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公开(公告)号：CN106817092B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201611102664.4
申请日：2016-11-29
Applicant: 硅实验室公司
Abstract: 本申请用于电子电路中偏移修正的装置和相关方法。具体地，公开一种装置，该装置包括具有主体并耦合在电路中的第一场效应管(FET)。该装置还包括具有主体并耦合在该电路中的第二场FET。该电路由于失配而具有偏移。该装置进一步包括耦合到第一FET的主体并耦合到第二FET的主体的偏移修正电路。该偏移修正电路为向第一FET的主体提供第一偏移修正信号并向第二FET的主体提供第二偏移修正信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105634276A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510755411.6
申请日：2015-09-30
Applicant: 硅实验室公司
IPC: H02M3/156
Abstract: 一种方法，包括响应于在线性调节器的导通器件的控制端子处接收的信号，使用所述导通器件向所述线性调节器的输出端提供输出信号。所述方法包括至少部分地基于所述输出信号，使用所述线性调节器来调节在所述控制端子处接收的信号；以及控制所述线性调节器的闭环频率响应，以使所述线性调节器的直流增益即DC增益延伸到一频率，该频率接近或处于与耦合到所述线性调节器的所述输出端的去耦电容器相关联的零频率。
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公开(公告)号：CN106817092A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201611102664.4
申请日：2016-11-29
Applicant: 硅实验室公司
CPC classification number: H03K17/687 , H03F1/0205 , H03F3/45179 , H03F3/45278 , H03F3/45726 , H03F3/45892 , H03F2203/45038 , H03F2203/45212 , H03F2203/45696 , H03F2203/45726 , H03F1/301 , H03F3/45744
Abstract: 本申请用于电子电路中偏移修正的装置和相关方法。具体地，公开一种装置，该装置包括具有主体并耦合在电路中的第一场效应管(FET)。该装置还包括具有主体并耦合在该电路中的第二场FET。该电路由于失配而具有偏移。该装置进一步包括耦合到第一FET的主体并耦合到第二FET的主体的偏移修正电路。该偏移修正电路为向第一FET的主体提供第一偏移修正信号并向第二FET的主体提供第二偏移修正信号。
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公开(公告)号：CN114726318B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202210378195.8
申请日：2016-11-29
Applicant: 硅实验室公司
Abstract: 本申请题为“用于电子电路中偏移修正的装置和相关方法”。具体地，公开一种装置，该装置包括具有主体并耦合在电路中的第一场效应管(FET)。该装置还包括具有主体并耦合在该电路中的第二场FET。该电路由于失配而具有偏移。该装置进一步包括耦合到第一FET的主体并耦合到第二FET的主体的偏移修正电路。该偏移修正电路为向第一FET的主体提供第一偏移修正信号并向第二FET的主体提供第二偏移修正信号。
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公开(公告)号：CN105634276B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201510755411.6
申请日：2015-09-30
Applicant: 硅实验室公司
IPC: H02M3/156
Abstract: 一种方法，包括响应于在线性调节器的导通器件的控制端子处接收的信号，使用所述导通器件向所述线性调节器的输出端提供输出信号。所述方法包括至少部分地基于所述输出信号，使用所述线性调节器来调节在所述控制端子处接收的信号；以及控制所述线性调节器的闭环频率响应，以使所述线性调节器的直流增益即DC增益延伸到一频率，该频率接近或处于与耦合到所述线性调节器的所述输出端的去耦电容器相关联的零频率。
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公开(公告)号：CN114726318A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210378195.8
申请日：2016-11-29
Applicant: 硅实验室公司
Abstract: 本申请题为“用于电子电路中偏移修正的装置和相关方法”。具体地，公开一种装置，该装置包括具有主体并耦合在电路中的第一场效应管(FET)。该装置还包括具有主体并耦合在该电路中的第二场FET。该电路由于失配而具有偏移。该装置进一步包括耦合到第一FET的主体并耦合到第二FET的主体的偏移修正电路。该偏移修正电路为向第一FET的主体提供第一偏移修正信号并向第二FET的主体提供第二偏移修正信号。
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