公开(公告)号：CN102479556B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201110363250.8

申请日：2011-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹翔镛 ,  朴起台 ,  孙弘乐

IPC: G11C29/44 ,  G11C16/26

CPC classification number: G11C16/0483 ,  G11C11/5642 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C16/26

Abstract: 在一个实施例中，一种用于读取非易失性存储器单元阵列中的存储器单元的方法包括基于单个读取命令，使用硬决策电压集合和至少第一软决策电压集合从存储器单元读取数据。

公开(公告)号：CN102411987B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201110280452.6

申请日：2011-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔城赫 ,  孙弘乐 ,  孔骏镇 ,  金宰弘 ,  赵庆来 ,  金容俊

IPC: G11C16/02 ,  G11C29/42

Abstract: 一种存储器件包括：存储单元阵列；自交织器，配置为使用交织方案将数据即时交织和加载到缓冲器电路中；以及控制逻辑，配置为控制存储单元阵列中交织数据的编程。

公开(公告)号：CN105718385A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510969163.5

申请日：2015-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东焕 ,  孔骏镇 ,  薛昶圭 ,  孙弘乐

IPC: G06F12/0802

Abstract: 本发明提供了一种操作数据存储装置的方法，其能够补偿多个存储器单元的初始阈电压漂移。所述方法包括：产生针对第一写地址的第一压缩值，所述第一写地址对应于在不同的时间间隔中的第一时间间隔期间输入的第一写请求；以及将第一压缩值存储在多个表中的第一表中。本发明还提供了一种数据存储装置和数据处理系统。

公开(公告)号：CN105702286A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510931245.0

申请日：2015-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴银珠 ,  尹弼相 ,  孔骏镇 ,  孙弘乐

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G06F11/1048 ,  G06F12/00 ,  G06F12/0238 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7202 ,  G11C8/06 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0088 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H03M13/05 ,  H03M13/27 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0028

Abstract: 一种操作包括多个层的电阻式存储器系统的方法可以包括：接收对应于第一地址的第一数据和写请求，将第一地址变换成第二地址，并且将n(n是等于或大于2的整数)个从第一数据产生的子区域数据分配到多个层，并且根据第二地址将n个子区域数据写入到至少两个层。

公开(公告)号：CN101847439B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN200910258375.7

申请日：2009-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳汉雄 ,  赵庆来 ,  宋承桓 ,  殷熙锡 ,  孙弘乐

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/34 ,  G11C16/26 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C16/3427 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3454 ,  G11C16/3459 ,  G11C2211/5621 ,  G11C2211/5634

Abstract: 公开了一种非易失性存储器件的存取方法，包括：检测第一存储单元的阈值电压变化，所述第一存储单元的阈值电压变化能够物理地影响第二存储单元；以及根据所述第一存储单元的阈值电压变化的间距，向所述第二存储单元分配从多个子分布当中选择的一个子分布，所述多个子分布对应于所述第二存储单元的目标分布。

公开(公告)号：CN103578550A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310328869.4

申请日：2013-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛昶圭 ,  孔骏镇 ,  孙弘乐 ,  尹弼相

IPC: G11C16/10 ,  G06F21/62

CPC classification number: G06F7/58 ,  G06F7/588 ,  H04L9/08 ,  H04L9/0869 ,  H04L2209/12

Abstract: 在非易失性存储单元的存储器中，通过以下步骤产生随机数：对非易失性存储单元编程；利用随机数读取电压读取编程的非易失性存储单元以产生随机读取数据，所述随机数读取电压依照非易失性存储单元的特性选择；并从随机读取数据产生随机数。