公开(公告)号：CN117318622A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202310755190.7

申请日：2023-06-25

Applicant: 硅实验室公司

Inventor： 穆罕默德·M·埃尔克霍利 ,  弗朗西斯科·巴拉莱 ,  蒂亚戈·平托·吉亚·马克斯 ,  史蒂芬·斯考格 ,  哈康·伯利

IPC: H03B5/06 ,  H03K19/0175 ,  H03K19/17704

Abstract: 第一三态驱动器在晶体振荡器的启动阶段期间通过输入节点将第一时钟信号注入晶体中，并且第二三态驱动器在启动阶段期间通过输出节点将第二信号注入晶体中。第一信号和第二信号是反相信号。晶体振荡器电路包括在启动和稳态操作期间使用的第一放大器，并且包括第二放大器。在固定时间之后，禁用通过输入节点和输出节点的注入。在注入结束之后，如果输出节点上的电压已经达到期望电压，则第二放大器接通，否则关断。如果第二放大器接通，则当输出节点上的电压达到期望电压时，第二放大器关断。

公开(公告)号：CN108418577B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN201810131099.7

申请日：2018-02-09

Applicant: 硅实验室公司

Inventor： A·K·杜塔 ,  E·阿塔拉 ,  N·M·爱金逊

IPC: H03K19/0185

Abstract: 本申请公开具有减小的泄漏电流的电子电路的装置及相关方法。一种装置包括集成电路(IC)，该IC包括互补金属氧化物半导体(CMOS)电路，该CMOS电路包括耦合至供电电压和至少一个输入信号的上拉网络。IC还包括第一金属氧化物半导体(MOS)晶体管，其耦合至上拉网络和第一偏置电压以减小CMOS电路的栅极感应漏极泄漏(GIDL)电流。

公开(公告)号：CN107769774B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN201710695276.X

申请日：2017-08-15

Applicant: 硅实验室公司

Inventor： M·弗鲁姆 ,  A·穆克赫吉 ,  J·M·库里

IPC: H03L7/10 ,  H03L1/02

Abstract: 本申请涉及具有提高的精度的振荡器装置及相关方法。一种装置包括产生具有第一频率的输出信号的第一振荡器。该装置还包括产生具有第二频率的输出信号的第二振荡器。第二频率作为温度的函数而变化。该装置还包括控制器，该控制器对第二振荡器的输出信号的周期数进行计数，以便确定是否校准第一振荡器。

公开(公告)号：CN107436856B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN201710382296.1

申请日：2017-05-26

Applicant: 硅实验室公司

Inventor： K·W·弗纳尔德

IPC: H04L69/08 ,  H04L69/14 ,  H04L12/40

Abstract: 一种装置包括电路，该电路包括使用两种通信模式经由链路传送信息的通信电路。在第一通信模式中，通信电路使用通信协议来传送信息。在第二通信模式中，通信电路在不触发使用通信协议的通信的情况下传送信息。

公开(公告)号：CN110061706B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN201811533016.3

申请日：2018-12-14

Applicant: 硅实验室公司

Inventor： R.斯林尼瓦森 ,  S.瓦萨迪 ,  Z.王 ,  M.H.克罗鲁 ,  J.M.库里 ,  A.A.拉菲 ,  M.S.约翰逊 ,  F.巴拉尔 ,  S.X.吴

IPC: H03F1/32 ,  H03F3/195 ,  H03K3/017 ,  H03K5/156 ,  H04B1/04 ,  H03K19/0185

Abstract: 在实施例中，一种装置包括：传送电路，其用于将基带信号上变换成第一差分射频（RF）信号，所述传送电路将所述第一差分RF信号变换成第一单端RF信号；占空比校正电路，其耦合到所述传送电路，用于接收所述第一单端RF信号并且补偿所述第一单端RF信号中的占空比变化，以输出经占空比校正的RF信号；变换电路，其用于将经占空比校正的RF信号变换成第二差分RF信号；以及接口电路，其用于将所述第二差分RF信号从第一地面域传递到第二地面域。

公开(公告)号：CN115913847A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211205485.9

申请日：2022-09-30

Applicant: 硅实验室公司

Inventor： F·皮罗

IPC: H04L27/00 ,  H04L27/26

Abstract: 提供了将具有不规则载波间隔的前导部分用于频率同步。在一个实施例中，一种装置包括：射频（RF）前端电路，用于接收RF信号并将其下变频为第二频率信号，所述RF信号包括正交频分复用（OFDM）发射；耦合到RF前端电路的数字化器，用于将第二频率信号数字化为数字信号；以及耦合到数字化器以处理数字信号的基带处理器。基带电路包括具有第一多个相关器的第一电路，所述第一多个相关器具有不规则梳状结构，所述第一多个相关器中的每一个与载波频率偏移相关联，并且用于计算OFDM发射的前导的第一部分上的第一相关性。

公开(公告)号：CN114637369A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202111240198.7

申请日：2021-10-25

Applicant: 硅实验室公司

Inventor： H·魏 ,  B·布鲁恩 ,  P·扎瓦尔尼

IPC: G06F1/06 ,  G06F1/12

Abstract: 本公开涉及数据延迟补偿器电路。公开一种用于补偿数据延迟的电路。该电路利用内部时钟信号。该内部时钟信号经过I/O缓存器以变成外部时钟。然后，该外部时钟经过I/O缓存器以创建返回时钟信号。内部时钟信号和返回时钟信号之间的这个差被定义为I/O延迟。在某些实施例中，该I/O延迟可以是多于一个时钟周期，这通常导致同步逻辑的不正确操作。本电路通过用于捕获和同步返回数据的新颖方法而允许N个时钟周期的I/O延迟，其中N大于一。这允许高速微控制器利用较低速度的I/O缓存器来减少干扰，或允许这些微控制器与较慢外部设备对接。

公开(公告)号：CN109556757B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN201810978687.4

申请日：2018-08-27

Applicant: 硅实验室公司

Inventor： M·M·艾尔赛义德 ,  K·W·弗纳尔德

IPC: G01K13/00

Abstract: 本申请公开了在电子电路系统中感测温度的装置和相关的方法。一种装置包括温度测量电路。温度测量电路包括带隙电路，该带隙电路包括具有通过使用修整位的集合来补偿的偏移电压的放大器。带隙电路提供与待测量的温度有关的第一电压和第二电压。温度测量电路还包括测量电路，该测量电路经耦合以接收第一电压和第二电压。测量电路还包括比较器，该比较器经耦合以接收第一电压和第二电压，其中测量电路从第一电压和第二电压导出温度测量。

公开(公告)号：CN111342853B

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN201911200289.0

申请日：2019-11-29

Applicant: 硅实验室公司

Inventor： J.皮尔 ,  P.O.尼尔森

IPC: H04B1/16 ,  H04B1/00

Abstract: 在一个实施例中，设备包括：混频器，其用于将至少包括感兴趣的第一信道的第一RF信号和感兴趣的第二信道的第二RF信号的射频（RF）谱向下转换成至少第一第二频率信号和第二第二频率信号；第一数字化器，其用于将所述第一第二频率信号数字化成第一数字化信号，所述第一数字化器配置成作为低通模数转换器（ADC）进行操作；第二数字化器，其用于将所述第二第二频率信号数字化成第二数字化信号，所述第二数字化器配置成作为带通ADC进行操作；以及数字处理器，其用于数字地处理第一数字化信号和第二数字化信号。

公开(公告)号：CN106817092B

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN201611102664.4

申请日：2016-11-29

Applicant: 硅实验室公司

Inventor： 袁刚 ,  S·严 ,  M·鲍威尔

IPC: H03F1/30 ,  H03F3/45

Abstract: 本申请用于电子电路中偏移修正的装置和相关方法。具体地，公开一种装置，该装置包括具有主体并耦合在电路中的第一场效应管(FET)。该装置还包括具有主体并耦合在该电路中的第二场FET。该电路由于失配而具有偏移。该装置进一步包括耦合到第一FET的主体并耦合到第二FET的主体的偏移修正电路。该偏移修正电路为向第一FET的主体提供第一偏移修正信号并向第二FET的主体提供第二偏移修正信号。