公开(公告)号：CN107324341A

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201710384575.1

申请日：2017-05-26

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 伍继君 ,  杨鼎 ,  马文会 ,  魏奎先 ,  雷云 ,  谢克强 ,  秦博 ,  李绍元 ,  戴永年

IPC: C01B33/039

Abstract: 本发明涉及一种利用铝和氧气去除工业硅中杂质硼的方法，属于工业硅技术领域。首先将工业硅块进行破碎，并球磨至硅粉粒度为150～200目；将硅粉中添加金属铝颗粒混合均匀得到混合物料；将得到的混合物料加热到1300～1400℃，从顶部吹入流速为500mL/min的高纯Ar，硅铝熔液合金化20～30min；经硅铝熔液合金化后，保持温度不变，从顶部吹入氩气和氧气的混合气体精炼2～4h后停止通气，完成吹气精炼过程；吹气精炼过程完成后，停止加热，由底部通入1000mL/min的Ar保护气体，待炉内降至室温后取出坩埚，将样品表面的渣层分离后得到硅块；将得到的硅块进行破碎用盐酸清洗硅中的残铝，最后得到精炼后的硅粉。本发明向工业硅中添加铝，通过吹氧精炼，高效去除工业硅中硼杂质。

公开(公告)号：CN107324341B

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201710384575.1

申请日：2017-05-26

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 伍继君 ,  杨鼎 ,  马文会 ,  魏奎先 ,  雷云 ,  谢克强 ,  秦博 ,  李绍元 ,  戴永年

IPC: C01B33/039

Abstract: 本发明涉及一种利用铝和氧气去除工业硅中杂质硼的方法，属于工业硅技术领域。首先将工业硅块进行破碎，并球磨至硅粉粒度为150～200目；将硅粉中添加金属铝颗粒混合均匀得到混合物料；将得到的混合物料加热到1300～1400℃，从顶部吹入流速为500mL/min的高纯Ar，硅铝熔液合金化20～30min；经硅铝熔液合金化后，保持温度不变，从顶部吹入氩气和氧气的混合气体精炼2～4h后停止通气，完成吹气精炼过程；吹气精炼过程完成后，停止加热，由底部通入1000mL/min的Ar保护气体，待炉内降至室温后取出坩埚，将样品表面的渣层分离后得到硅块；将得到的硅块进行破碎用盐酸清洗硅中的残铝，最后得到精炼后的硅粉。本发明向工业硅中添加铝，通过吹氧精炼，高效去除工业硅中硼杂质。