公开(公告)号：CN109150158B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN201810571962.0

申请日：2018-06-06

Applicant: 硅实验室公司

Inventor： M·M·艾尔赛义德

IPC: H03K19/003 ,  H03K19/0185

Abstract: 本申请公开具有降低的泄漏电流的电子电路的装置及相关方法。一种装置包括集成电路(IC)，其包括互补金属氧化物半导体(CMOS)电路。CMOS电路包括p‑沟道晶体管网络，该p‑沟道晶体管网络包括具有栅极‑导致漏极泄漏(GIDL)电流的至少一个p‑沟道晶体管。该IC进一步包括原生金属氧化物半导体(MOS)晶体管，其经耦合以将偏置电压提供给至少一个p‑沟道晶体管以降低至少一个p‑沟道晶体管的GIDL电流。

公开(公告)号：CN109150158A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810571962.0

申请日：2018-06-06

Applicant: 硅实验室公司

Inventor： M·M·艾尔赛义德

IPC: H03K19/003 ,  H03K19/0185

Abstract: 本申请公开具有降低的泄漏电流的电子电路的装置及相关方法。一种装置包括集成电路(IC)，其包括互补金属氧化物半导体(CMOS)电路。CMOS电路包括p‑沟道晶体管网络，该p‑沟道晶体管网络包括具有栅极‑导致漏极泄漏(GIDL)电流的至少一个p‑沟道晶体管。该IC进一步包括原生金属氧化物半导体(MOS)晶体管，其经耦合以将偏置电压提供给至少一个p‑沟道晶体管以降低至少一个p‑沟道晶体管的GIDL电流。

公开(公告)号：CN109556757B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN201810978687.4

申请日：2018-08-27

Applicant: 硅实验室公司

Inventor： M·M·艾尔赛义德 ,  K·W·弗纳尔德

IPC: G01K13/00

Abstract: 本申请公开了在电子电路系统中感测温度的装置和相关的方法。一种装置包括温度测量电路。温度测量电路包括带隙电路，该带隙电路包括具有通过使用修整位的集合来补偿的偏移电压的放大器。带隙电路提供与待测量的温度有关的第一电压和第二电压。温度测量电路还包括测量电路，该测量电路经耦合以接收第一电压和第二电压。测量电路还包括比较器，该比较器经耦合以接收第一电压和第二电压，其中测量电路从第一电压和第二电压导出温度测量。

公开(公告)号：CN109556757A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201810978687.4

申请日：2018-08-27

Applicant: 硅实验室公司

Inventor： M·M·艾尔赛义德 ,  K·W·弗纳尔德

IPC: G01K13/00

CPC classification number: G01K7/02 ,  G01K7/01 ,  G01K2219/00 ,  G05F1/56 ,  G05F3/30 ,  H03K5/24 ,  G01K13/00

Abstract: 本申请公开了在电子电路系统中感测温度的装置和相关的方法。一种装置包括温度测量电路。温度测量电路包括带隙电路，该带隙电路包括具有通过使用修整位的集合来补偿的偏移电压的放大器。带隙电路提供与待测量的温度有关的第一电压和第二电压。温度测量电路还包括测量电路，该测量电路经耦合以接收第一电压和第二电压。测量电路还包括比较器，该比较器经耦合以接收第一电压和第二电压，其中测量电路从第一电压和第二电压导出温度测量。