一种主动脉弓腔内修复手术中重建弓部分支动脉的支架

    公开(公告)号:CN113813091A

    公开(公告)日:2021-12-21

    申请号:CN202111101191.7

    申请日:2021-09-18

    Abstract: 本发明涉及一种主动脉弓腔内修复手术中重建弓部分支动脉的支架,所述的主动脉弓腔内修复手术中重建弓部分支动脉的支架包括支架主体;所述的支架主体顶端设有左颈总动脉开窗和左锁骨下动脉开窗;所述的左颈总动脉开窗和左锁骨下动脉开窗底部通过涤纶材料分别缝制有呈“裤管形”的左颈总动脉分支和左颈总动脉分支;所述的左颈总动脉分支和左颈总动脉分支末端均通过编织型支架构建。其优点表现在:用于主动脉瘤累及左颈总动脉和左锁骨下动脉时,重建弓部分支动脉,维持分支动脉的血流灌注,改善头颈部和上肢血供情况,减少患者的缺血性并发症。

    选通器及其制备方法
    122.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113421965A

    公开(公告)日:2021-09-21

    申请号:CN202110680038.8

    申请日:2021-06-18

    Abstract: 本发明提供了一种选通器,包括底电极、阻变层和顶电极。所述选通器的阻变层固定于底电极上,顶电极固定于阻变层上,底电极的组成材料为ITO导电玻璃,阻变层为钙钛矿薄膜,顶电极的组成材料为银,选通器结构简单,生产效率高,选通器开启速度快,具有较高开关比,通过简单的电场扫描刺激,可以促使银元素进入阻变层,进而提高选通器的阈值开关速度,具有稳定的双向阈值开关性能。本发明还提供了所述选通器的制备方法,包括清洗ITO导电玻璃;配制有机无机杂化钙钛矿溶液;通过旋涂工艺将有机无机杂化钙钛矿溶液旋涂于ITO导电玻璃上,形成钙钛矿薄膜;通过真空蒸发工艺在所述钙钛矿薄膜上沉积银电极。所述选通器的制备方法简单,成本低。

    GaN基开关集成单元与GaN基开关管的晶圆结构的制备方法

    公开(公告)号:CN112992895A

    公开(公告)日:2021-06-18

    申请号:CN202110111817.6

    申请日:2021-01-27

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明提供了一种GaN基开关集成单元与GaN基开关管的晶圆结构的制备方法,其中的制备方法,包括:在所述P型衬底上形成若干N阱;在所述P型衬底上依次外延多个外延层;基于所述多个外延层,形成每个GaN基开关管的器件层;其中的第一GaN基开关管的器件层形成在所述N阱上,第二GaN基开关管的器件层形成在所述N阱外的所述P型衬底上;在所述第一GaN基开关管的器件层与所述第二GaN基开关管的器件层上分别形成第一衬底连接部与第二衬底连接部。本发明兼顾了高侧管、低侧管的集成需求,以及高侧管、低侧管衬底电压变化的一致性。

    一种外延TFET沟道的半浮栅晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN110416287A

    公开(公告)日:2019-11-05

    申请号:CN201910618158.8

    申请日:2019-07-10

    Abstract: 本发明属于半导体技术领域,具体为一种外延TFET沟道的半浮栅晶体管及其制备方法。本发明的半浮栅晶体管包括:衬底,具有第一掺杂类型,并有第二掺杂类型的重掺杂区;第一栅氧化层,部分覆盖重掺杂区;轻掺杂硅层,在重掺杂区表面上并延伸覆盖部分第一栅氧化层;第一多晶硅层,具有第一掺杂类型,在第一栅氧化层上,并覆盖部分所述轻掺杂硅层;第二栅氧化层,在第一多晶硅层和轻掺杂硅层上;第二多晶硅层,具有第二掺杂类型,在第二栅氧化层上;栅极侧墙;源区和漏区,在衬底中、栅极侧墙两侧。本发明提高了沟道和漏端电场随位置变化的斜率,使得TFET的隧穿从点隧穿变为面隧穿,从而大大提高半浮栅晶体管的隧穿几率,提高器件的速度。

    一种快速成像式隧道天空比测量方法

    公开(公告)号:CN104864850A

    公开(公告)日:2015-08-26

    申请号:CN201510350726.2

    申请日:2015-06-23

    CPC classification number: G01C11/04

    Abstract: 本发明公开了一种快速成像式隧道天空比测量方法,涉及相互连接并安装于汽车内的快速成像设备和计算机,该测量方法在汽车行驶过程中,利用快速成像设备对隧道洞口进行连续成像并将所采集的照片保存于计算机中,之后利用计算机通过图像处理技术获得隧道洞口的天空比数据。本发明的优点是,测量方法简单,通过数字成像技术实现隧道天空比的快速现场测量;直接在行车过程中连续快速拍摄隧道洞口场景,从照片中获得连续记录的距离信息以及天空比数据,避免了封道测量带来的交通阻塞和测试安全问题,可大大减少现场测量时间和成本,为隧道工作者提供了很大的方便。

    一种InP反型n沟道场效应管及其制备方法

    公开(公告)号:CN102544103B

    公开(公告)日:2014-09-03

    申请号:CN201210005872.8

    申请日:2012-01-10

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于微电子技术领域,具体涉及一种InP反型n沟道场效应管及其制备方法。该nMOSFET主要由表面晶格方向为(111)A的InP半导体衬底、高介电常数栅介质和金属栅源漏电极组成。本发明中的nMOSFET结构,表现出优异的电流特性。同时,在连续直流电压的扫描激励下,该器件的饱和电流性能稳定可靠,其电流漂移值几乎为零。这种nMOSFE结构解决了长久以来InPMOSFET器件上的电流漂移问题。本发明还进一步提供了上述nMOSFET结构的集成制备方法。

    一种应用于MOSFETs器件的超高速Id-Vg测试方法

    公开(公告)号:CN102565660A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201210000912.X

    申请日:2012-01-04

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于金属氧化物半导体晶体管测试技术领域,具体涉及一种用于高性能MOSFET晶体管器件的Id-Vg测试方法。该方法是在测试回路中用一个接近晶体管开态电阻阻值的片状电阻代替待测晶体管,测得两路脉冲信号:栅极电压脉冲信号和漏极电流经过Op电流电压放大器放大后的电压信号,从而进行信号同步的修正;并且在同一实验平台上设置电源电压为零时,测得晶体管的位移电流信号,从而进行位移电流造成的误差修正。本发明方法操作简单、几乎零成本,但是效果显著,测试精确,适用于以III-V族半导体、锗、石墨烯、各种纳米管、线等结构为载流子沟道的高电流性能MOSFETs晶体管上高介电常数栅介质可靠性方面的研究。

    一种开瓣式弓上血管覆膜支架

    公开(公告)号:CN218832963U

    公开(公告)日:2023-04-11

    申请号:CN202222192920.0

    申请日:2022-08-19

    Abstract: 本实用新型公开了一种开瓣式弓上血管覆膜支架,包括直筒型的覆膜支架段和花瓣形支架段,所述花瓣形支架段连接于所述覆膜支架段的近端;使用状态下,所述第二支架张开,使所述第二支架与所述覆膜支架段近端截面组成花瓣形结构。本实用新型提供的开瓣式弓上血管覆膜支架,花瓣形支架段首先张开,后撤输送鞘遇到阻力时说明花瓣形支架段整体贴合至主体支架内的覆膜材料上,此时弓上血管覆膜支架能够完全固定球囊扩张过程中损伤的主体支架中的覆膜材料,避免了覆膜材料脱落造成远端栓塞的风险,同时能够避免支架与窗眼之间的缝隙,并降低内漏的发生及支架疲劳性断裂。

    一种足踝部手术支架
    129.
    实用新型

    公开(公告)号:CN217489188U

    公开(公告)日:2022-09-27

    申请号:CN202221683464.3

    申请日:2022-06-30

    Abstract: 本实用新型提供了一种足踝部手术支架,包括:底座;腿部支撑板,沿平行于侧板的方向可移动地设置在底板上;脚部支撑板,与侧板垂直设置,并在竖直方向上可进行转动;腿部固定件,用于对腿部支撑板上的腿部进行固定;以及脚部固定件,用于对脚部支撑板上的脚部进行固定。在本实用新型中,因为腿部支撑板和脚部支撑板配合腿部固定件和脚部固定件能够对患者的腿部和足部进行固定,所以能够保证在进行足踝部手术时不会受到患者足踝部活动的影响。又因为腿部支撑板可移动的设置在底板上以及脚部支撑板在竖直方向上可进行转动,所以可根据患者的身材调节腿部支撑板的位置,并能够精确调整踝关节前后方向成角的角度。

    一种骨科内固定置钉辅助器

    公开(公告)号:CN214966530U

    公开(公告)日:2021-12-03

    申请号:CN202023177038.6

    申请日:2020-12-25

    Abstract: 本实用新型属医疗器械技术领域,涉及一种骨科内固定置钉辅助器,尤其是跟骨骨折载距突螺钉定位导向器,包括基座、第一导轨、第二导轨、第一定位孔、第二定位孔以及第三定位孔;所述基座整体呈四边形状,基座上设有平行的两条凹槽,所述第一导轨和第二导轨分别设置在所述两条凹槽内;所述第一定位孔可滑动的连接于所述第一导轨;所述第二定位孔可滑动的连接于所述第二导轨;所述第三定位孔固定连接于所述基座,并位于所述基座一侧边的外侧边角处;所述基座的一侧边平行于所述凹槽;所述第一定位孔位于所述基座的外侧,与所述第三定位孔在同一侧;所述第二定位孔位于所述基座的另一侧边的外侧。本实用新型结构简单、使用方便,能快速精确命中载距突。

Patent Agency Ranking