公开(公告)号：CN115241369A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210902929.8

申请日：2022-07-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈琳 ,  房雨晴 ,  孟佳琳 ,  王天宇 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开一种柔性阻变存储器及其制备方法。该柔性阻变存储器包括：具有ITO导电层的柔性衬底，其中ITO导电层作为底电极；介质层，其为相变材料，形成在所述底电极上；顶电极，其为ITO材料，形成在所述介质层上，所述顶电极的厚度与所述底电极的厚度不同，以使得上下两个电极具有不同的提供铟导电细丝的能力，从而控制阻变过程，实现不同的阻值。

公开(公告)号：CN115172407A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210930734.4

申请日：2022-08-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈琳 ,  胡雪萌 ,  孟佳琳 ,  王天宇 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L27/28 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

Abstract: 本发明公开一种柔性NAND闪存存储器及其制备方法。该柔性NAND闪存存储器包括：柔性衬底；字线，形成在所述柔性衬底上；PMMA阻挡层，覆盖上述结构；俘获层，其为高k介质材料，形成在所述PMMA阻挡层上；隧穿层，形成在所述俘获层上；C8‑BTBT有机半导体层，形成在所述隧穿层上；共有源极线、位线，形成在所述C8‑BTBT有机半导体层。

公开(公告)号：CN115117091A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210930733.X

申请日：2022-08-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王天宇 ,  孟佳琳 ,  陈琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L27/1159 ,  H01L29/78 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开一种三栅型六位存储器件及其制备方法。该三栅型六位存储器件包括：衬底；三个栅电极，彼此间隔分布在所述衬底上；铁电栅介质层，其为有机铁电聚合物薄膜，覆盖上述结构；沟道层，其二维铁电半导体材料，形成在所述铁电栅介质层上；源电极和漏电极，形成在所述沟道层两侧，分别先后对三个栅电极施加正向电压，使有机铁电聚合物薄膜和二维铁电半导体材料发生不同程度的极化翻转，从而获得六个不同的极化翻转组合状态，实现器件的六位存储功能。

公开(公告)号：CN115084381A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210609174.2

申请日：2022-05-31

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈琳 ,  孟佳琳 ,  王天宇 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48 ,  G06N3/067

Abstract: 本发明公开一种有机无机杂化光电神经突触器件及其制备方法。该有机无机杂化光电神经突触器件包括：高掺杂硅衬底，作为底电极；有机钙钛矿薄膜，形成在所述底电极上；无机钙钛矿薄膜，形成在所述有机钙钛矿薄膜上；顶电极，形成在所述无机钙钛矿薄膜上，以光源激励和电压激励作为刺激信号，利用有机钙钛矿薄膜和无机钙钛矿薄膜的光电响应耦合，实现高稳定性的光电神经突触特性模拟。

公开(公告)号：CN115084377A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210609168.7

申请日：2022-05-31

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王天宇 ,  孟佳琳 ,  何振宇 ,  陈琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  G11C11/22

Abstract: 本发明公开一种极化增强的异质结型铁电神经突触器件及其制备方法。该极化增强的异质结型铁电神经突触器件包括：衬底；底层电极，形成在所述衬底上；无机铁电功能层，覆盖所述底层电极；有机铁电功能层，覆盖所述无机铁电功能层；顶层电极，形成在所述有机铁电功能层上，利用有机铁电功能层与无机铁电功能层形成异质结，使器件铁电极化增强，扩大突触权重调制区间。

公开(公告)号：CN115084360A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210608891.3

申请日：2022-05-31

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王天宇 ,  孟佳琳 ,  何振宇 ,  陈琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/22

Abstract: 本发明公开一种具有局域调控特性的铁电多值存储器及其制备方法。本发明的具有局域调控特性的铁电多值存储器包括：衬底；沟道材料，形成在所述衬底上；源电极和漏电极，形成在所述沟道材料两端；铪基铁电材料，覆盖上述器件，作为栅介质层；分离栅电极，四个栅电极相互间隔平行排列在所述栅介质层上且位于所述沟道材料上方，利用电学脉冲作为铁电存储器的激励源，分别在四个栅电极施加电压，获得四个不同的电阻状态“00”、“01”、“10”、“11”，实现基于局域调控特性的多值存储功能。

公开(公告)号：CN115036418A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210693512.5

申请日：2022-06-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孟佳琳 ,  王天宇 ,  陈琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L45/00 ,  G06N3/067

Abstract: 本发明公开一种织物型可穿戴神经形态突触器件及其制备方法。该织物型可穿戴神经形态突触器件包括：第一金属织物，作为顶电极；有机聚合物铁电薄膜，包覆在所述第一金属织物上，仅在端部保留部分所述第一金属织物露出；有机半导体材料层，包覆在所述有机聚合物铁电薄膜上，仅在端部保留部分所述有机聚合物铁电薄膜露出；第二金属织物，与所述第一金属织物以十字交叉的方式排列，作为底电极；利用光源激励与电学脉冲作为光电双重模式的不同信号源，实现光激励的神经突触权重增强与电激励的神经突触权重抑制效果。

公开(公告)号：CN114005937A

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202111272291.6

申请日：2021-10-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈琳 ,  王天宇 ,  孟佳琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L45/00 ,  G06N3/06

Abstract: 本发明公开一种高可靠柔性有机神经形态器件及其制备方法。该高可靠柔性有机神经形态器件包括：柔性衬底；底电极，形成在所述柔性衬底上；有机功能层，其为有机物薄膜，形成在所述底电极上；钝化保护层，其为高K氧化物介质，形成在所述有机功能层上；顶电极，形成在所述钝化保护层上。在利用有机功能层保持优异弯曲特性的前提下与空气中的水氧隔离，可以获得更为稳定可靠的神经形态性能。

公开(公告)号：CN114005934A

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202111270370.3

申请日：2021-10-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王天宇 ,  孟佳琳 ,  陈琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L45/00 ,  G06N3/063

Abstract: 本发明公开一种多端平面型忆阻器及其制备方法。该多端平面型忆阻器包括：衬底；功能层，其为二维材料，形成在所述衬底上；多个金属电极，彼此无接触，呈发射状分布在所述功能层表面，其中一个电极作为后端电极，其余电极作为前端电极，用连续的电学脉冲时序向多个所述前端电极进行输入，对所述后端电极电导状态进行采集，实现多元的神经形态协同计算功能。

公开(公告)号：CN113517392A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202110248349.7

申请日：2021-03-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈琳 ,  王天宇 ,  孟佳琳 ,  何振宇 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种基于二维材料的用于3D集成的选通器件及其制备方法。本发明选通器件，包括：石墨烯二维材料层，作为底电极；BN二维材料层，作为功能层；顶电极阵列，包括多条以一定间隔排列的线状顶电极。本发明与二维存储器结构工艺兼容，解决了氧化物选通器件与二维材料存储器的接触问题，实现了基于二维材料的3D交叉阵列集成。