公开(公告)号：CN113517285A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202110248345.9

申请日：2021-03-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王天宇 ,  孟佳琳 ,  何振宇 ,  陈琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种二维互补型存储器及其制备方法。本发明二维互补型存储器包括：衬底；底电极阵列，包括多条沿第一方向延伸，沿第二方向排列的线状底电极；在底电极阵列上依次形成的第一BN二维材料层、石墨烯二维材料层、第二BN二维材料层；以及顶电极阵列，包括多条沿第二方向延伸，沿第一方向排列的线状顶电极，其中，所述第一方向与所述第二方向垂直。本发明采用独立的互补型存储器解决交叉阵列中的“潜行电流”问题，提高了材料的选择范围，同时全二维材料构建的范德瓦尔斯异质结作为互补型存储器的功能层，可缩减至原子级别的厚度，有效提高二维存储器的高密度集成能力。

公开(公告)号：CN112349788A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202011217544.5

申请日：2020-11-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈琳 ,  孟佳琳 ,  王天宇 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/24 ,  H01L29/51 ,  H01L21/34 ,  H01L31/032 ,  H01L31/113 ,  H01L31/18 ,  G06N3/063

Abstract: 本发明公开一种二维/零维混合结构的人工异质突触器件及制备方法。该人工异质突触器件包括：柔性衬底；背栅电极，形成在柔性衬底上；隧穿层，形成在背栅电极上；电荷俘获层，其为零维量子点，具有电荷俘获功能，形成在隧穿层上；阻挡层，形成在电荷俘获层上；沟道，其为二维材料，具有双面功能不对称特征，形成在阻挡层上；源漏电极，形成在沟道两侧，利用二维材料高效的光吸收效率，通过虚拟的光学栅完成神经突触前端的模拟，同时利用电学调制实现神经突触另一个前端的模拟，配合器件的源极模拟的神经突触后端，共同组成人工异质突触器件。实现了光电双调制，有效地解决了单纯的电调制中信息获取和数据处理分离的问题，并降低了功耗。

公开(公告)号：CN109273466A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201811023396.6

申请日：2018-09-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈琳 ,  王天宇 ,  何振宇 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种三维图像传感器及其制备方法。本发明的图像传感器包括：CMOS反相信号处理器芯片，其具有第一SOI晶圆；形成在第一SOI晶圆上CMOS反相信号处理器；第一金属互连布线层和第一钝化层；形成在第一金属互连线上、第一钝化层中的第一嵌入式电极。光电二极管芯片，其具有第二SOI晶圆；形成在第二SOI晶圆上的光电二极管；第二金属互连布线层和第二钝化层；形成在第二金属互连线上、第二钝化层中的第二嵌入式电极。第一嵌入式电极和第二嵌入式电极相互对应键合。本发明可同时实现高分辨率和高帧率的目标，解决了TSV或微凸块尺寸较大、像素共享的问题，具有像素并行信号处理功能。