公开(公告)号：CN108363023A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810109810.9

申请日：2018-02-05

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 翟国富 ,  陈丽影 ,  陈岑 ,  张开新 ,  叶雪荣

IPC: G01R31/40

Abstract: 本发明公开了一种基于故障-测试相关性矩阵的开关电源在线故障诊断装置及方法，所述装置包括开关电源模块、信号切换及调理模块、上位机系统、示波器，所述的开关电源模块设置有若干个故障注入点和关键测试节点；所述的信号切换及调理模块与开关电源模块的关键测试节点相连；所述的上位机系统与开关电源模块、信号切换及调理模块、示波器相连；所述的示波器与信号切换及调理模块、上位机系统相连。本发明可实时监测开关电源各关键节点的电压信号变化情况，通过上位机系统处理分析数据，对开关电源的故障进行诊断。本发明适用于大多数开关电源的状态监测，具有很高的移植性，可以为其他电源的状态监测及故障诊断提供平台。

公开(公告)号：CN109190245B

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811015010.7

申请日：2018-08-31

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶雪荣 ,  张开新 ,  王跃 ,  李浩翔 ,  翟国富

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了一种基于LTSPICE软件的SiC MOSFET SPICE模型的建立方法，所述方法包括如下步骤：步骤一、SiC MOS建模；步骤二、体二极管建模；步骤三、PCB寄生参数建模；步骤四：通过Saber快速建模和实际测量计算寄生参数，提取建立SiC MOSFET的模型的各项参数，基于提取的参数在LTspice软件中建立SiC MOSFET SPICE模型，通过双脉冲仿真测试与厂家提供模型进行对比，验证建立模型的正确性。本发明结合Saber软件的Model Architect参数提取工具、MOSFET分部分建模及LTSPICE仿真分析等方法，建立了一种精度高、通用性强的SPICE模型。

公开(公告)号：CN108333532A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810109817.0

申请日：2018-02-05

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶雪荣 ,  张开新 ,  吴丽琴 ,  王跃 ,  翟国富

IPC: G01R31/40

CPC classification number: G01R31/40

Abstract: 本发明公开了一种用于反激电源在线监测的设备和测试方法，所述设备包括反激电源模块、信号切换及调理模块、上位机系统、示波器，其中：所述的反激电源模块设置有若干个关键测试节点；所述的信号切换及调理模块与反激电源模块的关键测试节点相连；所述的上位机系统与信号切换及调理模块、示波器相连；所述的示波器与信号切换及调理模块、上位机系统相连。本发明通过上位机的人机交互界面直接设置所需测试的电路节点，待示波器自动测试完成后，将数据传输到上位机并保存。通过本发明可实时准确地监测反激电源各关键节点的电压信号变化情况，并可以通过上位机系统对历史数据进行调用及处理分析。

公开(公告)号：CN106646269A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610444235.9

申请日：2016-06-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 翟国富 ,  吕明东 ,  张开新 ,  陈丽影 ,  叶雪荣

IPC: G01R31/40

Abstract: 本发明提供一种高压电源故障激发监测装置，包括：高压电源模块，其关键节点分为高压节点和低压节点两类；随机振动试验台，激发所述高压电源模块在振动应力下可能出现的故障模式；低压节点切换调理模块，用于将所述低压节点的电压信号调理至允许的电压测量范围内；低压节点数据采集模块，用以采集测量经由所述低压节点切换调理模块处理后的低压节点信号；高压节点切换分压模块，用于将所述高压节点的电压信号分压到允许的电压测量范围内；高压节点数据采集模块，用以采集测量经由所述高压节点切换分压模块降压选择后的高压节点信号；上位机系统，用于接收所述低压节点信号和所述高压节点信号，并发出控制指令，以控制切换相应的节点电压信号。

公开(公告)号：CN106646269B

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201610444235.9

申请日：2016-06-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 翟国富 ,  吕明东 ,  张开新 ,  陈丽影 ,  叶雪荣

IPC: G01R31/40

Abstract: 本发明提供一种高压电源故障激发监测装置，包括：高压电源模块，其关键节点分为高压节点和低压节点两类；随机振动试验台，激发所述高压电源模块在振动应力下可能出现的故障模式；低压节点切换调理模块，用于将所述低压节点的电压信号调理至允许的电压测量范围内；低压节点数据采集模块，用以采集测量经由所述低压节点切换调理模块处理后的低压节点信号；高压节点切换分压模块，用于将所述高压节点的电压信号分压到允许的电压测量范围内；高压节点数据采集模块，用以采集测量经由所述高压节点切换分压模块降压选择后的高压节点信号；上位机系统，用于接收所述低压节点信号和所述高压节点信号，并发出控制指令，以控制切换相应的节点电压信号。

公开(公告)号：CN109190245A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201811015010.7

申请日：2018-08-31

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶雪荣 ,  张开新 ,  王跃 ,  李浩翔 ,  翟国富

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5036

Abstract: 本发明公开了一种基于LTSPICE软件的SiC MOSFET SPICE模型的建立方法，所述方法包括如下步骤：步骤一、SiC MOS建模；步骤二、体二极管建模；步骤三、PCB寄生参数建模；步骤四：通过Saber快速建模和实际测量计算寄生参数，提取建立SiC MOSFET的模型的各项参数，基于提取的参数在LTspice软件中建立SiC MOSFET SPICE模型，通过双脉冲仿真测试与厂家提供模型进行对比，验证建立模型的正确性。本发明结合Saber软件的Model Architect参数提取工具、MOSFET分部分建模及LTSPICE仿真分析等方法，建立了一种精度高、通用性强的SPICE模型。

公开(公告)号：CN109190244A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201811011865.2

申请日：2018-08-31

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶雪荣 ,  张开新 ,  杨赟 ,  王浩南 ,  翟国富

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了一种N沟道VDMOSFET在PBTI效应下退化模型的建立方法，所述方法如下：步骤一：基于RD模型理论分析N沟道VDMOSFET在PBTI效应下的退化机理，确定阈值电压为退化模型的敏感参数；基于TCAD仿真，向MOSFET模型中注入缺陷，验证阈值电压作为敏感参数的正确性；步骤二：结合幂律模型和阿伦尼乌斯模型提出N沟道VDMOSFET的PBTI退化模型；步骤三：以幂律模型为基础对下降段和上升段分别建模，合并上升段和下降段模型，得到电应力退化模型；步骤四：基于电应力退化模型建立PBTI效应下的关于电热应力退化模型。本发明所建立的退化模型可直接用于VDMOSFET的寿命预测和可靠性评估中。