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公开(公告)号：CN104124947B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201310145633.7
申请日：2013-04-24
Applicant: 北京大学
IPC: H03K5/01
Abstract: 本发明公开了一种基线电压保持结构及直流耦合结构的脉冲整形器。本发明实现了对读出电路基线电压漂移的抑制，基线漂移值，即基线电压与参考电压的差值转换成电流值并进行放大，放大后的电流反馈回前级输入端，形成一个高增益、窄带宽的负反馈环路，从而使得基线电压固定在参考值。本发明的方法使得基线电压值由反馈环路确定，而不受电路元器件参数适配等非理想因素的影响；反馈环路的开关受主信号通路中有效信号的控制，保证了基线保持模块不对有效信号产生影响。本发明可以满足低功耗、低噪声辐射探测系统的要求，将会获得广泛的应用。
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公开(公告)号：CN105915821A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610384425.6
申请日：2016-06-02
Applicant: 北京大学
IPC: H04N5/378
CPC classification number: H04N5/378
Abstract: 本发明提供一种基于半行交替的焦平面阵列无隙读出方法和电路，电路的时序操作以及连接关系，是本发明的创新之处，构成了无隙读出电路的核心，读出电路的工作过程构成本发明的无隙读出方法。本发明将整个焦平面分为左右两组，即每一行被分为左右两边，以半行为基本单位进行交替读出。对于N行M列的焦平面阵列，当读出电路正在读出第i行(1≤i≤N)左半行时，第i行右半行正在进行电荷转移，为读出做好准备；当读出电路正在读出第i行右半行时，第i+1行左半行正在由列级电路进行电荷转移，等待读出。通过将一行分成两个半行，时序上分开控制，提高了读出速率。本发明技术方案大大减小了无隙读出电路需要的面积，不需要两组采样电容就可以实现无隙读出的功能。
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公开(公告)号：CN104767526A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510192140.8
申请日：2015-04-21
Applicant: 北京大学
IPC: H03M1/12
Abstract: 本发明中公开了一种应用于红外焦平面阵列读出电路的列集成SAR ADC中的新型低功耗、低面积、混合电压域设计的比较器，随着红外焦平面数字化读出电路向低功耗、大规模、更小的像素间距尺寸、更高集成度发展，对于集成电路的要求也越来越严格，一种低功耗、低面积的比较器对于未来的发展意义较为重大，该比较器在比较过程中实现了高电压到低电压的转换，初始复位至中间态，比较过程断开复位开关，根据输入电压的差异造成的通路电流的差异导致上拉、下拉的能力不同得出正确的比较结果，这不仅降低了功耗，也降低了面积，通过时钟控制，将比较器的结果锁存，下一次的比较不会对这次比较器的结果造成影响。
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公开(公告)号：CN103545302A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201210238431.2
申请日：2012-07-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种红外焦平面与实现非均匀性校准数据存储及数字算法的数字芯片的三维集成方案，属光电子技术及微电子技术领域。该方案包括：红外焦平面；实现非均匀性校准数据存储及数字算法的数字芯片；数字存储控制芯片与红外焦平面完成三维集成，并封装在同一封装内；数字存储控制芯片以三维集成方式与红外焦平面实现电连接；数字存储控制芯片与红外焦平面的互连通信可采用现有任意三维互连技术实现；数字存储控制芯片与红外焦平面的相对位置可任意，但处在不同平面上。与现有技术相比，本发明提供一种全新的数字存储控制芯片与红外焦平面的通信集成方案，解决现有校准信息存储方案低速低效、高成本高损耗的问题，提高了红外焦平面的整体性能。
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公开(公告)号：CN101860204B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201010145243.6
申请日：2010-04-09
Applicant: 北京大学
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明涉及一种直流/直流转换器及转换方法，属于微电子和电源管理技术领域。本发明提供一种直流/直流转换器，包括：电流检测模块，用于生成电流检测信号；振荡器，用于对电流检测信号进行叠加补偿；误差放大器，用于对反馈电压以及带隙参考电压进行比较，得到误差放大信号；比较器，用于对补偿后电流检测信号以及误差放大信号进行比较，产生脉宽调制信号；逻辑电路，接收脉冲调制信号后生成控制信号控制功率开关的导通与断开。本发明相对于传统结构复杂度大大降低，不仅能减少功能消耗、提高性能，同时因为芯片面积减小，在成本上也会有更大优势，能够提升直流/直流转换芯片的产品竞争力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102142462B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201110046602.7
申请日：2011-02-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/08
Abstract: 本发明提供了一种功率MOS晶体管，属于半导体器件领域。该功率MOS晶体管包括源极、漏极和栅结构，栅结构的具体设计为：以版图几何中心为圆心作圆，分别制作两个十六边八角图形；这两个十六边八角图形的边相互平行，边与边之间间隙构成一八角形的弯折带，该弯折带为栅结构的图形。本发明在保证漏极接触孔到栅结构的距离不变的前提下，缩小了源级到栅结构的距离，得到较小的版图实现面积和较小的源端连接金属压降。
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公开(公告)号：CN102447845A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110299627.8
申请日：2011-09-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种带窗口读出模式的自适应功耗调整的红外焦平面阵列读出电路及其自适应功耗调整方法。本发明实现了带窗口功能的焦平面阵列读出电路的自适应功耗调整，列运放和输出运放的尾电流源分别设计成由k个晶体管组成的电流源阵列，并在列运放上增加了功耗控制开关管。本发明的方法使得无论在大窗口，低帧频工作模式下，还是在小窗口，高帧频工作模式下，都能够在满足速度要求的情况下，以适当的功耗正常工作，并有效地避免了单一功耗设计时，在不同工作模式下出现的功耗浪费。本发明可以满足高分辨率，便携式成像系统的要求，将会获得广泛的应用。
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公开(公告)号：CN101860204A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010145243.6
申请日：2010-04-09
Applicant: 北京大学
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明涉及一种直流/直流转换器及转换方法，属于微电子和电源管理技术领域。为在满足高频开关要求的前提下，实现了更少的硬件开销和功率消耗，本发明提供一种直流/直流转换器，包括：电流检测模块，用于生成电流检测信号；振荡器，用于对电流检测信号进行叠加补偿；误差放大器，用于反馈电压以及带隙参考电压进行比较，得到误差放大信号；比较器，用于对补偿后电流检测信号以及误差放大信号进行比较，产生脉宽调制信号；逻辑电路，产生用于控制所述功率开关的控制信号。本发明相对于传统结构复杂度大大降低，不仅能减少功能消耗、提高性能，同时因为芯片面积减小，在成本上也会有更大优势，能够提升直流/直流转换芯片的产品竞争力。
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公开(公告)号：CN101799553A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010138829.X
申请日：2010-03-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种补偿电路及辐射探测系统，该补偿电路设置在辐射探测系统的第一级放大器输出端和第二级放大器输入端之间，该补偿电路包括：两个电阻和一个电容，第一电阻与电容并联，其连接点与第二电阻串联。本发明提供的补偿电路应用在辐射探测系统中，在不影响读出电路第一级环路增益稳定性的前提下，能够增大第二级环路的相位裕度，增加系统的稳定性，提高读出速率；且结构简单，成本低廉，易于实现。
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公开(公告)号：CN1627801A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200310117388.5
申请日：2003-12-12
Applicant: 北京大学
IPC: H04N5/335 , H01L27/146 , G01J1/44 , G01S7/48
Abstract: 本发明提供了一种焦平面阵列读出电路，包括两组行选控制电路，两组列选控制电路，两组列读出级，两个视频输出级；像素单元Pixel(i，j)通过两个MOS开关管与两条列线相连，Pixel(i，j)在行选控制L产生的行选择信号rs(i)L的控制下与两条列线中的一条相连，该列线与列读出级U相连，并在列选控制U产生的列选择信号col(j)U的控制下与第一视频输出级相连；同时，Pixel(i，J)在行选控制R产生的行选择信号rs(i)R的控制下与两条列线中的另一条相连，该列线与列读出级D相连，并在列选控制D产生的列选择信号col(j)D的控制下与第二视频输出级相连。本发明的焦平面阵列读出电路，可以采用正常模式下的奇偶行并行读出方法，还可以采用窗口模式下的双窗口并行读出方法。
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