-
公开(公告)号：CN100593361C
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200610066914.3
申请日：2006-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 一种等离子体处理装置，使得导入波导管的微波通过槽传播到介电体上，使供给到处理容器内的规定气体等离子体化，对基板进行等离子体处理，并列配置有多根波导管，在每一根波导管上分别设置有多个介电体，且在每个介电体上设置有1个或2个以上的槽。可以显著减小各介电体的面积，可靠地使微波传播到介电体的整个表面。此外，由于支承介电体的支承部件足够细，可在基板的整个上方形成均匀的电磁场，在处理室内发生均匀的等离子体。
-
公开(公告)号：CN101632329A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200880007837.1
申请日：2008-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H05H1/46 , C23C16/511 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/511 , B05C13/00 , H01J37/32192 , H01J37/32266 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种可以尽可能地减少电介质体的使用量的等离子体处理装置。本发明是如下的等离子体处理装置，即，具备收纳进行等离子体处理的基板(G)的金属制的处理容器(4)、向处理容器(4)内供给为了激发等离子体(P)而必需的电磁波的电磁波源(34)，在处理容器(4)的盖体(3)下面具备1个或2个以上的电介质体(25)，该电介质体(25)的一部分在处理容器(4)的内部露出，用于使由电磁波源(34)供给的电磁波透过到达处理容器4的内部，并且该等离子体处理装置与电介质体(25)相邻地设有表面波传播部(51)，其沿着在处理容器(4)的内部露出的金属面传播电磁波。
-
公开(公告)号：CN101622912A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200880006453.8
申请日：2008-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32229 , H01J37/32238
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及等离子体处理装置的使用方法。等离子体处理装置(10)，具有：由金属形成的处理容器(100)、输出微波的微波源(900)、面向处理容器(100)的内壁并向处理容器内透过自微波源(900)输出的微波的电介质板(305)、和在处理容器的内面设置的作为传播阻碍部发挥功能的槽(300a)。在供给低频微波的情况下，通过槽(300a)抑制导体表面波的传播。
-
公开(公告)号：CN100550421C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200680002450.8
申请日：2006-01-17
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/76 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L29/4983 , H01L21/76224 , H01L21/76829 , H01L21/76835 , H01L21/823481 , H01L23/3171 , H01L29/66575 , H01L29/78 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置，用氟化碳(CFx、0.3＜x＜0.6)或碳氢化合物(CHy、0.8＜y＜1.2)形成栅绝缘膜(硅氧化膜)以外的元件分离领域、层间绝缘膜以及保护绝缘膜的至少一部分。
-
公开(公告)号：CN101523570A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780038128.5
申请日：2007-10-12
Applicant: 欧姆龙株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/3065 , B01J19/08 , H01L21/31 , C23C16/455
Abstract: 可瞬时变更加工箱内气体介质的浓度，能够以高生产率且低成本来实现液晶设备或半导体设备的生产所需的等离子反应处理加工。对各个成分气体的压力控制型流量调整器提供的新的流量设定值设为，以在浓度变更前后总流量值相同作为条件，根据所假设的变更后的加工气体浓度通过逆运算而求出的值，并且排出管道中的压力控制器从变更开始仅限于在规定的微少时间，从压力设定模式被切换到阀开度设定模式，同时被提供应缓和刚变更后的压力变动的由经验求出的阀开度设定值。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101519774A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910005391.5
申请日：2009-02-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: C23C16/511 , H01L21/00 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32238 , H01J37/32192 , H01J37/3222
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，可以排除由安装状况或尺寸误差造成的缝隙天线中的电流流动的不均匀性，生成均匀的等离子体。将电介质板(4)配置为使构成处理容器的一部分的平板外罩(14)的上部开口封闭，在电介质板(4)的上部配置产生等离子体的缝隙天线(5)，将缝隙天线(5)的外缘与平板外罩(14)的内壁部在整体四周用具有弹性的导电性构件(20或25)直接接触，由于在向缝隙天线(5)供给微波时，可以确保平板外罩(14)与缝隙天线(5)的平板外罩(14)的内壁部与缝隙天线(5)的外缘的电连接，因此可以使平板外罩(14)的内壁部与缝隙天线(5)的外缘之间的电阻的大小大致相等。
-
公开(公告)号：CN100514554C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200710089461.0
申请日：2007-03-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/311 , C23C16/511 , C23F4/00 , H05H1/46 , H01J37/32 , H01J37/00
CPC classification number: H01J37/32568 , C23C16/45572 , C23C16/45574 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32211
Abstract: 一种等离子体处理装置，使微波通过在矩形波导管的下面形成的多个缝隙，并在配置在处理室的上面的介电体中传播，利用在介电体表面形成的电磁场中的电场能量，使供给至处理室内的规定气体等离子体化，对基板实施等离子体处理。矩形波导管的上面部件由具有导电性的非磁性材料构成，并且，使该上面部件相对于下面升降移动。根据气体种类、压力、微波供给装置的功率输出等处理室内进行的等离子体处理的条件，通过使矩形波导管的上面部件相对于下面升降移动，管内波长发生变化。
-
公开(公告)号：CN101432461A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780010909.3
申请日：2007-02-20
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 日本陶瓷科技股份有限公司
IPC: C23C28/04 , C04B41/87 , C23C4/10 , C23C18/12 , H01L21/3065
CPC classification number: C04B41/87 , C03C17/25 , C03C2217/228 , C03C2218/113 , C04B41/009 , C04B41/5031 , C04B41/5045 , C23C4/10 , C23C18/1208 , C23C18/1254 , C23C18/1279 , C23C28/042 , C04B41/4531 , C04B41/4537 , C04B35/10 , C04B35/00
Abstract: 提供一种成膜性、耐久性、可靠性优异的等离子体处理装置用构件。在基材上具有纯度98％以上的陶瓷膜。陶瓷膜为粒径在50nm以下的粒子构成的膜。从膜中释放的水分量在1019分子/cm2以下。
-
公开(公告)号：CN101421203A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200780011742.2
申请日：2007-03-29
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 日本陶瓷科技股份有限公司
IPC: C04B38/00
CPC classification number: C04B38/0058 , C04B35/111 , C04B35/505 , C04B35/6316 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , Y10T428/249921 , C04B35/00 , C04B38/0054
Abstract: 本发明提供一种在要求高洁净度的领域内使用时能够抑制微波频带内的能耗，而且可均匀地分散气体的多孔质构件。多孔质构件由多孔质陶瓷形成，微波频带内的介质损耗正切是1×10－3以下。陶瓷构件由局部备有该多孔质构件的陶瓷烧结体构成。
-
公开(公告)号：CN101305451A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200680041735.2
申请日：2006-11-07
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/3065 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/45568 , C23C16/45572 , C23C16/45574 , C23C16/511 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理用簇射极板，是由多个配管形成的等离子体处理用簇射极板(31)，配管(31A3)由多孔质材料构件(44)和金属构件(41)构成，该多孔质材料构件(44)被沿着配管配置，对于原料气体具有规定的气孔率，朝向外侧呈凸状；该金属构件(41)与多孔质材料构件(44)对向配置，与多孔质材料构件(44)一起形成原料气体流路(43)。可以实现一种喷嘴构造，使原料气体呈扩散状喷出。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
209
records
(took 0.046 seconds)
