公开(公告)号：CN102142462A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201110046602.7

申请日：2011-02-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 张勇 ,  鲁文高 ,  黄泽 ,  陈博 ,  汤耀云 ,  陈中建 ,  张雅聪 ,  吉利久

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明提供了一种功率MOS晶体管，属于半导体器件领域。该功率MOS晶体管包括源极、漏极和栅结构，栅结构的具体设计为：以版图几何中心为圆心作圆，分别制作两个十六边八角图形；这两个十六边八角图形的边相互平行，边与边之间间隙构成一八角形的弯折带，该弯折带为栅结构的图形。本发明在保证漏极接触孔到栅结构的距离不变的前提下，缩小了源级到栅结构的距离，得到较小的版图实现面积和较小的源端连接金属压降。

公开(公告)号：CN102142462B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201110046602.7

申请日：2011-02-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 张勇 ,  鲁文高 ,  黄泽 ,  陈博 ,  汤耀云 ,  陈中建 ,  张雅聪 ,  吉利久

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明提供了一种功率MOS晶体管，属于半导体器件领域。该功率MOS晶体管包括源极、漏极和栅结构，栅结构的具体设计为：以版图几何中心为圆心作圆，分别制作两个十六边八角图形；这两个十六边八角图形的边相互平行，边与边之间间隙构成一八角形的弯折带，该弯折带为栅结构的图形。本发明在保证漏极接触孔到栅结构的距离不变的前提下，缩小了源级到栅结构的距离，得到较小的版图实现面积和较小的源端连接金属压降。