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公开(公告)号：CN103889087A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310708350.9
申请日：2013-12-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/005 , H01L27/3211 , H01L27/3246
Abstract: 本发明的目的是抑制具有串联元件的发光装置的串扰现象发生。本发明提供一种发光装置，包括：绝缘层（416）；形成在所述绝缘层上的第一下部电极（421B）；形成在所述绝缘层上的第二下部电极（421G）；形成在所述绝缘层上且位于所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的隔壁（418）；形成在所述第一下部电极、所述隔壁以及所述第二下部电极上的第一发光单元（423a）；形成在所述第一发光单元上的中间层（424a、424b）；形成在所述中间层上的第二发光单元（423b）；以及形成在所述第二发光单元上的上部电极（422），其中，所述隔壁具有第一凹部（418a）。
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公开(公告)号：CN103887443A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310708062.3
申请日：2013-12-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3211 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L2251/558
Abstract: 本发明的一个方式抑制发光装置的串扰现象的发生。本发明的一个方式是一种发光装置，包括：第一下部电极；第二下部电极；隔壁；导电性高的层；发光层；以及上部电极，其中，导电性高的层的导电性高于发光层且低于第一下部电极及上部电极的每一个，隔壁具有位于第一下部电极一侧的第一斜面及位于第二下部电极一侧的第二斜面，关于位于第一斜面上的导电性高的层的垂直于第一斜面的方向上的厚度与位于第二斜面上的导电性高的层的垂直于第二斜面的方向上的厚度不同。
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公开(公告)号：CN103415645A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201280012934.6
申请日：2012-03-07
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: C23C16/448 , C23C14/042 , C23C14/243 , H01L51/0003 , H01L51/56
Abstract: 蒸镀颗粒射出装置(30)包括设置有第一喷嘴部和第二喷嘴部(50、60)的中空的旋转体(40)、旋转机构和热交换器(52、62)，当通过旋转机构使旋转体(40)旋转时，热交换器(52、62)与各喷嘴部的配置相应地切换冷却和加热，使面向外部的喷嘴部比蒸镀材料成为气体的温度低，使另一喷嘴部成为蒸镀材料成为气体的温度以上的温度。
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公开(公告)号：CN103340013A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201280007201.3
申请日：2012-03-02
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L51/56 , C23C14/044 , C23C14/12 , C23C14/562 , C23C16/45578 , H01L51/0011
Abstract: 具备：蒸镀源（60），该蒸镀源（60）具备放出蒸镀颗粒（91）的多个蒸镀源开口（61）；限制单元（80），该限制单元（80）具备多个限制开口（82）；和蒸镀掩模（70），该蒸镀掩模（70）仅在分别通过多个限制开口的蒸镀颗粒到达的多个蒸镀区域（72）内形成有多个掩模开口（71）。多个蒸镀区域，沿与基板（10）的法线方向和基板的移动方向正交的第二方向，夹着蒸镀颗粒不到达的非蒸镀区域（73）配置。在沿基板的法线方向看时，相对于与第二方向平行的直线上的非蒸镀区域，在基板的移动方向上的不同位置，形成有蒸镀颗粒通过的掩模开口。由此，能够在基板上的期望的位置稳定地形成端缘的模糊被抑制的蒸镀覆膜。
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公开(公告)号：CN103328681A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201280005720.6
申请日：2012-01-13
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: C23C16/448 , C23C14/243 , C23C16/042 , G03B37/06 , H01L51/0008
Abstract: 本发明的坩埚（50）具备：对被成膜基板射出蒸镀颗粒的开口部（55a）；在与开口部（55a）相对的位置设置，对从开口部（55a）射出的蒸镀颗粒进行反射的焦点部件（54a）；和将由焦点部件（54a）反射后的蒸镀颗粒向被成膜基板反射的旋转抛物面（55b）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103299712A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201280004717.2
申请日：2012-01-12
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L51/5036 , C23C14/042 , C23C14/24 , H01L27/3276 , H01L51/001 , H01L51/0011 , H01L2227/323
Abstract: 一种TFT基板（10），利用蒸镀装置（50）在TFT基板（10）上形成蒸镀层，蒸镀装置（50）具有：具备射出口（86）的蒸镀源（85）；和具备从射出口（86）射出的蒸镀颗粒通过的开口部（82）的蒸镀掩模（81），蒸镀颗粒通过开口部（82）被蒸镀而形成蒸镀层，TFT基板（10）具有二维地排列有多个像素的像素区域（AG），与各像素电连接的多条配线（14）的端子汇集到蒸镀层的形成区域外。
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公开(公告)号：CN103282543A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201280004309.7
申请日：2012-03-02
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L51/5012 , C23C14/042 , C23C14/243 , C23C14/564 , H01L51/0011 , H01L51/56 , H05B33/10
Abstract: 从至少1个蒸镀源开口（61）放出的蒸镀颗粒（91），通过限制单元（80）的多个限制开口（82）和蒸镀掩模（70）的多个掩模开口（71），附着在沿第二方向（10a）相对移动的基板（10）上形成覆膜。限制单元包括叠层的多个板材。由此，能够高效率并且低成本地在大型基板上形成端缘的模糊被抑制的蒸镀覆膜。
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公开(公告)号：CN103270815A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180062668.3
申请日：2011-12-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H05B33/10 , C23C14/04 , C23C14/24 , G09F9/30 , H01L27/32 , H01L51/50 , H05B33/04 , H05B33/06 , H05B33/26
CPC classification number: H01L51/0011 , C23C14/042 , C23C14/12 , H01L51/0008
Abstract: 本发明的蒸镀方法包括：准备工序，准备固定蒸镀掩模（81）与蒸镀源（85）的相对位置的掩模单元；蒸镀工序，使上述掩模单元和被成膜基板（200）中的至少一个相对移动，使从蒸镀源（85）射出的蒸镀流蒸镀在蒸镀区域（210）；和闸门位置调整工序，调整第二闸门（111）的位置，以遮蔽流向不需蒸镀区域（210）的蒸镀流。
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公开(公告)号：CN103238374A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201180058041.0
申请日：2011-12-15
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L51/56 , C23C14/044 , C23C14/12 , C23C14/562 , C23C16/45578 , H01L27/3244 , H01L51/0011
Abstract: 依次配置有蒸镀源(60)、限制板单元(80)、蒸镀掩模(70)。限制板单元具备沿一个方向配置的多个限制板(81)。限制板单元的规定限制空间(82)的面(83)和限制板单元的与蒸镀源相对的面(84)中的至少一部分，由相对于基部(85)能够装卸的至少一个外面部件(110、120)构成。由此，能获得能够在大型的基板上形成端缘的模糊受到抑制的覆膜的维护性优良的蒸镀装置。
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公开(公告)号：CN102860132A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180021351.5
申请日：2011-05-02
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L51/001 , C23C14/042 , C23C14/12 , C23C14/24 , H01L27/3211 , H01L51/56
Abstract: 依次配置蒸镀源（60）、多个限制板（81）和蒸镀掩模（70）。使基板相对于蒸镀掩模以隔开一定间隔的状态相对地移动。从蒸镀源的蒸镀源开口（61）放出的蒸镀颗粒（91），通过相邻的限制板之间，并通过在蒸镀掩模形成的掩模开口（71）附着于基板，而形成覆膜（90）。限制板限制向掩模开口入射的蒸镀颗粒的、沿基板的相对移动方向看时的入射角度。由此，在大型的基板也能够以不扩大像素间距、不降低开口率等的方式形成有机EL元件。
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