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公开(公告)号：CN109280774A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811268803.X
申请日：2018-10-29
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C22B7/00 , C22B5/02 , C22B9/16 , C22B9/02 , C22B11/00 , C22B34/14 , C22B59/00 , C30B15/00 , C30B29/06
Abstract: 本发明涉及一种从失效催化剂中提取和富集稀贵金属的方法，属于稀贵金属二次资源回收再利用技术领域。将待处理失效催化剂、还原剂和铁氧化物或铜氧化物先进行低温还原，低温还原后再加入硅物料和添加剂进行高温熔炼捕集稀贵金属；或者将待处理失效催化剂、硅物料、添加剂和铁氧化物或铜氧化物直接在高温熔炼捕集稀贵金属；最后经渣金分离得到硅基合金和废渣；将得到的硅基合金经富集和分离后得到稀贵金属富集物和高纯硅；或者将得到的硅基合金经凝固、研磨和湿法浸出后得到含稀贵金属的浸出液和高纯硅；将得到的高纯硅作为硅物料重新循环使用，或送往光伏或电子产品企业作为制备太阳能级硅或电子级硅的原材料。本发明具有低成本、流程短的优点。
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公开(公告)号：CN108251866A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810166041.6
申请日：2018-02-28
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C25C3/28
Abstract: 本发明公开一种金属钛粉的制备方法，以TiO2为原料，按照H2与TiO2的摩尔比为1:2‑20:1的比例通入H2，在950‑1650℃下反应完后将产物通过熔盐电解，阴极产物经稀盐酸洗涤处理后得到金属钛粉；该发明使用Ti的低价化合物进行熔盐电解，其优点是钛的低价化合物在熔盐中的溶解度和溶解速度与TiO2相比得以大幅度的提高，保证了电解的顺利进行，而且电解过程中不会产生残余物。
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公开(公告)号：CN107324341A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710384575.1
申请日：2017-05-26
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/039
Abstract: 本发明涉及一种利用铝和氧气去除工业硅中杂质硼的方法，属于工业硅技术领域。首先将工业硅块进行破碎，并球磨至硅粉粒度为150～200目；将硅粉中添加金属铝颗粒混合均匀得到混合物料；将得到的混合物料加热到1300～1400℃，从顶部吹入流速为500mL/min的高纯Ar，硅铝熔液合金化20～30min；经硅铝熔液合金化后，保持温度不变，从顶部吹入氩气和氧气的混合气体精炼2～4h后停止通气，完成吹气精炼过程；吹气精炼过程完成后，停止加热，由底部通入1000mL/min的Ar保护气体，待炉内降至室温后取出坩埚，将样品表面的渣层分离后得到硅块；将得到的硅块进行破碎用盐酸清洗硅中的残铝，最后得到精炼后的硅粉。本发明向工业硅中添加铝，通过吹氧精炼，高效去除工业硅中硼杂质。
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公开(公告)号：CN106115717A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610706125.5
申请日：2016-08-23
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/037
CPC classification number: C01B33/037 , C01P2006/80
Abstract: 本发明涉及一种去除冶金级硅中杂质的方法，属于硅提纯技术领域。首先将少量的添加剂（锆、铪、含锆合金或含铪合金）和工业硅同时进行熔炼，待物料完全熔化后冷却至室温，并研磨成小于186μm的硅粉，先后用王水、HF＋HCl混酸进行酸洗得到高纯硅。本发明不仅能有效去除硅提纯领域中最难去除的硼杂质，对其他杂质的去除也有明显的效果。
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公开(公告)号：CN103344596A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310289557.7
申请日：2013-07-11
Applicant: 昆明理工大学
IPC: G01N21/33
Abstract: 本发明提供一种纳米多孔硅对银或铜离子定量分析的方法，将纳米多孔硅作为标准样采用紫外灯照射其表面，记录其发光波长和强度；将试验样分别置于一组具有浓度梯度的含银或铜离子水溶液中进行吸附，再用去离子水冲洗，然后以氮气吹干试验样，采用紫外灯照射其表面，记录其发光波长和强度；将所得发光波长和强度，按银、铜离子浓度与光致发光强度建立函数关系，采用相同方法检测待测含银或铜离子水溶液，用强度值I比对标准曲线，即得到待测含银或铜离子水溶液的浓度。该方法具有方便、操作简单、成本低和能实时监测等优点，通过简单对比多孔硅表面在与银、铜离子接触前后，在紫外灯照射下的颜色变化来达到对银、铜离子检测的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103342337A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310289616.0
申请日：2013-07-11
Applicant: 昆明理工大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种金属纳米颗粒辅助刻蚀法制备介孔硅纳米线的方法，属于半导体材料技术领域。将硅片预处理，再进行表面氧化处理，然后置于腐蚀液中静置，随后将其置于硝酸溶液中浸泡，再用大量去离子水冲洗后以氮气吹干，即得到介孔硅纳米线。与一般致密硅纳米相比，本发明制备得到的介孔硅纳米线中含有大量直径分布在2～50nm的小孔，且介孔硅纳米线保持一定的单晶特性；这使其具有更巨大的比表面积且表现一些独特的光学、电学特性，这使得介孔硅纳米线在纳米传感器、光学器件、纳米催化等领域中展现出巨大的运用前景。
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公开(公告)号：CN102031027A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010550307.0
申请日：2010-11-19
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化硅系高温红外辐射涂料及其制备方法。本发明一种高温炉窑内衬用红外辐射涂料，其成分以重量％计为：Fe2O35～15，Al2O310～20，MgO5～10，Cr2O35～10，余量为微硅粉，其制备方法是，将微硅粉应用于高温红外辐射涂料中。在微硅粉中添加Fe2O3、Al2O3、MgO和Cr2O3等金属氧化物，混和后在1200℃～1500℃温度下焙烧1～5h，破碎研磨后的80目筛下粉料可用于制备在高温下具有高辐射率的红外涂层原料。该氧化硅系红外辐射涂料可应用于1200℃以上的高温环境，其辐射率超过0.9，且抗热震性好，与炉窑内衬材料间的热匹配性能良好，达到国标要求，可应用于冶金、化工、机械、建材等行业。
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公开(公告)号：CN101565186B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200910094519.X
申请日：2009-05-26
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种硅中硼杂质的去除方法。用工业硅以及含硼的废料为原料，按硅与添加剂的重量比＝80∶1～2∶1的比例在硅粉中加入硫化物(CuS)、氯化物(CrCl3、FeCl3)、氟化物(VF3)变价化合物中的任意选择一种，经研磨成型后将混合物在氩气氛保护下，温度为600℃～1600℃条件下反应0.5～8h，使加入的化合物与硅中杂质硼反应生成气态化合物硫化硼，氯化硼或氟化硼挥发去除，随炉冷却。工业硅和含硼硅废料中B的含量降低到＜5×10-5wt％，即0.5ppmw，达到太阳能级多晶硅对硼杂质的要求。
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公开(公告)号：CN101974782A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010550306.6
申请日：2010-11-19
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种碳热还原制备金属硅和α-Al2O3晶须方法，采用含二氧化硅和三氧化二铝的物料(如粉煤灰、铝土矿和赤泥)为原料，碳为还原剂。在高温炉内控制温度1200℃～2000℃进行还原，后在500℃～1000℃进行冷凝，获得单质硅和α-Al2O3晶须。将硅分离后获得的α-Al2O3晶须直径均匀，为2μm～5μm，晶须长度100μm～200μm，长径比为20～100，且工艺流程短、成本低、得率高。本发明方法制备的α-Al3O3晶须具有高比强度、高比模量和高温抗氧化等优越的综合性能，主要用于高性能复合材料，尤其是高温结构陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN101967649A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN201010276265.6
申请日：2010-09-09
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C25B1/00
CPC classification number: C25B1/006
Abstract: 本发明提供一种复合熔盐电解质制备硅的方法，以硅石或二氧化硅为原料，以CaO-CaCl2为熔盐电解质，在硅石或二氧化硅原料中加入CaO-CaCl2熔盐电解质至混合物料中SiO2与CaO的质量比为2～30∶1，其中，CaO-CaCl2熔盐电解质中的CaO质量含量是CaO-CaCl2熔盐电解质质量含量的1～15％；在保护性气体环境中，升温加热至600～1000℃进行电解还原后，即得到单质硅。本发明使用的硅石或二氧化硅原料，不受形态控制，可以是块状，颗粒或者粉状；电解质CaO-CaCl2作为电解硅的混合熔盐体系，可直接溶解二氧化硅，提高硅产量和电解过程电流效率，且电解温度低，能耗低，产品直收率高，同时不产生温室气体和杂质。
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