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公开(公告)号：CN114726318A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210378195.8
申请日：2016-11-29
Applicant: 硅实验室公司
Abstract: 本申请题为“用于电子电路中偏移修正的装置和相关方法”。具体地，公开一种装置，该装置包括具有主体并耦合在电路中的第一场效应管(FET)。该装置还包括具有主体并耦合在该电路中的第二场FET。该电路由于失配而具有偏移。该装置进一步包括耦合到第一FET的主体并耦合到第二FET的主体的偏移修正电路。该偏移修正电路为向第一FET的主体提供第一偏移修正信号并向第二FET的主体提供第二偏移修正信号。
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公开(公告)号：CN106817092A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201611102664.4
申请日：2016-11-29
Applicant: 硅实验室公司
CPC classification number: H03K17/687 , H03F1/0205 , H03F3/45179 , H03F3/45278 , H03F3/45726 , H03F3/45892 , H03F2203/45038 , H03F2203/45212 , H03F2203/45696 , H03F2203/45726 , H03F1/301 , H03F3/45744
Abstract: 本申请用于电子电路中偏移修正的装置和相关方法。具体地，公开一种装置，该装置包括具有主体并耦合在电路中的第一场效应管(FET)。该装置还包括具有主体并耦合在该电路中的第二场FET。该电路由于失配而具有偏移。该装置进一步包括耦合到第一FET的主体并耦合到第二FET的主体的偏移修正电路。该偏移修正电路为向第一FET的主体提供第一偏移修正信号并向第二FET的主体提供第二偏移修正信号。
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公开(公告)号：CN114726318B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202210378195.8
申请日：2016-11-29
Applicant: 硅实验室公司
Abstract: 本申请题为“用于电子电路中偏移修正的装置和相关方法”。具体地，公开一种装置，该装置包括具有主体并耦合在电路中的第一场效应管(FET)。该装置还包括具有主体并耦合在该电路中的第二场FET。该电路由于失配而具有偏移。该装置进一步包括耦合到第一FET的主体并耦合到第二FET的主体的偏移修正电路。该偏移修正电路为向第一FET的主体提供第一偏移修正信号并向第二FET的主体提供第二偏移修正信号。
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公开(公告)号：CN106817092B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201611102664.4
申请日：2016-11-29
Applicant: 硅实验室公司
Abstract: 本申请用于电子电路中偏移修正的装置和相关方法。具体地，公开一种装置，该装置包括具有主体并耦合在电路中的第一场效应管(FET)。该装置还包括具有主体并耦合在该电路中的第二场FET。该电路由于失配而具有偏移。该装置进一步包括耦合到第一FET的主体并耦合到第二FET的主体的偏移修正电路。该偏移修正电路为向第一FET的主体提供第一偏移修正信号并向第二FET的主体提供第二偏移修正信号。
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