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公开(公告)号：CN109190245A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811015010.7
申请日：2018-08-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 本发明公开了一种基于LTSPICE软件的SiC MOSFET SPICE模型的建立方法，所述方法包括如下步骤：步骤一、SiC MOS建模；步骤二、体二极管建模；步骤三、PCB寄生参数建模；步骤四：通过Saber快速建模和实际测量计算寄生参数，提取建立SiC MOSFET的模型的各项参数，基于提取的参数在LTspice软件中建立SiC MOSFET SPICE模型，通过双脉冲仿真测试与厂家提供模型进行对比，验证建立模型的正确性。本发明结合Saber软件的Model Architect参数提取工具、MOSFET分部分建模及LTSPICE仿真分析等方法，建立了一种精度高、通用性强的SPICE模型。
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公开(公告)号：CN109190244A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811011865.2
申请日：2018-08-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种N沟道VDMOSFET在PBTI效应下退化模型的建立方法，所述方法如下：步骤一：基于RD模型理论分析N沟道VDMOSFET在PBTI效应下的退化机理，确定阈值电压为退化模型的敏感参数；基于TCAD仿真，向MOSFET模型中注入缺陷，验证阈值电压作为敏感参数的正确性；步骤二：结合幂律模型和阿伦尼乌斯模型提出N沟道VDMOSFET的PBTI退化模型；步骤三：以幂律模型为基础对下降段和上升段分别建模，合并上升段和下降段模型，得到电应力退化模型；步骤四：基于电应力退化模型建立PBTI效应下的关于电热应力退化模型。本发明所建立的退化模型可直接用于VDMOSFET的寿命预测和可靠性评估中。
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公开(公告)号：CN107798186A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710994397.4
申请日：2017-10-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5009 , G06F2217/76
Abstract: 本发明提供一种电磁继电器触簧系统贮存退化表征参数的确定方法，包括如下步骤：建立电磁继电器仿真模型；对触簧系统进行贮存退化试验并建立贮存退化模型；将试验数据采集时刻代入退化模型中，得到对应的触簧系统退化状态；修改触簧系统仿真模型参数，实现触簧系统的贮存退化注入；对注入了不同贮存退化程度的电磁继电器仿真模型进行动态仿真，获取对应外特性的仿真退化数据；分别构建各外特性的贮存退化模型；选取其中有确定退化趋势的外特性；判断选定外特性的仿真退化数据与触簧系统贮存退化状态的线性相关性，确定所选定的输出特性是否为触簧系统贮存退化表征参数。本发明解决了贮存过程中无法直接监测电磁继电器触簧系统退化程度的问题。
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公开(公告)号：CN107742046A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201711092963.9
申请日：2017-11-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5009
Abstract: 一种考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法。本发明涉及一种考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法。步骤一：在Simulink软件中建立待分析电路的定性模型；步骤二：根据所述定性模型及电路功能，确定由继电器类单机所控制的激励器件及执行器件；步骤三：按照继电器类单机贮存退化过程中t时刻的动作时间分布情况，通过蒙特卡洛方法随机抽样组合生成n组动作时间数据，作为激励器件的输入数据；步骤四：将所述n组动作时间数据分别输入至步骤一所建立的Simulink电路定性模型中。本发明用于考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法。
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公开(公告)号：CN107357955A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710418855.X
申请日：2017-06-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开一种综合考虑制造和温度噪声的电子系统参数设计方法，包括：由可控因素、第一参数噪声因素和第二参数噪声因素的基础数据，建立稳健性参数设计分析表；计算所述分析表的目标仿真结果；由内外表下的第二参数统计得到中心值及方差；归一化处理；确定第一参数噪声权重和第二参数噪声权重，得到第二参数噪声评估值；将所述第二参数噪声评估值填入内外表中，统计内表对应的信噪比和灵敏度特征值；对所述信噪比和灵敏度特征值进行方差分析，确定优化后的参数水平组合；通过模拟获得优化前后设计不同第二参数下的输出分布；如果优化方案满足要求，则停止优化；否则调整所述第一参数噪声权重和所述第二参数噪声权重，重新优化参数水平组合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107016142A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610157920.3
申请日：2016-03-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036 , G06F2217/16
Abstract: 本发明目的在于提供一种基于近似模型的电磁继电器快速计算方法，属于继电器产品性能分析技术领域。首先，基于插值思想构建反映电磁继电器输出特性与过程变量的自定义函数作为Kriging模型的基函数；其次，通过拉丁超立方抽样方法建立Kriging模型的误差函数，从而构建基于Kriging方法的电磁系统近似模型；之后，基于变形能法建立反力特性计算近似模型；最后，基于数值方法求解继电器动态特性方程组，完成电磁继电器动态特性的快速计算。本发明提出的电磁继电器快速计算方法兼顾了计算精度及计算速度，可用于电磁继电器结构优化及稳健性设计等分析领域中。
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公开(公告)号：CN105914104A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610423179.0
申请日：2016-06-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开一种双永磁长短轭铁极面单稳态电磁机构，包括线圈、线圈骨架、转轴、衔铁、轭铁、永磁体，其中，所述轭铁包括左轭铁、右轭铁和下轭铁，所述左轭铁和右轭铁相对设置，所述线圈骨架以及所述线圈设置在所述左轭铁和所述右轭铁之间；所述下轭铁设置在所述左轭铁和所述右轭铁之间，并且位于所述线圈上方，所述下轭铁的两端分别通过永磁体与所述左轭铁和所述右轭铁相连；所述衔铁通过所述转轴可枢转地与所述下轭铁相连，位于所述下轭铁的上方，所述衔铁的两端分别具有第一极面和第二极面，用以分别和所述左轭铁以及右轭铁相接触。
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公开(公告)号：CN103150448A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310097446.6
申请日：2013-03-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 继电器批次产品释放电压一致性控制方法，本发明涉及继电器批次产品释放电压一致性控制方法。本发明是要解决继电器产品研发过程中缺乏一致性控制方法指导研发人员对可控参数分配合理的容差，进而导致制造过程中批次产品一致性差的问题，而提出了继电器批次产品释放电压一致性控制方法。一、正交试验设计；二、试验数据贡献率分析；三、建立容差分配目标函数；四、确定关键参数及其容差；五、继电器制造过程控制。本发明应用于继电器研发阶段的一致性控制领域。
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公开(公告)号：CN101509961B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200910119603.2
申请日：2009-03-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R33/02
Abstract: 本发明为一种条形永磁铁截面磁通测量装置及其测量方法，其中所述的条形永磁铁截面磁通测量装置，其包括：一基座；导向轨道组，其一端设置于所述的基座上；一工作台，其上用以安置一条形永磁铁，所述的工作台沿所述的导向轨道组上下滑动；一测量线圈夹具，其设置于所述的导向轨道组上，其上设置有测量线圈，所述的测量线圈与所述的条形永磁铁相对应；一限位结构，其用以限定所述的工作台在所述的导向轨道组上的位置；一磁通计，其与所述的测量线圈相连接。
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公开(公告)号：CN101487877B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200910071434.X
申请日：2009-02-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/327
Abstract: 本发明的目的在于提供一种性能指标均匀、试验效率高、试验结果可靠、为电弧理论研究提供有效保证的开关电器触头分断电弧试验方法及其装置。它是由机械系统和电路系统组成的；机械系统连接电路系统。本发明一种开关电器触头分断电弧试验方法及其装置，包括继电器电弧试验和模拟电弧试验。本发明解决了电弧理论研究过程中理论分析或计算结果难以验证的难题。提出了一种继电器电弧试验方法和一种模拟继电器电弧试验方法。满足了电弧试验过程中对各种试验条件的要求，解决了试验效率低、试验结果可信度差的问题。为深入理解燃弧机理、分析电弧特性，进而提出快速灭弧的方法以提高继电器性能和可靠性提供有效支持。
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