-
公开(公告)号：CN206727069U
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201720472036.9
申请日：2017-04-28
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种具有阻容二极管辅助触发SCR结构的ESD防护器件，可用于提高芯片的抗ESD能力。主要由P衬底、N阱、P阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第二P+注入区、第四N+注入区、第三P+注入区、第一多晶硅栅及其覆盖的第一薄栅氧化层和第二多晶硅栅及其覆盖的第二薄栅氧化层构成。在ESD应力作用下，当器件发生齐纳击穿时，一方面可形成由寄生阱电阻、MOS电容和栅控二极管构成的寄生阻容耦合辅助触发路径，以降低器件的触发电压和开启时间，另一方面可形成由一寄生PNP和两NPN构成的两条SCR结构电流泄放路径，以降低典型SCR结构的正反馈程度，提高器件的维持电压。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN205248270U
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201521063726.6
申请日：2015-12-17
Applicant: 江南大学
Abstract: 一种具有类鳍式LDMOS结构的高压ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、P阱、N阱、第一场氧隔离区、第一P+注入区、第一N+注入区、第一鳍式多晶硅栅、第二N+注入区、第二鳍式多晶硅栅、第三N+注入区、LDMOS多晶硅栅、第二P+注入区、第三鳍式多晶硅栅、第三P+注入区、第四鳍式多晶硅栅、第四P+注入区、第四N+注入区、第二场氧隔离区和第三场氧隔离区构成。该器件在ESD脉冲作用下，器件内部可形成LDMOS-SCR结构的ESD电流泄放路径、鳍式栅控反偏二极管结构的电流泄放路径、栅接电源PMOS与栅接地NMOS串联结构的电流泄放路径，可降低器件的触发电压、提高维持电压，增强器件的电压箝制能力和ESD鲁棒性，此外，鳍式栅控反偏二极管的设计可提高器件的开启速度。
-
公开(公告)号：CN204271080U
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201420783888.6
申请日：2014-12-11
Applicant: 江南大学
Abstract: 一种具有小回滞窗口的高压ESD保护器件，可用于片上高压IC的ESD保护电路。主要由P型衬底、N型埋层、N阱、P阱、若干个P+注入区、若干个N+注入区、多晶硅双栅和若干场氧隔离区构成。该保护器件可在高压ESD脉冲作用下，形成两条由LDMOS与SCR构成的ESD电流泄放路径。该电流泄放路径均以寄生的PNP管和N阱电阻为公共支路，以降低器件的电子发射率，提高维持电压和ESD鲁棒性。另一方面，通过在器件内部设计一齐纳二极管，以降低触发电压，实现具有小回滞窗口的高压ESD保护。
-
公开(公告)号：CN204067358U
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201420575237.8
申请日：2014-09-28
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种具有高维持电压内嵌GDPMOS的SCR器件，可用于高压片上IC的ESD保护电路。主要由P衬底、N阱、P阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第三P+注入区、金属阳极、金属阴极、多晶硅栅、薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该具有高维持电压内嵌GDPMOS的SCR器件在高压ESD脉冲作用下，一方面由第一P+注入区、N阱、第二N+注入区、P阱、第三N+注入区形成寄生SCR电流泄放路径，提高器件的失效电流、增强器件的ESD鲁棒性；另一方面利用第一P+注入区、多晶硅栅、薄栅氧化层与第二P+注入区形成的PMOS管，通过栅极接高电位形成GDPMOS管，以抑制SCR器件发生强回滞，提高器件的维持电压，增强器件的抗闩锁能力。
-
公开(公告)号：CN203659860U
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201320819393.X
申请日：2013-12-13
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种双重抗闩锁的环形LDMOS-SCR结构的高压ESD保护器件，可用于片上IC的高压ESD保护电路。包括P型衬底、N型埋层、第一P阱、第一N阱、第二P阱、P掺杂、第二N阱、第三P阱、隔离区、第一P+、第一N+、第二N+、第二P+、第三N+、第三P+、第四N+、第四P+、第五N+、第六N+、第五P+、金属阳极、金属阴极。其中由第二N+、第二P+、第一N+、第一P+或由第四P+、第五N+、第六N+、第五P+构成齐纳击穿ESD电流泄放路径，不仅可增强器件的ESD鲁棒性，还可提高维持电压，降低触发电压；LDMOS-SCR结构的环形版图设计，可减小导通电阻，提高维持电流；具有双重抗闩锁的ESD保护能力。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN203659859U
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201320801656.4
申请日：2013-12-09
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 一种具有高维持电流的环形VDMOS结构的ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底，N埋层，P下沉掺杂，N阱，P阱，第一P+注入区，第一N+注入区，第二N+注入区，第二P+注入区，第三N+注入区，第四N+注入区，第五P+注入区，多晶硅栅，栅薄氧化层和若干场氧隔离区构成。该环形VDMOS结构的ESD保护器件在高压ESD脉冲作用下，一方面可形成上、下、左、右四面导通的ESD电流路径，以提高VDMOS器件内部电流导通均匀性、降低导通电阻，提高器件的维持电流。另一方面，可利用高浓度的N埋层与P阱之间的反向PN结击穿，降低触发电压，提高体电流泄放能力。
-
公开(公告)号：CN203659858U
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201320799954.4
申请日：2013-12-09
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02 , H01L29/40 , H01L29/06 , H01L29/74 , H01L29/866
Abstract: 一种齐纳击穿的小回滞SCR结构的高压ESD保护器件，可用于片上IC的高压ESD保护电路。包括P型衬底、N型埋层、第一N阱、P阱、下沉P掺杂、第二N阱、隔离区、第一N+、第一P+、第二N+、第二P+、第三N+、第三P+、第四N+、第四P+、第五N+、第五P+、金属阳极、金属阴极。其中由第一金属阳极、金属阴极、第一N+、第一P+、第三N+、第三P+、第二N+、第二P+或由第二金属阳极、金属阴极、第五N+、第五P+、第三N+、第三P+、第四N+、第四P+构成齐纳击穿ESD电流泄放路径。齐纳击穿ESD电流泄放路径不仅可增强器件的ESD鲁棒性，还可提高器件的维持电压，适用于窄小ESD窗口的高压ESD保护。
-
公开(公告)号：CN209625016U
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201920387765.3
申请日：2019-03-26
Applicant: 江南大学
IPC: G05B19/042 , G01D21/02 , G05D22/02
Abstract: 本实用新型公开了一种应用于花卉管理的智能控制电路系统，包括单片机，所述单片机连接着电源电路模块和浇水电路模块，所述单片机还连接着水箱缺水报警电路模块、空气保湿电路模块和温湿度显示模块，所述水箱缺水报警电路模块由水位监测模块、蜂鸣器报警模块和红外检测模块构成，所述水位监测模块包括水位传感器，所述水位传感器用于感应检测水箱内的水位。本实用新型与现有技术相比，具备了水箱缺水报警功能和自动保湿功能，防止产品系统长时间非正常运行，保证了产品的使用效果，延长了产品的使用寿命。
-
公开(公告)号：CN205385023U
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201620186167.6
申请日：2016-03-11
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种具有强电压钳制和ESD鲁棒性的嵌入式高压LDMOS?SCR器件，可用于高压IC的片上ESD防护。主要由P衬底、P阱、N阱、第一场氧隔离区、第一P+注入区、第二场氧隔离区、第一N+注入区、第一鳍式多晶硅栅、第二N+注入区、第二鳍式多晶硅栅、第三N+注入区、第三鳍式多晶硅栅、多晶硅栅、第四鳍式多晶硅栅、第二P+注入区、第五鳍式多晶硅栅、第三P+注入区、第六鳍式多晶硅栅、第四P+注入区、第三场氧隔离区、第四N+注入区和第四场氧隔离区构成。该器件在ESD脉冲作用下，可形成源端内嵌NMOS叉指结构和漏端内嵌PMOS叉指结构的阻容耦合电流路径和LDMOS?SCR结构的ESD电流泄放路径，以增强器件的ESD鲁棒性，提高电压钳制能力。
-
公开(公告)号：CN205177841U
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201521062269.9
申请日：2015-12-17
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种具有内嵌叉指NMOS双向SCR结构的ESD保护器件，可用于片上IC的ESD保护电路。主要由P衬底、P外延、第一N阱、P阱、第二N阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第二P+注入区、第四N+注入区、第五N+注入区、第三P+注入区、第六N+注入区、若干多晶硅栅、若干薄栅氧化层、若干浅隔离槽构成。该器件一方面在正、反向的ESD脉冲作用下，器件内部均存在一条结构对称，电学特性完全相同的ESD电流泄放路径，可提高器件的ESD电流泄放能力，实现ESD脉冲的双向防护，另一方面由NMOS M1和M2管构成的叉指NMOS结构与寄生P阱电阻形成阻容耦合电流路径，以增强器件的ESD鲁棒性，降低SCR电流导通路径中的电流密度，增大SCR的导通电阻，提高维持电压。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
131
records
(took 0.022 seconds)
