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公开(公告)号：CN107748826A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201711092964.3
申请日：2017-11-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5009
Abstract: 一种继电器耐力学性能贮存退化分析方法，属于继电器产品性能分析技术领域。根据继电器设计参数建立其触簧系统振动仿真模型；对触簧系统进行贮存退化试验，基于应力松弛理论建立触簧系统的贮存退化模型；将贮存退化模型进行离散化，并据此修改仿真模型实现触簧系统贮存退化注入，计算得到常闭触点间预压力值的退化情况；对实现退化注入的触簧系统振动仿真模型进行模态分析与频率响应分析，确定其谐振频率及对应接触力响应值的退化情况；比较对应于不同贮存时间的预压力值与接触力响应值，判断继电器的耐力学性能是否满足要求，实现继电器耐力学性能贮存退化分析。本发明能够解决在设计阶段无法给出长贮过程中继电器耐力学性能变化情况的问题。
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公开(公告)号：CN107748826B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201711092964.3
申请日：2017-11-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种继电器耐力学性能贮存退化分析方法，属于继电器产品性能分析技术领域。根据继电器设计参数建立其触簧系统振动仿真模型；对触簧系统进行贮存退化试验，基于应力松弛理论建立触簧系统的贮存退化模型；将贮存退化模型进行离散化，并据此修改仿真模型实现触簧系统贮存退化注入，计算得到常闭触点间预压力值的退化情况；对实现退化注入的触簧系统振动仿真模型进行模态分析与频率响应分析，确定其谐振频率及对应接触力响应值的退化情况；比较对应于不同贮存时间的预压力值与接触力响应值，判断继电器的耐力学性能是否满足要求，实现继电器耐力学性能贮存退化分析。本发明能够解决在设计阶段无法给出长贮过程中继电器耐力学性能变化情况的问题。
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公开(公告)号：CN107742046B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201711092963.9
申请日：2017-11-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法。本发明涉及一种考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法。步骤一：在Simulink软件中建立待分析电路的定性模型；步骤二：根据所述定性模型及电路功能，确定由继电器类单机所控制的激励器件及执行器件；步骤三：按照继电器类单机贮存退化过程中t时刻的动作时间分布情况，通过蒙特卡洛方法随机抽样组合生成n组动作时间数据，作为激励器件的输入数据；步骤四：将所述n组动作时间数据分别输入至步骤一所建立的Simulink电路定性模型中。本发明用于考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法。
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公开(公告)号：CN107742046A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201711092963.9
申请日：2017-11-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5009
Abstract: 一种考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法。本发明涉及一种考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法。步骤一：在Simulink软件中建立待分析电路的定性模型；步骤二：根据所述定性模型及电路功能，确定由继电器类单机所控制的激励器件及执行器件；步骤三：按照继电器类单机贮存退化过程中t时刻的动作时间分布情况，通过蒙特卡洛方法随机抽样组合生成n组动作时间数据，作为激励器件的输入数据；步骤四：将所述n组动作时间数据分别输入至步骤一所建立的Simulink电路定性模型中。本发明用于考虑继电器类单机贮存退化的潜通路分析方法。
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