公开(公告)号：CN101253458A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200680031240.1

申请日：2006-05-10

Applicant: 株式会社富士金 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  西野功二 ,  土肥亮介 ,  池田信一 ,  永濑正明 ,  平田薰 ,  杉田胜幸 ,  筱原努 ,  广濑隆 ,  今井智一 ,  吉田俊英 ,  田中久士

IPC: G05D7/06 ,  F16K27/00 ,  F16L55/00 ,  G01F1/42

CPC classification number: F16K27/003 ,  F16L55/02718 ,  G01F1/36 ,  G01F15/001 ,  G01F15/005 ,  G05D7/0635

Abstract: 本发明的目的在于，不分解、组装压力式流量控制装置，就能简单地更换其节流器，从而可容易地进行控制流量的切换。本发明的节流器更换型压力式流量控制装置，在具有流体供给用配管的连接部的入口侧安装用块(39)和具有流体取出用配管的连接部的出口侧安装用块(43)之间，配置压力式流量控制装置(A)的控制阀(2)的阀体(23)，通过使该阀体(23)的流体入口侧与前述入口侧安装用块(39)、前述阀体(23)的流体出口侧与前述出口侧安装用块(43)分别能够分解地以气密状态连接，形成气体通过前述控制阀(2)流通的流路，并且，在设置于前述阀体(23)的出口侧的垫片型节流器插入孔(42c)与出口侧安装用块(43)的垫片型节流器插入孔(43b)之间，拆装自如地插入压力式流量控制装置(A)的垫片型节流器(38)。

公开(公告)号：CN101243733A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200680029502.0

申请日：2006-08-04

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，即使被处理基板大面积化，仍可进行均匀的处理，其是使导入到波导管(102)的微波通过狭缝(103)传播到电介体板(104)，使供给到真空容器中的气体等离子体化，从而对基板(107)表面实施等离子体处理的装置，并列配置多个波导管(102)，在每个波导管(102)上设有多个电介体板(104)，并在相邻的电介体板104之间配置由导体构成且接地的间隔部件(106)。上下地移动短路器(111)，将波导管(102)的管内波长调整到最佳值。此外，在电介体板与相邻的部件的间隙不会产生意料外的等离子体，能够有效地产生稳定的等离子体。其结果，可进行高速且均匀的蚀刻、成膜、清洗、灰化等处理。

公开(公告)号：CN101218375A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200680025075.9

申请日：2006-07-12

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  日本陶瓷科技股份有限公司

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  森永均 ,  岸幸男 ,  大泷浩通 ,  传井美史

IPC: C23C26/00 ,  C23C16/40 ,  B08B3/12 ,  C23C28/04 ,  C23C14/08 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C4/00 ,  B08B3/02 ,  B08B3/12 ,  B08B2203/0288 ,  C23C4/02 ,  C23C4/11 ,  C23C16/405 ,  C23C16/545 ,  C23C26/00 ,  C23C28/04 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/252

Abstract: 现在，迅速且经济性地提供大型的陶瓷构件处于困难的状况。通过在比较容易制作的材料上形成的基材上形成陶瓷膜，构成多层构造体。陶瓷膜可以通过等离子体熔射、CVD、PVD或者溶胶－凝胶法等方法制成，另外也可以通过与熔射膜组合的方法进行成膜。

公开(公告)号：CN101176187A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200680012975.X

申请日：2006-04-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 桶作正广 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/205 ,  B24B37/00 ,  C23C16/455 ,  B24B1/04 ,  H01L21/3065

CPC classification number: B24B5/485 ,  B24B1/04 ,  C04B35/111 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/945 ,  C23C16/45565 ,  Y10T29/49996

Abstract: 本发明提供一种喷淋板，其处理气体的喷出孔结构简单且能容易地加工形成，而且喷出孔尺寸精度高，不发生处理气体的喷出偏差和不均，具有一定品质和互换性。压制成型低介电率陶瓷材料用粉末，将外形尺寸成形为留有烧结收缩余料和精加工余料的圆板状，在该圆板状成形体阶段，在穿设完气体导入通路(3)和喷出孔(2)的成形体用孔后进行烧结，并将气体导入通路(3)和喷出孔主体部分(2b)的表面粗糙度研磨至1s以内，一边使前端部分为前端渐细形状的研磨用线材插通喷出口(2a)并往复移动，一边顺次向线材直径大的方向滑动，由此精加工成直径在0.1以上不满0.3mm范围内，尺寸精度在±0.002mm以内，且表面粗糙度在1s以内。

公开(公告)号：CN101155944A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200680011225.0

申请日：2006-03-28

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社 ,  株式会社丰田自动织机

Inventor： 大见忠弘 ,  松冈孝明 ,  中山尚三 ,  伊藤日艺

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/12 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C14/564 ,  C23C14/12 ,  C23C14/228 ,  C23C14/24 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/56

Abstract: 一种成膜装置及成膜方法。成膜装置具有向喷出容器内喷出有机EL分子气体的结构，具有多个有机EL原料容器、连接多个有机EL原料容器和喷出容器的配管系，多个有机EL原料容器有选择地成为有机EL分子供给状态，该配管系供给输送气体，使得在各有机EL原料容器内，在成膜时和非成膜时成为相同的压力。在非成膜时，输送气体从有机EL原料容器之一流向其它原料容器。

公开(公告)号：CN103858212B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201280047608.9

申请日：2012-07-24

Applicant: 株式会社富士金 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  白井泰雪 ,  永濑正明 ,  山下哲 ,  日高敦志 ,  土肥亮介 ,  西野功二 ,  池田信一 ,  平尾圭志

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/448

CPC classification number: C23C16/4481

Abstract: 本发明提供能够使气化器内的压力的举动稳定的气化器。本发明的气化器具备：腔，其具备流入口以及流出口；加热装置，其加热该腔内；隔壁构造体(13)，其设于该腔内，并将该腔内的液体材料划分到多个区划；以及液体流通部(20)，其设于隔壁构造体(13)的下部，以容许利用隔壁构造体(13)划分的各区划之间的液体流通，所述隔壁构造体具有格子状、蜂窝状、网孔状、或管状的隔壁。

公开(公告)号：CN103688058A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201280036240.6

申请日：2012-06-27

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 岩城征道 ,  大见忠弘 ,  大山健二 ,  阿久津功

IPC: F04C18/16 ,  F04C29/00

CPC classification number: F04D3/02 ,  F04C18/086 ,  F04C18/16 ,  F04C25/02 ,  F04C27/004 ,  F04C2230/602 ,  F04C2230/91 ,  F05C2225/00 ,  Y10T29/49236

Abstract: 本发明提供即便使螺杆转子与定子的间隙的宽与以往相比格外狭小也可以充分确保旋转的安全性、可以大幅提高泵的排气性能的定子。本发明的定子（106）以由加工成定子用的不锈钢等金属形成的基材为构成母体，在基材的与螺杆转子的齿的前端面（201）相对向的内壁面（203）上设置有PFA膜。PFA膜为通过在内壁面（203）上涂装PFA后，经过熔融与再熔融的过程而形成，从而赋予其自由表面以高平滑性。本发明的定子以定子（106）的内壁面（203）与螺杆齿槽部（103）的齿的前端面（201）之间存在间隔的方式被配置。对于内壁面（203）上的PFA膜的自由表面与前端面（201）的间隔的宽，通过按规定设置有本发明的PFA膜，从而可以比以往更加狭小。

公开(公告)号：CN102037423B

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN200980118159.0

申请日：2009-03-10

Applicant: 株式会社富士金 ,  国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  西野功二 ,  土肥亮介 ,  永濑正明 ,  杉田胜幸 ,  平田薰 ,  广濑隆 ,  筱原努 ,  池田信一 ,  吉田俊英 ,  田中久士

IPC: G05D7/06 ,  G01F1/00 ,  G01F1/42 ,  G01F7/00 ,  G05D16/20

CPC classification number: G05D7/0635 ,  G01F1/42 ,  G01F7/005 ,  Y10T137/0379

Abstract: 本发明是使用了流量范围可变型流量控制装置的流体流量控制方法，该装置使得压力式流量控制装置的控制阀的下游侧和流体供给用管道之间的流体通道为至少两个以上的并列状流体通道，并且使流体流量特性不同的孔口分别位于所述各并列状的流体通道中，在第1流量域的流体的流量控制中，使所述第1流量域的流体流过一个孔口，并且在第2流量域的流体的流量控制中使所述第2流量域的流体流过至少另一个孔口，选定所述各孔口的流量特性，使得所述小流量的第1流量域的流体的最大控制流量小于所述大流量的第2流量域的最大控制流量的10％，在规定的流量控制误差内流量控制将第1流量域中的可能的最小流量降低。

公开(公告)号：CN103443910A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201280000929.3

申请日：2012-04-05

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  诹访智之

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/02 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67757 ,  H01L29/045

Abstract: 本发明为表面由单原子层的台阶形成有呈阶梯状的多个平台的硅晶片，在所述晶片中不存在滑移线。

公开(公告)号：CN101903562B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN200880122240.1

申请日：2008-12-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  后藤哲也 ,  田中宏治

IPC: C23C16/511 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/18 ,  C23C16/24 ,  C23C16/511 ,  H01L31/028 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1812 ,  H01L31/1816 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种能够通过微波等离子体进行高效/快速成膜、并且防止氧的混入、且降低缺陷数的光电转换元件制造装置和方法以及光电转换元件，本发明涉及在衬底(W)上通过微波等离子体CVD法来形成半导体的层积膜的光电转换元件制造装置(100)，所述光电转换元件制造装置(100)包括：腔室(10)，所述腔室(10)是密闭空间，并且所述腔室(10)中内置有载放衬底的基座，所述衬底(W)是要形成薄膜的对象；第一气体供应部(40)，其对所述腔室(10)内的等离子体激发区域提供等离子体激发气体；调压部(70)，其调整所述腔室(10)内的压力；第二气体供应部(50)，其对所述腔室(10)内的等离子体扩散区域提供原料气体；微波施加部(20)，其将微波导入到所述腔室(10)内；以及偏置电压施加部(60)，其对所述衬底(W)根据所述气体种类来选择并施加衬底偏置电压。