～33.98％，氧化铕：1.02％～2.73％，硫磺：32.0％～38.0％，无水碳酸钠：23.1％～28.2％，碳酸锂：3.9％～4.8％，氧化镁：0～0.58％，二氧化硅：0～0.87％，二氧化钛：0.19％～1.15％，并且氧化钆与氧化铕的摩尔比：。焙烧温度1240℃～1280℃，保温2.0～3.0h。该发光材料的发射峰值约627nm。经过紫外灯或可见光(如太阳光和日光灯)照射，具有显著的明亮纯正的红色长余辉发光特性。可用于应急指示灯，如公共场所停电时，人群疏散的安全出口指示，消防通道标志及其它特定场合的红色警示等。
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公开(公告)号：CN101481112B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200910094078.3
申请日：2009-02-04
Applicant: 昆明理工大学
Inventor： 戴永年 , 马文会 , 杨斌 , 伍继君 , 王飞 , 刘大春 , 徐宝强 , 谢克强 , 周阳 , 姚耀春 , 郁青春 , 秦博 , 曲涛 , 邓勇 , 熊恒 , 汪竞福 , 刘永成 , 周晓奎
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明涉及一种工业硅熔体直接氧化精炼提纯的方法，将熔融态工业硅通过中间包加入到加热吹炼炉的石墨坩埚中，采用中频感应加热的方式保持硅熔体温度在1450～1600℃，并向熔体中吹入压缩空气和SiO2-CaO熔渣氧化物粉末的气-固混合物进行氧化精炼，去除硅中大部分金属杂质Al、Ca、Ti等以及少量杂质元素B；然后关闭压缩空气，吹入氧化性气体H2O蒸气，去除剩余的金属杂质和非金属杂质B；最后吹入H2，除去硅中杂质元素P。达到硅中金属杂质减低至1.0ppmw以下，非金属杂质B和P分别降低至0.2ppmw和0.5ppmw以下，电阻率达到2.5Ω·cm以上的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100372762C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200610010654.8
申请日：2006-01-25
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明涉及一种制备太阳能级多晶硅的方法，采用冶金级硅作为原料，经破磨后得粒度为50目以上的硅粉物料，硅粉物料分别用浓度为1-6mol/l的盐酸、浓度为0.5-6mol/l的硝酸和浓度为1-5mol/l的氢氟酸进行酸浸处理，酸浸后加入真空炉内进行真空精炼处理，真空精炼分两阶段，第一阶段为真空氧化精炼，控制炉内温度为1430-1500℃，真空度为90000-1000Pa，第二阶段，即真空蒸馏精炼和真空脱气阶段，控制炉子真空度10-2-10-5Pa，温度1430-1500℃，最后经定向凝固及切头处理，获得太阳能级多晶硅产品。其硅的纯度为99.9999%以上，比电阻超过0.4Ω.cm，以满足太阳能电池行业所需硅原料的要求。
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公开(公告)号：CN101462723A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200910094007.3
申请日：2009-01-05
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/025 , C22C21/02
Abstract: 本发明涉及一种真空碳热还原制备高纯硅及铝硅合金的方法，采用含二氧化硅和三氧化二铝物料为原料，各种不同的碳为还原剂。在真空炉内碳热还原得到金属铝、硅和二氧化硅的混合物，将所生成的金属铝、硅和二氧化硅的混合物与造渣剂进行混合，加热到1500℃以上，二氧化硅造渣去除，并得到熔融态的富含硅的铝硅合金，然后经过定向冷凝，得到高纯硅和铝硅合金。获得的高纯硅纯度大于99.99wt％，铝硅合金中铝和硅的含量总和大于80wt％。工艺流程短、成本低、经济效益高。
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公开(公告)号：CN1803598A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200610010654.8
申请日：2006-01-25
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明涉及一种制备太阳能级多晶硅的方法，采用冶金级硅作为原料，经破磨后得粒度为50目以上的硅粉物料，硅粉物料分别用浓度为1－6mol/l的盐酸、浓度为0.5－6mol/l的硝酸和浓度为1－5mol/l的氢氟酸进行酸浸处理，酸浸后加入真空炉内进行真空精炼处理，真空精炼分两阶段，第一阶段为真空氧化精炼，控制炉内温度为1430－1500℃，真空度为90000－1000Pa，第二阶段，即真空蒸馏精炼和真空脱气阶段，控制炉子真空度10－2－10－5Pa，温度1430－1500℃，最后经定向凝固及切头处理，获得太阳能级多晶硅产品。其硅的纯度为99.9999％以上，比电阻超过0.4Ω·cm，以满足太阳能电池行业所需硅原料的要求。
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公开(公告)号：CN101462723B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910094007.3
申请日：2009-01-05
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/025 , C22C21/02
Abstract: 本发明涉及一种真空碳热还原制备高纯硅及铝硅合金的方法，采用含二氧化硅和三氧化二铝物料为原料，各种不同的碳为还原剂。在真空炉内碳热还原得到金属铝、硅和二氧化硅的混合物，将所生成的金属铝、硅和二氧化硅的混合物与造渣剂进行混合，加热到1500℃以上，二氧化硅造渣去除，并得到熔融态的富含硅的铝硅合金，然后经过定向冷凝，得到高纯硅和铝硅合金。获得的高纯硅纯度大于99.99wt％，铝硅合金中铝和硅的含量总和大于80wt％。工艺流程短、成本低、经济效益高。
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公开(公告)号：CN101481112A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910094078.3
申请日：2009-02-04
Applicant: 昆明理工大学
Inventor： 戴永年 , 马文会 , 杨斌 , 伍继君 , 王飞 , 刘大春 , 徐宝强 , 谢克强 , 周阳 , 姚耀春 , 郁青春 , 秦博 , 曲涛 , 邓勇 , 熊恒 , 汪竞福 , 刘永成 , 周晓奎
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明涉及一种工业硅熔体直接氧化精炼提纯的方法，将熔融态工业硅通过中间包加入到加热吹炼炉的石墨坩埚中，采用中频感应加热的方式保持硅熔体温度在1450～1600℃，并向熔体中吹入压缩空气和SiO2－CaO熔渣氧化物粉末的气－固混合物进行氧化精炼，去除硅中大部分金属杂质Al、Ca、Ti等以及少量杂质元素B；然后关闭压缩空气，吹入氧化性气体H2O蒸气，去除剩余的金属杂质和非金属杂质B；最后吹入H2，除去硅中杂质元素P。达到硅中金属杂质减低至1.0ppmw以下，非金属杂质B和P分别降低至0.2ppmw和0.5ppmw以下，电阻率达到2.5Ω·cm以上的目的。
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