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公开(公告)号：CN103105410A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310001086.5
申请日：2013-01-02
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N25/00
Abstract: 一种多层导热材料热阻测量方法涉及测试领域，能够测量多层导热材料中每一层材料的热阻。测试系统中半导体器件起热源作用及测试作用；将半导体器件固定在多层导热材料上表面，多层导热材料下表面固定在恒温平台上；在任一时刻对半导体器件施加一段时间的工作电流，达到稳态后撤除工作电流，并在测试电流下测量出半导体器件结温随时间的变化曲线；由于多层导热材料中各层材料的热阻、热容以及热量传输速率的不同，测量得到的半导体器件结温随时间的变化曲线反映了各层导热材料的热阻和热容；通过结构函数法，计算出多层导热材料中各层材料的热阻构成；该方法为非破坏性测试。
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公开(公告)号：CN102680512A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210143110.4
申请日：2012-05-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 一种测量界面接触热阻的方法，属于电子器件的生产测量，以及研究、开发领域。一种测量界面接触热阻的方法，其特征在于，步骤如下：将被测电子元件与被测热阻材料按不同厚度制备成2个以上接触界面；测量电子元件管芯到被测界面的热阻Rdevice；用热阻测试仪测量电子元件管芯与不同厚度材料底面之间的总热阻Rtot；以Rtot为y轴，材料厚度为x轴作直线；将该直线延长至y轴交点处的得到热阻，就是接触热阻Rc与元件管芯到被测界面的热阻Rdevice之和；将得到的热阻减去Rdevice即得到接触热阻Rc。本技术可广泛应用于任何封装形式的电子元器件和功能模块，测量方法简单、准确。
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公开(公告)号：CN101776727B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010034446.8
申请日：2010-01-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种利用真空环境测量电子元器件工作结温和热阻的方法涉及电子器件测量领域。本发明将被测器件置于一真空系统中，真空系统外部装置相连；外部装置包括A/D采集板、计算机、电源、和加热电源；在靠近被测器件的热源部分即有源区处放置一温敏电阻A，将温敏电阻B与加热薄片一面接触，加热薄片另一面与被测器件的底部即散热端点接触；获取建立有源区到散热端点的温度梯度所需时间t1；建立散热端点到有源区的温度梯度所需时间t2；对被测器件施加功率为P，接通时间为t1+t2，当温敏电阻A和B趋于一恒定值，该温度即为被测器件正常工作时的温度，可得被测到器件的工作温升及热阻。该方法对半导体器件或功能模块的封装形式没有要求，且属于非破坏性测试。
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公开(公告)号：CN102129023A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201110026227.X
申请日：2011-01-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种测量半导体器件有源区薄层材料中热传导参数的方法涉及半导体器件测试领域。现有技术中有源区同时起到发热区和温度探测区的作用，热量在薄层中的传导速度也无法测量。采用本方法制备的测试芯片，将热源区和温敏探测区空间上分开。加热和测量过程可以同时进行，不存在时间延迟，可以测量出实际器件结构的热时间常数达到纳秒量级(依高速A/D采集卡的速度而定)。本发明可以实现测试器件实际有源区薄层热传导参数的目的，如GaN HEMT等基于肖特基栅结构的器件，也可以用于特定薄膜材料的热传导参数测定。
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公开(公告)号：CN101183135A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710179493.X
申请日：2007-12-14
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种测量半导体器件内部芯片热接触面积的方法属于半导体器件领域，主要用于测量电学性能参数合格的器件，其芯片或管壳等主要散热构成的热接触面积，以利于热特性考核。本发明的技术方案：对测量的半导体器件瞬态温升曲线，进行微分，求出传热导路径上，主要热时间常数；通过热时间常数与热阻、热容的关系，求出该段结构的热传输长度L；通过求出的热时间常数，对温升曲线进行拟合，求出与时间常数对应的温升值和热阻值。通过热阻与结构的传热长度和接触面积的关系，求出该结构部分的热接触面积。该方法可以测量出半导体内部芯片的实际热传导长度和热接触面积，半导体器件产品的检测和质量分析方面有着重要的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101083218A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200610012078.0
申请日：2006-06-01
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片及测量方法，属于半导体器件失效评估领域，它由在衬底上与前者结成一体的由半导体材料构成的平台，固接在平台表面的一排电极，在平台表面平行于电极固接有一排与电极一一对应的辅助电极构成，相邻电极之间的距离互不相等，测量方法包括在电极和辅助电极间加考核电流一段时间，断开考核电流，测量相邻电极之间的总电阻及间距，用传输线法作图并计算欧姆接触的电阻率。使用本发明的芯片和测量方法，能避免考核电流对半导体材料的损伤，准确评估欧姆接触退化程度的方法。
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公开(公告)号：CN1743864A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510112676.0
申请日：2005-10-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属半导体器件测量领域。目前温升和热阻测量操作复杂，周期长，有的有破坏性。本发明装置：被测器件(401)放在恒温平台(403)上；计算机(100)通过接口(200)接采集器(205)；(205)分三路：一路接三路开关(303)，接到被测器件(401)；二路接采样电阻(501)后接三路开关(303)，再接测试电流源(201)；(201)的一端接接口(200)，一端接电流开关(301)；三路接采样电阻(502)后接三路开关(303)，再接工作电流源(202)；(202)的一端接接口(200)，一端接电流控制开关(301)；(301)输入两端接测试电流源(201)和工作电流源(202)；输出端接参考负载(402)和被测器件(401)，控制端接时序发生器(203)；采集器(204)一端接接口(200)，一端接到高速截取放大器(302)；高速截取放大器(302)接器件(401)。本发明非破坏性，可测瞬态加热响应曲线，从而分辨出器件热阻构成。
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公开(公告)号：CN1621856A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410101249.8
申请日：2004-12-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 电学法测量结型半导体发光管或激光器热阻前遮光方法属半导体光电子学器件参数的测量领域。它包括以下步骤：将被测器件即结型半导体发光管或激光器，其管座面均匀涂上导热脂粘在恒温平台上；将被测器件的导线引出以备测量；将反光材料(6)遮盖住被测器件的光输出端；将黑色吸收材料(7)附着在反光材料的外面；测量其工作时的工作温升ΔT和施加的电功率W，其比值ΔT/W即热阻。发明目的：在进行电学法测量结型半导体发光管或激光器温升之前，使用一种遮盖住输出光的方法，使发光管的输出光反射回器件，被器件或器件覆盖层吸收，这样所施加的功率全部变为热功率，从而避免再测量其输出光功率的步骤，从而大大简化测量步骤提高测量的可适用性。
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公开(公告)号：CN1180206A
公开(公告)日：1998-04-29
申请号：CN95117869.5
申请日：1995-12-22
Applicant: 吕长志 , 北京工业大学科学技术总公司
IPC: G06F17/60
Abstract: 增值税发票的键盘录入、计算机接收的方法及其纳税申报器属于税务数据处理装置,其特征在于:它由判别是否按第一次功能转换键、录入、是否按第二次功能转换键,判断是否按红外数字代码发送键、向税务局专用机发送数据等步骤顺次组成,在申报器内装有程序加密电路、掉电保护电路、红外发送线路和一个带功能转换、录入、发送等键的键盘,具有电路简单,存储量大、存储时间长、可无接触式地向税务局专用机输入纳税申报数据等优点。
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公开(公告)号：CN114216581B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202111538206.6
申请日：2021-12-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01K7/02
Abstract: 本发明公开了一种测量功率器件在短路工况下大电流工作时的实时结温测量方法，避免了在短路大电流的工况下，功率器件产生自升温，导致功率器件校温曲线库建立不准确的问题。首先，在给功率器件施加长脉宽的大电流，使其稳定地工作在大电流工况下；其次，通过拟合含有自升温的温度敏感参数曲线得到未产生自升温的温度敏感参数数值，使用这个数值建立该电流下的校温曲线，通过改变器件的工作电流重复以上步骤得到校温曲线库；再次，采集功率器件在短路工况下的温度敏感参数，根据校温曲线库和采集的数据可以在不破坏器件封装的情况下得出功率器件在短路工况下工作的实时结温变化。
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