LED芯片无损阵列检测装置及方法

    公开(公告)号:CN113471091A

    公开(公告)日:2021-10-01

    申请号:CN202110532053.8

    申请日:2021-05-17

    Abstract: 本发明提出一种LED芯片无损阵列检测装置及方法,带有第一导电板的第一基板、带有第二导电板的第二基板、光信号检测系统、电信号检测系统和供电系统;所述第一导电层包括微电极阵列、行电极、列电极,以及用于分隔行、列电极的绝缘层;所述行电极与微电极阵列相连,所述列电极在水平方向上靠近但不接触微电极阵列;所述第二基板用于承载待测LED芯片;所述微电极阵列用于对应第二基板上表面的LED芯片阵列;所述第一基板在垂直方向靠近但不接触待测LED芯片。其每次只检测一颗LED芯片,可以同时完成对单颗LED芯片的电信号和光信号的采集,避免了传统LED芯片检测过程中,探针对LED芯片的损害,有利于提高检测芯片使用可靠性,延长LED芯片实际使用寿命。

    一种集成封装微显示芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN113299678A

    公开(公告)日:2021-08-24

    申请号:CN202110398179.0

    申请日:2021-04-14

    Abstract: 本发明涉及一种集成封装微显示芯片,其特征在于,包括衬底,蓝光Micro‑LED子像素、红光Micro‑OLED或Micro‑QLED子像素和红光Micro‑OLED或Micro‑QLED子像素;所述Micro‑LED子像素的n电极与Micro‑OLED或Micro‑QLED的其中一个电极相连,Micro‑LED子像素的p电极、红光Micro‑OLED或Micro‑QLED的另一个电极、绿光Micro‑OLED或Micro‑QLED的另一个电极分别引出,形成四个集成封装微显示芯片的引出电极。本发明将蓝光Micro‑LED子像素和红光Micro‑OLED或Micro‑QLED子像素以及绿光Micro‑OLED或Micro‑QLED子像素相结合,并通过晶圆级集成封装成一个较大尺寸的具有三基色可控发光的微显示像素芯片。

    双畴光配向LCD光路系统
    116.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112904620A

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN202110107547.1

    申请日:2021-01-27

    Abstract: 本发明提出一种双畴光配向LCD光路系统,包括:光源模组,用于提供入射方向不同的两组双畴配向光源;掩膜版模组,包括:带有透光区和非透光区的掩膜版;待配向基板,包括:两组不同配向角的配向区;所述配向角与双畴配向光源的入射方向相对应;每个所述透光区对应待配向基板的一个显示像素,每个所述显示像素包括两个不同配向角的配向区;所述掩膜版设置于待配向基板与光源模组之间,且掩膜版的透光区的中心位置在待配向基板上的投影位于同一个显示像素中两个配向区的中间。旨在解决在双畴光配向过程中掩膜版的对位误差问题以及减少曝光次数增加产能。

    一种基于波长下转换的无电学接触μLED发光器件

    公开(公告)号:CN110690328B

    公开(公告)日:2021-05-18

    申请号:CN201910982153.3

    申请日:2019-10-16

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于波长下转换的无电学接触μLED发光器件。包括μLED晶粒,波长下转换发光层,上、下驱动电极,绝缘体,光学微结构以及控制模块,所述上、下驱动电极和所述μLED晶粒无直接的电学接触,所述控制模块分别与所述上、下驱动电极电学连接,为所述上、下驱动电极提供交变驱动信号形成驱动电场,所述驱动电场控制所述μLED晶粒的电子和空穴复合并发出第一光源,经所述波长下转换发光层而转化为第二光源。本发明提出的一种基于波长下转换的无电学接触μLED发光器件中的驱动电极与μLED晶粒中p型半导体层和n型半导体层没有电学接触,能避免μLED发光器件中的芯片复杂制作工艺、以及μLED芯片与驱动芯片的键合和巨量转移工艺,有效降低μLED器件制作周期和成本。

    一种基于RGBW的Micro-LED光刻工艺

    公开(公告)号:CN112782944A

    公开(公告)日:2021-05-11

    申请号:CN202110106865.6

    申请日:2021-01-27

    Abstract: 本发明提出一种基于RGBW的Micro‑LED光刻工艺,包括以下步骤:步骤S101、在阵列基板受光面涂覆光刻胶;步骤S102、调整掩膜版,使所述掩膜版上的每个透光区的中心在所述阵列基板上的投影位于与该透光区相对应的所述显示像素的中心;其中,所述掩膜版与所述阵列基板之间的距离为第一距离;步骤S103、以四组光源通过掩膜版透光区对光刻胶曝光,每组光源对应一组相同颜色的所述子像素结构,每组所述光源的光照强度和光照时间使与不同颜色子像素结构对应的光刻胶部位所受光照存在差异;步骤S104、对阵列基板上的光刻胶溶解;步骤S105、烘干阵列基板,并对所述子像素进行刻蚀形成深度不同的储液槽;本发明可解决由于对量子点的封胶厚度不同导致子像素发光亮度不均衡的问题。

    一种自供电非易失性显示装置

    公开(公告)号:CN112782901A

    公开(公告)日:2021-05-11

    申请号:CN202110114259.9

    申请日:2021-01-28

    Abstract: 本发明涉及一种自供电非易失性显示装置。包括:第一绝缘层,置于第一绝缘层上的电极层,第二透明绝缘层,以及书写工具和擦除工具,在电极层和第二绝缘层之间填充的具有非易失性双稳态特性的显示介质,在电极层和第二透明绝缘层之间填充有隔离层。利用书写工具在第二透明绝缘层表面绘制图案,从而在书写工具划过的地方形成图形化分布的静电,形成局部电场驱动具有非易失性双稳态特性的显示介质,最终显示出该图案;利用擦除工具在第二透明绝缘层表面擦涂,消除所述局部电场,从而擦除已经显示的图案。本发明可应用于画图板、展示牌、广告牌、黑板等原型以传统纸张、油墨、碳粉、粉笔等为材料的显示领域,具有可重复使用与节能环保优点。

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