公开(公告)号：CN108418577A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201810131099.7

申请日：2018-02-09

Applicant: 硅实验室公司

Inventor： A·K·杜塔 ,  E·阿塔拉 ,  N·M·爱金逊

IPC: H03K19/0185

CPC classification number: H03K17/161 ,  H03K17/162 ,  H03K2017/066 ,  H03K2217/0036 ,  H03K19/018521

Abstract: 本申请公开具有减小的泄漏电流的电子电路的装置及相关方法。一种装置包括集成电路(IC)，该IC包括互补金属氧化物半导体(CMOS)电路，该CMOS电路包括耦合至供电电压和至少一个输入信号的上拉网络。IC还包括第一金属氧化物半导体(MOS)晶体管，其耦合至上拉网络和第一偏置电压以减小CMOS电路的栅极感应漏极泄漏(GIDL)电流。

公开(公告)号：CN108418577B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN201810131099.7

申请日：2018-02-09

Applicant: 硅实验室公司

Inventor： A·K·杜塔 ,  E·阿塔拉 ,  N·M·爱金逊

IPC: H03K19/0185

Abstract: 本申请公开具有减小的泄漏电流的电子电路的装置及相关方法。一种装置包括集成电路(IC)，该IC包括互补金属氧化物半导体(CMOS)电路，该CMOS电路包括耦合至供电电压和至少一个输入信号的上拉网络。IC还包括第一金属氧化物半导体(MOS)晶体管，其耦合至上拉网络和第一偏置电压以减小CMOS电路的栅极感应漏极泄漏(GIDL)电流。