公开(公告)号：CN101847439B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN200910258375.7

申请日：2009-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳汉雄 ,  赵庆来 ,  宋承桓 ,  殷熙锡 ,  孙弘乐

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/34 ,  G11C16/26 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C16/3427 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3454 ,  G11C16/3459 ,  G11C2211/5621 ,  G11C2211/5634

Abstract: 公开了一种非易失性存储器件的存取方法，包括：检测第一存储单元的阈值电压变化，所述第一存储单元的阈值电压变化能够物理地影响第二存储单元；以及根据所述第一存储单元的阈值电压变化的间距，向所述第二存储单元分配从多个子分布当中选择的一个子分布，所述多个子分布对应于所述第二存储单元的目标分布。

公开(公告)号：CN101847439A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200910258375.7

申请日：2009-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳汉雄 ,  赵庆来 ,  宋承桓 ,  殷熙锡 ,  孙弘乐

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/34 ,  G11C16/26 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C16/3427 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3454 ,  G11C16/3459 ,  G11C2211/5621 ,  G11C2211/5634

Abstract: 公开了一种非易失性存储器件的存取方法，包括：检测第一存储单元的阈值电压变化，所述第一存储单元的阈值电压变化能够物理地影响第二存储单元；以及根据所述第一存储单元的阈值电压变化的间距，向所述第二存储单元分配从多个子分布当中选择的一个子分布，所述多个子分布对应于所述第二存储单元的目标分布。