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公开(公告)号：CN117976767A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410120674.9
申请日：2024-01-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/107 , H01L31/105
Abstract: 本公开提供了一种氮化镓雪崩探测器的制备方法和氮化镓雪崩探测器，可以应用于半导体技术领域。该制备方法包括：在衬底上依次生长i‑GaN缓冲层、i‑GaN模板层和n‑GaN层；控制TMGa的流量值由第一预设流量值降低到第二预设流量值，在TMGa的流量值为第二预设流量值的情况下，在n‑GaN层上生长i‑GaN层；控制TMGa的流量值由第二预设流量值恢复到第一预设流量值，在TMGa的流量值为第一预设流量值的情况下，在i‑GaN层上生长p‑GaN层，得到氮化镓雪崩探测器外延片；以及对氮化镓雪崩探测器外延片进行刻蚀和蒸镀，制备氮化镓雪崩探测器。
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公开(公告)号：CN117937245A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410095461.5
申请日：2024-01-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种具有复合p型GaN结构的氮化镓基激光器及其制备方法，氮化镓基激光器包括：衬底；衬底的一侧依次层叠形成有缓冲层、第一限制层、第一波导层、有源层、第二波导层、电子阻挡层、第二限制层、复合p型GaN层和欧姆接触层；P型电极形成于欧姆接触层上；N型电极形成于衬底的另一侧；复合p型GaN层包括层叠设置的第一p型GaN层和第二p型GaN层，第一p型GaN层于第一预设温度下形成，第二p型GaN层于第二预设温度下形成，第一预设温度小于第二预设温度。本发明的氮化镓基激光器，有效降低了生长过程中对量子阱结构的热退化作用，同时有效保障p型GaN材料的高质量，进而提升了氮化镓基激光器的光电性能。
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公开(公告)号：CN117013361A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310898674.7
申请日：2023-07-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种基于P型氮化镓的欧姆接触生成方法及半导体器件，涉及半导体技术领域，其中方法包括：在衬底上制备外延结构，外延结构包括以下至少一项：氮化镓缓冲层、非故意掺杂氮化镓层、第一掺镁P型氮化镓层及第二掺镁P型氮化镓层；对氮化镓缓冲层、非故意掺杂氮化镓层、第一掺镁P型氮化镓层及第二掺镁P型氮化镓层进行光刻、蒸镀金属、剥离、退火处理，生成P型氮化镓欧姆接触。上述方法中，通过控制第二掺镁P型氮化镓层中的碳杂质浓度，可有效降低比接触电阻率，从而降低了P型氮化镓结构的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN116565694A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202210104087.1
申请日：2022-01-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 本公开提供了一种InGaN/GaN量子阱结构及其制备方法和应用。该InGaN/GaN量子阱结构的制备方法包括：生长GaN垒层；在GaN垒层上生长一个或多个周期的InGaN量子阱层/GaN垒层的交替结构；其中，在一个或多个周期的InGaN量子阱层/GaN垒层的交替结构的生长间隙中，通入含氢气的反应气体并维持预设时长，以及在经过氢气处理的InGaN量子阱层上继续生长GaN垒层，以获得InGaN/GaN量子阱结构。
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公开(公告)号：CN115864136A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202111401393.3
申请日：2021-11-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种紫外激光器外延片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该制备方法包括：在非掺杂基础层上制备非掺杂过渡层，其中，非掺杂基础层包括非掺杂GaN基础层或非掺杂AlN基础层；在非掺杂过渡层上制备第一AlGaN限制层；在第一AlGaN限制层上制备第一波导层；在第一波导层上制备量子阱发光层，其中，量子阱发光层的发光波长范围包括300nm～390nm；在量子阱发光层上制备第二波导层；其中，在非掺杂基础层为非掺杂GaN基础层的情况下，非掺杂过渡层为非掺杂AlN过渡层，在非掺杂基础层为非掺杂AlN基础层的情况下，非掺杂过渡层为非掺杂GaN过渡层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114825043A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210440820.7
申请日：2022-04-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种氮化镓基激光器，包括：衬底；缓冲层，制作在衬底的上表面；下限制层，制作在缓冲层的上表面；InxGa1‑xN下波导层，制作在下限制层的上表面；有源区，制作在InxGa1‑xN下波导层的上表面；InxGa1‑xN上波导层，制作在有源区的上表面；电子阻挡层，制作在InxGa1‑xN上波导层的上表面；上限制层，制作在电子阻挡层的上表面；欧姆接触层，制作在上限制层的上表面；P型电极，制作在P型欧姆接触层的上表面；N型电极，制作在衬底的下表面；其中，InxGa1‑xN上波导层的厚度小于InxGa1‑xN下波导层的厚度。本公开提供的氮化镓基激光器具有非对称波导层结构，能够使光场中心远离P型区，有利于减小光学损耗，提高光束质量。
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公开(公告)号：CN111446622A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010262719.8
申请日：2020-04-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种改善p型氮化镓欧姆的方法，包括：步骤1：在衬底上生长低温氮化镓缓冲层；步骤2：在低温氮化镓缓冲层上生长高温非故意掺杂氮化镓层；步骤3：在高温非故意掺杂氮化镓层上生长中度掺镁p型氮化镓；步骤4：在中度掺镁p型氮化镓上生长重掺镁p型氮化镓。本公开通过调整重掺镁p型氮化镓的外延生长条件，控制该层中碳杂质浓度，可有效降低比接触电阻率，改善p型氮化镓的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN111404029A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010234396.1
申请日：2020-03-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种具有AlInN镁反向扩散阻挡层的氮化镓基紫外激光器包括一氮化镓同质衬底；一n型同质外延层；一n型限制层；一n型波导层；一有源区；一AlInN镁反向扩散阻挡层；一p型电子阻挡层；一p型波导层；一p型限制层，其制作在p型波导层上，该p型限制层的中间为一凸起的脊形；一p型掺杂/p型重掺接触层，其制作在p型限制层凸起的脊形上；一p型欧姆电极以及一n型欧姆电极。本发明使p型掺杂区域远离量子阱有源区，降低了镁杂质的扩散长度，增大了光学限制因子，降低了激光器的阈值。
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公开(公告)号：CN109860044A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910103251.5
申请日：2019-01-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/324 , H01L33/00 , H01L33/02 , H01S5/30
Abstract: 一种高欧姆接触特性的p型GaN外延片及其制备方法，制备方法包括：步骤1：制备衬底(10)；步骤2：在衬底(10)上外延生长掺镁的GaN层；步骤3：对掺镁的GaN层进行退火，激活掺镁的GaN层中的镁受主，使得掺镁的GaN层转变为p型GaN层(11)；步骤4：在p型GaN层(11)上外延生长p++型GaN盖层(12)。通过在p型GaN层上再生长重掺杂的p++型GaN盖层，且重掺杂的p++型GaN盖层不进行高温退火，从而改善外延片欧姆接触层质量，降低p型材料与金属接触的比接触电阻率。
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公开(公告)号：CN105789393B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201610183107.3
申请日：2016-03-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种高发光效率InGaN基多量子阱外延片，包括：一蓝宝石衬底；一低温成核层，其制作在蓝宝石衬底上；一高温非掺杂GaN层，其制作在低温成核层上；一高温n型GaN层，其制作在高温非掺杂GaN层上；一表面修复层，其制作在高温n型GaN层上；一多量子阱发光层结构，其制作在表面修复层上；一p型GaN层，其制作在多量子阱发光层结构上。本发明是通过插入一层GaN表面修复层，并优化表面修复层的生长参数，修复降温过程中由于GaN分解引起的表面损伤，使量子阱生长在光滑的GaN表面上，提高量子阱的界面质量，减少多量子阱区的缺陷密度。
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